Продукція > CSD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD-NM-914-NM | TE Connectivity / Linx Technologies | RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm) | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD-NM-914-NM | TE Connectivity Linx | Description: CBL ASSY NTYPE PLUG TO PLUG 36" Packaging: Bulk Color: Black Length: 36.00" (914.40mm) Style: N-Type to N-Type Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Cable Type: RG-58 1st Connector: N-Type Plug 2nd Connector: N-Type Plug Part Status: Active Frequency - Max: 5.8 GHz 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Contact Gender: Male 2nd Contact Gender: Male Cable Impedance: 50 Ohms Overall Impedance: 50 Ohms | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD-NM-914-NM | Linx Technologies | RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD-NM-914-NM | TE Connectivity | RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm) | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD-SMAM-610-NM | TE Connectivity / Linx Technologies | RF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD-SMAM-610-NM | TE Connectivity Linx | Description: CBL ASSY SMA-NTYPE PLUG-PLUG 24" Packaging: Bulk Color: Black Length: 24.00" (609.60mm) Style: SMA to N-Type Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Cable Type: RG-58 1st Connector: SMA Plug 2nd Connector: N-Type Plug Part Status: Active Frequency - Max: 5.8 GHz 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Contact Gender: Male 2nd Contact Gender: Male Cable Impedance: 50 Ohms Overall Impedance: 50 Ohms | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD.M26.GLL.C72AZ | LEMO | Standard Circular Connector | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD01060A | Wolfspeed | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD01060A | Wolfspeed(CREE) | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; 21.4W; TO220-2 Case: TO220-2 Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 21.4W | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060A | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060A | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - CSD01060A - SiC-Schottky-Diode, Z-Rec 600V, Einfach, 600 V, 2 A, 3.3 nC, TO-220 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 3.3 Diodenmontage: Durchsteckmontage Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Z-Rec 600V Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: To Be Advised | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD01060A | Wolfspeed | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060A | Cree, Inc | Діод Шоттки TO-220-2 U=600V I=4A(T=25C) Vf=1,6V; Silicon Carbide | на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060A | Wolfspeed | SiC Schottky Diodes 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE | на замовлення 8425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060A | Wolfspeed | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060A | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | на замовлення 8416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060A Код товару: 57916 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD01060A | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD01060A | Wolfspeed(CREE) | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; 21.4W; TO220-2 Case: TO220-2 Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 21.4W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060A | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060E | Wolfspeed(CREE) | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 1A; TO252-2; 21.4W Case: TO252-2 Mounting: SMD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 21.4W кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD01060E | Wolfspeed | Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE | на замовлення 11511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060E | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD01060E | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | на замовлення 2772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060E | Wolfspeed | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube | на замовлення 4275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060E | Wolfspeed | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD01060E | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube | на замовлення 4275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060E | Wolfspeed(CREE) | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 1A; TO252-2; 21.4W Case: TO252-2 Mounting: SMD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 21.4W | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD01060E-TR | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060E-TR | Wolfspeed | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD01060E-TR | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | на замовлення 14877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060E-TR | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD01060E-TR | Wolfspeed | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060E-TR | Wolfspeed | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V | на замовлення 5544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060E-TR | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD01060E-TR | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD02060A | Cree/Wolfspeed | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD02060G | Cree/Wolfspeed | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO263-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD04060A | Cree/Wolfspeed | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 7A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD04060A | Cree, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD04060E | Cree/Wolfspeed | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD04060E | Cree, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD06060A | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD06060A | Wolfspeed | Schottky Diodes & Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD06060G | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD06060G | Wolfspeed | Schottky Diodes & Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD08060A | Cree/Wolfspeed | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD0910B-100M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 5.6A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 5 A | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD0910B-100M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 5.6A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 5 A | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD0910B-150M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 4.6A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 15 µH Current Rating (Amps): 3.5 A | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD0910B-150M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 4.6A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 15 µH Current Rating (Amps): 3.5 A | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD0910B-220M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 3.2A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 2.5 A | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD0910B-220M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 3.2A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 2.5 A | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD0910B-3R3M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 10.5A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 6 A | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD0910B-3R3M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 10.5A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 6 A | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD0910B-6R8M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 8.7A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Inductance: 6.8 µH Current Rating (Amps): 5 A | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD0910B-6R8M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 8.7A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Inductance: 6.8 µH Current Rating (Amps): 5 A | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD10 | Apex Tool Group | Ribbon Cables / IDC Cables IDC Socket Cable Assemblies, 2.00mm Pitch | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD100-427-2BX | Vishay / Thin Film | Thin Film Resistors - Through Hole CSD CUSTOM | на замовлення 100 шт: термін постачання 344-353 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD1000B-M | Fantom Drives | Description: SSD 1TB USB BLACK MAC Packaging: Retail Package Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm Memory Size: 1TB Type: USB Speed - Read: 560MB/s Speed - Write: 530MB/s Part Status: Active | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD1000B-W | Fantom Drives | Description: SSD 1TB USB BLACK WINDOWS Packaging: Retail Package Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm Memory Size: 1TB Type: USB Speed - Read: 560MB/s Speed - Write: 530MB/s Part Status: Active | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD10030A | Cree Inc | Description: DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD10060A | CREE LED (See account 19947) | Rectifier Diode Schottky 600V 16.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD10060A | Wolfspeed | Schottky Diodes & Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD10060A | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16.5A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD10060G | Wolfspeed | Schottky Diodes & Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD10060G | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16.5A Supplier Device Package: TO-263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD1006AC | Tripp Lite | Description: BATT CHARGING STATION 15A Packaging: Bulk Size / Dimension: 13.54" L x 16.54" W x 8.94" H (343.92mm x 420.12mm x 227.08mm) Mounting Type: Custom Voltage - Input: 120VAC Type: Charging Station Termination Style: NEMA 5-15R Battery Chemistry: Mobile Devices Charge Current - Max: 15A Part Status: Active Number of Cells: 10 | на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD1006USB | Tripp Lite | Battery Chargers Tripp Lite 10-Device USB Desktop Charging Station with Surge Protection | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD1013B-100M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18mOhm Max Current - Saturation (Isat): 7.1A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 4.2 A | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD1013B-100M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18mOhm Max Current - Saturation (Isat): 7.1A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 4.2 A | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD1013B-220M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 38mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.3A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm) Part Status: Active Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 3 A | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD1013B-220M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 38mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.3A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm) Part Status: Active Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 3 A | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD104-162UF | Vishay | CERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD104-162UF | Vishay | CERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM) | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD104-162UF | Vishay | CERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM) | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD108 | Power Integrations | Description: MODULE GATE DVR P&P SCALE 1 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD12106 | NVENT HOFFMAN | Description: NVENT HOFFMAN - CSD12106 - ENCLOSURE, IP66, STEEL, GREY tariffCode: 73102990 rohsCompliant: YES Gehäusefarbe: Gray Außenhöhe - imperial: 12" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IP-Schutzart: IP66 NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13 Außentiefe - metrisch: 152mm usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 304.8mm Außentiefe - imperial: 6" euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 254mm Produktpalette: CONCEPT Series productTraceability: No Gehäusetyp: Electrical / Industrial Außenbreite - Zoll: 10" Gehäusematerial: Steel directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD12126 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD12126SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount Color: Natural Size / Dimension: 12.008" L x 12.008" W (305.00mm x 305.00mm) Material: Metal, Stainless Steel Thickness: 16 Gauge Height: 5.984" (152.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 144in² (929cm²) Part Status: Active | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD1306 | 99 DIP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
CSD1306E | УЎ¶И | 06+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD13201W10 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13201W10 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V | на замовлення 35197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 5597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13201W10 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13202Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13202Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 2718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13202Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13202Q2 | Texas Instruments | MOSFETs N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm | на замовлення 4152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13202Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13202Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13202Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13202Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V | на замовлення 10267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13202Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: WSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD13202Q2T | Texas Instruments | Description: PROTOTYPE Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13302W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V | на замовлення 7416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13302W | Texas Instruments | MOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA | на замовлення 8520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13302W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13302WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13302WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13302WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13302WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 25.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 1.6A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 29A Case: DSBGA4 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13302WT | Texas Instruments | MOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13302WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V | на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13302WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13302WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 25.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 1.6A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 29A Case: DSBGA4 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | на замовлення 143944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13303W1015 | Texas Instruments | MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13306W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13306W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13306W | Texas Instruments | MOSFETs 12-V, N channel NexFET power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 10.2 mOhm 6-DSBGA | на замовлення 2808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13306W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD13306WT | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13306WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13306WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 15.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 3.5A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 44A Case: DSBGA6 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13306WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13306WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 15.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 3.5A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 44A Case: DSBGA6 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13380F3 | Texas Instruments | MOSFETs 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | на замовлення 11202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | на замовлення 28747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 3.6A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 13.5A Case: PICOSTAR3 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | на замовлення 29034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13380F3T | Texas Instruments | MOSFETs 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | на замовлення 63281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 3.6A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 13.5A Case: PICOSTAR3 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | на замовлення 462032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 2958000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | на замовлення 456000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET | на замовлення 79507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 2.1A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 7A Case: PICOSTAR3 | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage Verlustleistung: 500 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 2.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 850 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4T | Texas Instruments | MOSFETs 12V,N-Ch FemtoFET MOSFET | на замовлення 5663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | на замовлення 834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 2.1A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 7A Case: PICOSTAR3 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 243 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4 | Texas Instruments | MOSFETs CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR | на замовлення 3503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | на замовлення 996000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13383F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | на замовлення 999594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW Kind of package: reel; tape On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 2.9A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 18.5A Case: PICOSTAR3 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 2.9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: PICOSTAR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13383F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW Kind of package: reel; tape On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 2.9A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 18.5A Case: PICOSTAR3 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 2.9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: PICOSTAR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13383F4T | Texas Instruments | MOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET | на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13383F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | на замовлення 4157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | на замовлення 46966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 7.1A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 41A Case: PICOSTAR3 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5 | Texas Instruments | MOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | на замовлення 12665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13385F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13385F5 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 7.1A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 41A Case: PICOSTAR3 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | на замовлення 35565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 7.1A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 41A Case: PICOSTAR3 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13385F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | на замовлення 35500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13385F5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 7.1A Drain-source voltage: 12V Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 41A Case: PICOSTAR3 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD13385F5T | Texas Instruments | MOSFETs 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | на замовлення 3396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | на замовлення 78424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15380F3 | Texas Instruments | MOSFET 20-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 1460 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | на замовлення 17172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD15380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15380F3T | Texas Instruments | MOSFET 20-V N-Ch FemtoFET | на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD15380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: PICOSTAR3 Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 1.6A Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.4W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 4Ω Drain current: 0.9A Drain-source voltage: 20V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD15380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD15380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | на замовлення 3011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD15380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: PICOSTAR3 Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 1.6A Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.4W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 4Ω Drain current: 0.9A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD15571Q2 Код товару: 130599 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD15571Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD15571Q2 | Texas Instruments | MOSFETs 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 12297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15571Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V | на замовлення 2234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD15571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16126 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 5.984" (152.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 192in² (1239cm²) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16128 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 192in² (1239cm²) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16128 | Pentair | Gray Steel Wall Mount Enclosure | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16128LG | Pentair | Light Gray 16-Gauge Steel Wall Mount Single Door Enclosure | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD1614 | C&K | 1CSB20007ABQ | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD161610 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 10.000" (254.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16166 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 5.984" (152.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16166 | Pentair | Steel Wall Mount Enclosure | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16166SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX S STEEL NAT 15.98"LX15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount Color: Natural Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Stainless Steel Thickness: 16 Gauge Height: 5.984" (152.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16168 | NVENT HOFFMAN | Description: NVENT HOFFMAN - CSD16168 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY Gehäusefarbe: Grey Außenhöhe - imperial: 16 IP-Schutzart: IP66 NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13 Außentiefe - metrisch: 203 Außenhöhe - metrisch: 406 Außentiefe - imperial: 8 Außenbreite - metrisch: 406 Produktpalette: Concept Series Gehäusetyp: Electrical / Industrial Außenbreite - Zoll: 16 Gehäusematerial: Steel SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16168 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16168SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX S STEEL NAT 15.98"LX15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount Color: Natural Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Stainless Steel Thickness: 16 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD162010 | Pentair | Gray Steel Wall Mount Enclosure | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16208 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 320in² (2065cm²) Part Status: Active | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16301Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16301Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16301Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 45845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16301Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16301Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V | на замовлення 23912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16321Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16321Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5 Код товару: 94698 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD16321Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16321Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 4877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | на замовлення 24601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16321Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5T | Texas Instruments | MOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16321Q5T | Texas Instruments | 25-V, N Channel Power MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5T | Texas Instruments | Description: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16321Q5T | Texas Instruments | CSD16321Q5T | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5T | Texas Instruments | 25-V, N Channel Power MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16321Q5T | Texas Instruments | Description: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16322Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16322Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16322Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16322Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16322Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V | на замовлення 6808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16322Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16322Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs | на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16322Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16322Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16322Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SON Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16322Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16322Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 11629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD16322Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16322Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SON Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16323Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16323Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16323Q3 | Texas Instruments | N-Channel 25 V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) | на замовлення 380 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16323Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16323Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 28518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16323Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 7952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16323Q3C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16323Q3C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16323Q3C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16323Q3C | Texas Instruments | MOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD16323Q3C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16323Q3T | Texas Instruments | Description: PROTOTYPE Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 74W (Tc) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16325Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 4806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16325Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16325Q5 | Texas Instruments | Description: CSD16325Q5 25V, N CH NEXFET MOSF Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V | на замовлення 5572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16325Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V | на замовлення 9538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16325Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16325Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD16325Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16327Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16327Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 14002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16327Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16327Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16327Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 13281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16327Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8 Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 74W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...10V Pulsed drain current: 240A Drain-source voltage: 25V Drain current: 60A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16327Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16327Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8 Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 74W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...10V Pulsed drain current: 240A Drain-source voltage: 25V Drain current: 60A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16327Q3T Код товару: 153742 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD16327Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16327Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | на замовлення 3403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16340Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 16101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16340Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 25V, -55 to 150 | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 2623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16342Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16342Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 5067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16342Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | TPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | TPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | Description: EVAL MODULE FOR MOSFETS/TPS40304 Packaging: Bulk Voltage - Output: 1.2V Voltage - Input: 8V ~ 14V Current - Output: 25A Frequency - Switching: 600kHz Regulator Topology: Buck Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPS40304 Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: DC/DC, Step Down Outputs and Type: 1, Non-Isolated Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | Power Management IC Development Tools CSD163CEVM-591 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16401Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16401Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16401Q5T | Texas Instruments | MOSFETs 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16401Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 156W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -12...16V Pulsed drain current: 240A Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16401Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 156W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -12...16V Pulsed drain current: 240A Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16401Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16403Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16403Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 14639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16403Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16404Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16404Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16404Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16404Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16404Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 7816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16404Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16404Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16404Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V | на замовлення 4544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16406Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V | на замовлення 4069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16406Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 6949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16406Q3 | Texas Instruments | N-MOSFET 25V 60A 2.7W 5.3mΩ CSD16406Q3 Texas Instruments TCSD16406q3 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16406Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16406Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16406Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16406Q3 MOSFET N-CH - Texas Instruments Код товару: 108023 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD16407Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16407Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 5427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16407Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16407Q5 | TI | 0950+ QFN | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD16407Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16407Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16407Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 5577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16407Q5 | TI | на замовлення 2235 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
CSD16407Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16407Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 6325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD16407Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16407Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16407Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16408Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 29715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16408Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16408Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16408Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16408Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16408Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD16408Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16409Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 3488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16409Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V | на замовлення 6358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16409Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16410Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V | на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16410Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16410Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16411Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16411Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 4271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16411Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V | на замовлення 20531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16411Q3/2801 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16411Q3T | Texas Instruments | CSD16411Q3T | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16412Q5A | TI/BB | 09+ | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16412Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V | на замовлення 3437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16412Q5A Код товару: 144313 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16412Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16412Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16413Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V | на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16413Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 3659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16413Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16414Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16414Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16414Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V | на замовлення 2602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16415Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 990 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 2161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16415Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16415Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 156W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -12...16V Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5T | Texas Instruments | MOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16415Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 156W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -12...16V Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V | на замовлення 7089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16556Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 25V NexFET N Ch Pwr MosFET | на замовлення 4879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD1656 | C&K | CSD1656 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16570Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 25-V N-channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16570Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 25V NCH NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 13162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16570Q5BT Код товару: 196756 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD16570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Power dissipation: 195W Technology: NexFET™ Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.68mΩ Drain current: 100A Drain-source voltage: 25V Polarisation: unipolar Dimensions: 5x6mm Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | на замовлення 18296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Power dissipation: 195W Technology: NexFET™ Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.68mΩ Drain current: 100A Drain-source voltage: 25V Polarisation: unipolar Dimensions: 5x6mm Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 85 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD16570Q5BT . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 85 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17301Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17301Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17301Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V | на замовлення 13375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17302Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | на замовлення 19870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17302Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 4042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17302Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17303Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17303Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V | на замовлення 5169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17303Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R | на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17303Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17303Q5 | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 5622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R | на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17304Q3 | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 13749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17304Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V | на замовлення 5318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17304Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17305Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17305Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17305Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17306Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17306Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.1 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17306Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 2615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17306Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V | на замовлення 4816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17306Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1 Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17307Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 3917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 165896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: CSD17308Q3T; CSD17308Q3 TCSD17308q3 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments | MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 6854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 27484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 568 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3 . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 47 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 2705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 44 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | на замовлення 885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17308Q3T Код товару: 133334 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 44 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17309Q3 | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 4933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17309Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17309Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V | на замовлення 6746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17309Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17309Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17310Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17310Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V | на замовлення 19240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17310Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 2717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17310Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17310Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17310Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V | на замовлення 210429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17311Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17311Q5 | Texas Instruments | MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 4206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17311Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17311Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | на замовлення 7687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17312Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17312Q5 | Texas Instruments | N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15; Qg, нКл = 36 @ 4.5 В; Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SON-8 | на замовлення 85 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17312Q5 | Texas Instruments | MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 2622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17312Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V | на замовлення 5730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | на замовлення 15190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2 | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2 | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 46097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2 Код товару: 126922 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD17313Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | MOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | MOSFET Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2Q1T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6 Mounting: SMD Application: automotive industry Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...10V Pulsed drain current: 57A Technology: NexFET™ Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2Q1T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6 Mounting: SMD Application: automotive industry Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...10V Pulsed drain current: 57A Technology: NexFET™ Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: WSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17313Q2T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | на замовлення 24759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2T | Texas Instruments | MOSFETs 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet | на замовлення 5265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm Mounting: SMD Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 2x2mm Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Technology: NexFET™ Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 26mΩ Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 1931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm Mounting: SMD Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 2x2mm Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Technology: NexFET™ Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 26mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | на замовлення 24750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2 | Texas Instruments | N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25 А; Ptot, Вт = 16; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15; Qg, нКл = 6 @ 4,5 В; Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; WDFN-6 (Exp. Pad) | на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V | на замовлення 10714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17318Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17318Q2 | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150 | на замовлення 7787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17318Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17318Q2T | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150 | на замовлення 4891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V | на замовлення 3087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6 Mounting: SMD Application: automotive industry Power dissipation: 16W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 68A Technology: NexFET™ Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 21.5A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17318Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6 Mounting: SMD Application: automotive industry Power dissipation: 16W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 68A Technology: NexFET™ Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 21.5A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17318Q2T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17322Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17322Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17322Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17322Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17322Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17322Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET | на замовлення 2102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17327Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | на замовлення 24835000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17327Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17327Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17327Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17327Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET | на замовлення 1568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17327Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | на замовлення 24835000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17327Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17381F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 17794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | на замовлення 38140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17381F4R | Texas Instruments | Description: PROTOTYPE Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Technology: NexFET™ Case: PICOSTAR3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Technology: NexFET™ Case: PICOSTAR3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | на замовлення 38111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17381F4T | Texas Instruments | MOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET | на замовлення 9507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17382F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17382F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17382F4 | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | на замовлення 7693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17382F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V | на замовлення 8280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17382F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17382F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V | на замовлення 14010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17382F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Pulsed drain current: 14.8A Power dissipation: 0.5W Case: PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17382F4T | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | на замовлення 7977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17382F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Pulsed drain current: 14.8A Power dissipation: 0.5W Case: PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4 | Texas Instruments | MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET | на замовлення 22383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V | на замовлення 100334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4T | Texas Instruments | MOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET | на замовлення 2751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V | на замовлення 11419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17483F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 5A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17483F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 5A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17483F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V | на замовлення 11250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | на замовлення 76002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4 | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 128 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | на замовлення 5792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17484F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17484F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 18A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17484F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 18A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17484F4T | Texas Instruments | MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET | на замовлення 4543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | на замовлення 25333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17484F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | на замовлення 24500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17501Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17501Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V | на замовлення 6793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17501Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 2043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17501Q5A Код товару: 107837 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17505Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17505Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V,NCh NexFET Power MOSFET | на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17505Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V | на замовлення 1843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17506Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 3312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17506Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V | на замовлення 7484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17506Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17507Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V | на замовлення 5670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17507Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 6929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17507Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17507Q5AT | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm 8-VSONP -55 to 150 | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
CSD17507Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17507Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17510Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V | на замовлення 6479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17510Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17510Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V | на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17522Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V | на замовлення 13176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17522Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17522Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET | на замовлення 4602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17522Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17522Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17522Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17522Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17522Q5A /Texas Instruments Код товару: 108620 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD17527Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET | на замовлення 3348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17527Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V | на замовлення 11808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17527Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17527Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17551Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17551Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V | на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17551Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17551Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17551Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17551Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17551Q3A | Texas Instruments | MOSFET 30V N-Chnl MOSFET | на замовлення 16931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17551Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17551Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17551Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 4104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17551Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17551Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V | на замовлення 7655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17552Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17552Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17552Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17552Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17552Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | на замовлення 7037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17552Q3A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel MOSFET | на замовлення 16362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17552Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17552Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17552Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17552Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17552Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | на замовлення 14939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17552Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17552Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17553Q5A | Texas Instruments | MOSFETs NCh NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 4140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17553Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17553Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17553Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V | на замовлення 9638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17555Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17555Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17555Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V | на замовлення 139741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17555Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17555Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17555Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17555Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5B | Texas Instruments | MOSFET 30V N-Ch NexFET Power MOSFETs | на замовлення 2192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17556Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17556Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W Polarisation: unipolar Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 191W кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W Polarisation: unipolar Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 191W | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17556Q5BT | Texas Instruments | MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17556Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V | на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17559Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V | на замовлення 3068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17559Q5 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17559Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17559Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17559Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17559Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 96W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17559Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17559Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 96W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17559Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17559Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17559Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17559Q5T | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V | на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17570Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Ch Pwr MOSFET | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17570Q5BT | Texas Instruments | MOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET | на замовлення 6707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 5x6mm Gate charge: 93nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Technology: NexFET™ Case: VSON-CLIP8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A On-state resistance: 0.74mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 5x6mm Gate charge: 93nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Technology: NexFET™ Case: VSON-CLIP8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A On-state resistance: 0.74mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17570Q5BT /Texas Instruments Код товару: 109943 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD17571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17571Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Technology: NexFET™ Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.6A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17571Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V | на замовлення 21341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17571Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Technology: NexFET™ Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.6A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17571Q2 | Texas Instruments | MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFETs | на замовлення 3836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17571Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17571Q2 (Texas Instruments) Код товару: 199547 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | на замовлення 86 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 4037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V | на замовлення 7947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17573Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Mounting: SMD Power dissipation: 195W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 5x6mm Gate charge: 49nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Technology: NexFET™ Case: VSON-CLIP8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A On-state resistance: 1.19Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17573Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Mounting: SMD Power dissipation: 195W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 5x6mm Gate charge: 49nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Technology: NexFET™ Case: VSON-CLIP8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A On-state resistance: 1.19Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V | на замовлення 13742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17573Q5BT | Texas Instruments | MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17575Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V | на замовлення 24957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17575Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17575Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17575Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CSD17575Q3 | Texas Instruments | MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 7333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|