CSD17313Q2T Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 36.28 грн |
| 500+ | 29.89 грн |
| 1250+ | 29.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17313Q2T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 17W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17W, Bauform - Transistor: WSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Інші пропозиції CSD17313Q2T за ціною від 29.34 грн до 131.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17313Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: WSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 24759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet |
на замовлення 5265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17313Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm Mounting: SMD Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 2x2mm Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Technology: NexFET™ Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 26mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm Mounting: SMD Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 2x2mm Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Technology: NexFET™ Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 26mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
CSD17313Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
товар відсутній |