![FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/22/20/30/34/825758/ons_/manual/to-247.jpg)
FGH40N60UFDTU ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40N60UFDTU ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns, Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 290 W.
Інші пропозиції FGH40N60UFDTU за ціною від 161.99 грн до 405.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH40N60UFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FGH40N60UFDTU | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU Код товару: 61781 |
Виробник : Fairchild |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112 |
товар відсутній
|
|||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |