![FGHL50T65MQDT FGHL50T65MQDT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/6129/488%7E340CX%7E%7E3.jpg)
FGHL50T65MQDT onsemi
![fghl50t65mqdt-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 139430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 359.6 грн |
30+ | 274.36 грн |
120+ | 235.17 грн |
510+ | 196.18 грн |
1020+ | 167.98 грн |
2010+ | 158.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGHL50T65MQDT onsemi
Description: FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 79 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns, Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGHL50T65MQDT за ціною від 174.93 грн до 433.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGHL50T65MQDT | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FGHL50T65MQDT | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
FGHL50T65MQDT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
FGHL50T65MQDT | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |