![FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/6129/488%7E340CJ%7E%7E4.jpg)
FGH75T65SQDNL4 onsemi
![fgh75t65sqdnl4-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 697.33 грн |
30+ | 487.16 грн |
120+ | 402.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SQDNL4 onsemi
Description: 650V/75 FAST IGBT FSIII T, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 134 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns, Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 152 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції FGH75T65SQDNL4 за ціною від 364.54 грн до 789.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 449 шт: термін постачання 252-261 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |