![CSD17381F4T CSD17381F4T](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/4/4/6/50/51/468/txn_/manual/csd13385f5.jpg)
CSD17381F4T Texas Instruments
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 24.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17381F4T Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): 12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17381F4T за ціною від 19.76 грн до 62.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V |
на замовлення 38111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 9507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD17381F4T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
CSD17381F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Technology: NexFET™ Case: PICOSTAR3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD17381F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Technology: NexFET™ Case: PICOSTAR3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |