CSD17308Q3 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.36 грн |
| 5000+ | 22.23 грн |
| 12500+ | 20.58 грн |
| 25000+ | 19.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17308Q3 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції CSD17308Q3 за ціною від 21.51 грн до 77.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17308Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17308Q3 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17308Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V |
на замовлення 29329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17308Q3 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 6854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17308Q3 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 223 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17308Q3 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17308Q3 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: CSD17308Q3T; CSD17308Q3 TCSD17308q3 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
CSD17308Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17308Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |