![FGH30S130P FGH30S130P](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/SC15922-40.jpg)
FGH30S130P ONSEMI
![2859363.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 478.07 грн |
5+ | 412.56 грн |
10+ | 346.27 грн |
50+ | 305.61 грн |
100+ | 266.72 грн |
250+ | 256.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH30S130P ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FGH30S130P за ціною від 261.4 грн до 652.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH30S130P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.3kV; 30A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.3kV Collector current: 30A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 372.3nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH30S130P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH30S130P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Gate Charge: 78 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 500 W |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH30S130P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH30S130P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH30S130P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
FGH30S130P Код товару: 104327 |
Виробник : Fairchild |
![]() Vces: 1300 V Vce: 1,75 V Ic 25: 60 A Ic 100: 30 A Pd 25: 500 W td(on)/td(off) 100-150 град: 39/620 |
товар відсутній
|