CSD16325Q5 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 60.92 грн |
| 5000+ | 56.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD16325Q5 Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V.
Інші пропозиції CSD16325Q5 за ціною від 53.18 грн до 145.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD16325Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V |
на замовлення 9538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16325Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16325Q5 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET |
на замовлення 4806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Description: CSD16325Q5 25V, N CH NEXFET MOSF Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V |
на замовлення 5572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
CSD16325Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD16325Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16325Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R |
товар відсутній |