Продукція > BSO
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSO-032-10ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-12ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-14ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-16ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-18ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-20ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-22ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-24ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-26ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-28ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-30ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-32ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-032-34ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-3.5M3-14ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-440-10ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-440-12ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-440-14ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-440-16ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-440-18ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-440-30ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-440-32ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-440-34ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-632-10ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-632-10ZI | Penn Engineering | Standoff Blind Threaded F 6-32-THD Heat-Treated Carbon Steel Zinc ASTM B633 | на замовлення 20280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-632-22ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-632-24ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO-632-28ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-832-10ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-832-12ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-832-14ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-832-16ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-832-18ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-832-20ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-832-22ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-832-30ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 3629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-8632-10ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-8632-12ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-8632-16ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-8632-20ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-8632-22ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-8632-28ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-8632-32ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-M3-10ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-M3-12ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-M3-14ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 9970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-M3-16ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 9925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-M3-8 Втулка запресовочна закрита | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSO-M3-8ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-M3.5-18ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-M3.5-22ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-M4-10ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-M4-12ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-M4-14ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-M4-16ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-M4-20ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-M4-6ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | на замовлення 3864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO-M4-8ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-M5-16ZI | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STEEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO-M5-25ZI | Penn Engineering | BSO-M5-25ZI | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO033N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 3.8mΩ Drain current: 22A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V | на замовлення 24288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 3.8mΩ Drain current: 22A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO033N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0028 ohm, P-DSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: P-DSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO035N03 | INFINEON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO040N03MS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 12690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO040N03MS G | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO040N03MSG | INF | 08+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 19270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V | на замовлення 7338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO040N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO051N03MS G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO051N03MS G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO051N03MS G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V | на замовлення 2168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO051N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO051N03MSGXUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO051N03MSGXUMA1 - BSO051N03 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO052N03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 3320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO052N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO052N03S | INFINEON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO052N03S | INFINEON | SOP8 0642+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO052N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO052N03S . | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO052N03S . | 09+ | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO064N03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 4150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO064N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO064N03S | INFINEON | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO064N03S . | 09+ | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO064N03S . | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO064N03S(064N3S) | Infineon | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO064N3S | INFINEON | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO065N03MSG | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO065N03MSGXT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO065N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO065N03MSGXUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO065N03MSGXUMA1 - BSO065N03 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO065N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO065N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO072N03S | INFINEON | на замовлення 1480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO072N03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 3480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO072N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO072N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO072N03S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 4455 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO072N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO | на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO080P03NS3 G | Rochester Electronics, LLC | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO080P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3 | на замовлення 1997 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO080P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3 | на замовлення 3039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO080P03NS3EGXT | Infineon technologies | на замовлення 1045 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO080P03NS3EGXUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO080P03NS3EGXUMA1 - BSO080P03 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO080P03NS3EGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO080P03NS3EGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO080P03NS3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO080P03NS3GXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO080P03NS3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO080P03S | Infineon | P-MOSFET 14.9A 30V 2.5W 0.08Ω BSO080P03S TBSO080p03s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO080P03S | Infineon | P-MOSFET 14.9A 30V 2.5W 0.08Ω BSO080P03S TBSO080p03s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 410 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO080P03S H | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO080P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.79W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.79W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 8mΩ Drain current: -12.6A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: -30V Case: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO080P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.79W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 8mΩ Drain current: -12.6A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: -30V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO080P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V | на замовлення 3412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.79W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO080P03SNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO080P03SNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO080P3S | Infineon | на замовлення 3030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO080P3S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO083N03MS G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO083N03MSG | INF | 08+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO083N03MSG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | на замовлення 2072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO083N03N03MSG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO094N03S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO094N03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 2180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO094N03S | INFINEON | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO094N03S | Infineon | 0648+ | на замовлення 49000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO094N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO094N03S | INF | 08+ | на замовлення 2189 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO094N03S . | 09+ | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO094N03S . | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO094N3S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO104N03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO104N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO104N03S | INFINEON | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO104N03S . | 09+ | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO104N03S . | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO104N03S(104N3S) | Infineon | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO104N3S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO104N3S | INFINEON | на замовлення 234 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO108N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO110N03MS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO110N03MSG | INF | 07+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO110N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO110N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 11mΩ Drain current: 12.1A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO110N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 27715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO110N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | на замовлення 7261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0092 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 11mΩ Drain current: 12.1A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO119N03S | INFINEON | на замовлення 1195 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO119N03S | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 9A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO119N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO119N03S | INFINEON | 0351+ | на замовлення 4805 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO119N03S Код товару: 85857 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSO119N03S | INFINEON | SOP8 | на замовлення 15336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO119N03S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO119N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO119N03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 3195 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO119N03SXT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO119N3S | INFINEON | на замовлення 490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO130N03MS G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO130N03MSG | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO130N03MSG | INF | 08+ | на замовлення 2190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO130N03MSGXT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO130N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO130N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO130N03MSGXUMA1 Код товару: 168712 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSO130N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO130P03S | INFINEON | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO130P03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO130P03S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO130P03S | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -11.3A SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO130P03S H | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -11.3A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO130P03SHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0099 ohm, DSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: DSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO130P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A Automotive 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO130P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO130P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO130P03SHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0099 ohm, DSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: DSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO130P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V | на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO130P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A Automotive 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO130P03SNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO150N03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO150N03 | INFINEON | 0408+ | на замовлення 4803 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO150N03 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO150N03 - BSO150N03 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO150N03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO150N03 | INF | SOP8 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO150N03MD G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 5847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO150N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO150N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 15mΩ Drain current: 9.3A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO150N03MDGXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO150N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO150N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 15mΩ Drain current: 9.3A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO150N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 9779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO150N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO150N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active | на замовлення 24045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO150N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO150N03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 4440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO150N03S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 216 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO150N03S | INFINEON? | на замовлення 2060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO150N03S . | 09+ | на замовлення 2060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO150N03S . | на замовлення 2060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO150N03XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO150N3 | INFINEON | на замовлення 490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO180N10NS3GXT | Infineon Technologies | BSO180N10NS3G | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO200N03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 7A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO200N03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO200N03 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO200N03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO200N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO200N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO200N03S | INFINEON? | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO200N03S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 2238 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO200N03S . | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO200N03S . | 09+ | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO200N3S | INFINEON | на замовлення 20098 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO200N3S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 3150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO200P03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 2175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO200P03S | INFINEON | на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO200P03S | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -9.1A SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO200P03S H | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 4304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO200P03S H Код товару: 182879 | Транзистори > Польові P-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSO200P03SHXUMA1 Код товару: 149476 | Транзистори > Польові P-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A Automotive 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO200P03SNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO201SP | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-Pin SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO201SP | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 14340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO201SP | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V -14.9A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO201SP | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 11103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO201SP | INFINEON? | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO201SP . | 09+ | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO201SP . | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO201SP H | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 4433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPH | Infineon Technologies | Description: BSO201 - 20V-250V P-CHANNEL POWE | на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V | на замовлення 5994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 20mΩ Drain current: -12A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Case: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A Automotive 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 20mΩ Drain current: -12A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 2511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO201SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 14.9A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO201SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 14.9A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203P | INFINEON | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO203P | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V 8.2A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203P | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO203P | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO203P | Rochester Electronics, LLC | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203P H | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V -8.2A DSO-8 OptiMOS P | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203PH | Infineon Technologies | Description: BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWE | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO203PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 21mΩ Drain current: -7A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO203PHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 21mΩ Drain current: -7A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Case: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SP | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V | на замовлення 5216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO203SP | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 1120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO203SP | Infineon technologies | на замовлення 2477 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO203SP | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V 9A SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SP | INFINEON | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO203SP | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO203SP | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 9A 8-Pin SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SP H | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -8.9A DSO-8 OptiMOS P | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO203SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO203SPHXUMA1 - BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 21mΩ Drain current: -7A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Case: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO203SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -8.9A DSO-8 OptiMOS P | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 21mΩ Drain current: -7A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SPNT | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.35W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO203SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO203SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO204P | Infineon | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO204P | Infineon | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO204P | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO204PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1513pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 60µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO207P | INFINEON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO207P | INFINEON | 09+ SMD8 | на замовлення 3480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO207P H | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO207PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 44µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Drain current: -5A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Drain current: -5A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Case: PG-DSO-8 | на замовлення 2214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO207PHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO207PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 44µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO207PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO211P | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO211P | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 347 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO211P | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 5350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO211P | INFINEON? | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO211P | Infineon | 09+ | на замовлення 2518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO211P | Infineon technologies | на замовлення 2394 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO211P . | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO211P . | 09+ | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO211P H | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO211PH | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 532FCBGA Packaging: Bulk Package / Case: 532-BFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: 532-FCBGA (23x23) Part Status: Active | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO211PHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO211PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 67mΩ Drain current: -4.6A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2453 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 67mΩ Drain current: -4.6A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Case: PG-DSO-8 | на замовлення 2453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO211PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO211PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO211PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO215C | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 3930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO215C | Infineon | 03+ | на замовлення 12774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO215C | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO215C | INFINEON | на замовлення 1930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO220N | INFINEON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO220N03MD G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 20720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDG | Infineon | 2N-MOSFET 30V 6A 22mΩ 1.4W BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG INFINEON TBSO220n03mdg кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 22mΩ Drain current: 7.7A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 68100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 6342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active | на замовлення 15114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 22mΩ Drain current: 7.7A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO220N03MSGXT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO220N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO220N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO220N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO2N604L | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 847 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO300N03S | INFINEON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO300N03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO300N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO300N03S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO300N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO300N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO300N3S | INFINEON | 09+ SMD8 | на замовлення 25082 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO300N3S | INFINEON | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO301 | INFINEON | SO-8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO301SP | INFINEON | на замовлення 1636 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO301SP | LNFINEON | 03+ SMD | на замовлення 2474 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO301SP | INF | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO301SP | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 12430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO301SP | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO301SP | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 14.9A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO301SP . | 09+ | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO301SP . | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO301SP H | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | на замовлення 5810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO301SP H | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | на замовлення 5810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO301SP H | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPH | Infineon technologies | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V | на замовлення 7790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A Automotive 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.79W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.79W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 8mΩ Drain current: -12.6A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Case: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.79W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 8mΩ Drain current: -12.6A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.79W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO301SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO301SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO301SPNTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO302SN | INFINEON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO303P | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 8280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO303P | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 2415 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO303P | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 8.2A 8-Pin DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303P | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -8.2A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303P | INFINEON? | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO303P | INFINEON | на замовлення 476 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO303P | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303P . | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO303P . | 09+ | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO303P H | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -8.2A DSO-8 OptiMOS P | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303PH | Infineon Technologies | Description: 7A, 30V, 0.021OHM, 2-ELEMENT, P Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2678pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2678pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2678pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303PHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SP | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 15900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO303SP | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -8.9A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SP | INFINEON | на замовлення 14076 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO303SP | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V | на замовлення 3363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO303SP H | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SPH | Infineon Technologies | Description: 7.2A, 30V, 0.021OHM, P-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V | на замовлення 2561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO303SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A Automotive 8-Pin DSO T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO303SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 21mΩ Drain current: -7.2A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Case: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SPHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 21mΩ Drain current: -7.2A Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SPNTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SPNTMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO303SPT | Infineon Technologies | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO304SN | INFINEON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO305N | INFINEON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO305N1 | INFINEON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO307N | INFINEON | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO307N | Infineon | 2002 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO307N | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO315C | INFINEON | SOP8 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO315C | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 8570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO315C | INFINEON | на замовлення 7335 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO330N02K G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 5.4A DSO-8 OptiMOS 2 | на замовлення 2319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO330N02KG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active | на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO330N02KGFUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO330N02KGFUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO330N02KGFUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO330N02KGFUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO350N03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO350N03 | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 4120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO350N03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO350N03 | Infineon | на замовлення 2120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO350N03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO350N03S | INFINEON | на замовлення 4426 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO350N3 | INFINEON | 09+ SMD8 | на замовлення 2810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO350N3S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO3917 | INFINEON | 09+ SMD8 | на замовлення 4220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4-3.5M3-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-440-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 400 STAINLESS | на замовлення 656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO4-440-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-440-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-440-16 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-440-18 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-440-24 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-440-26 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-440-28 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-440-30 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-440-32 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-440-34 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-632-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO4-632-28 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-6440-12 | PEM | Mounting Hardware STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4-6440-16 | PEM | Mounting Hardware STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-10 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-14 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-16 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-18 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-22 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-24 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-26 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-28 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-30 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-32 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-8632-34 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-M3-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 400 STAINLESS | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO4-M3-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 400 STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4-M3-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO4-M3-6 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 400 STAINLESS | на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO4-M3-8 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 400 STAINLESS | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO4-M4-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO4-M4-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF,BLIND, 416 STAINLESS | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO4-M5-16 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4241 | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 1332 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO440N10NS3GXT | Infineon Technologies | OPTIMOS SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4410 | INFINEON? | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO4410 | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 14880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4410 . | 09+ | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO4410 . | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO4410T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4410T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4420 | INF | 07+; | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4420 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4420 | INF | SOP 06+PBF | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4420 | INFINEON | SOP8 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4420 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4420 | INF | SOP 06+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4420 | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 13270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4420T | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO4420T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4420T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4804 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4804 | INFINEON | 09+ | на замовлення 192 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4804 | INFINEON? | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO4804 | INFINEON | на замовлення 4208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO4804 | INFINEON | 05+ | на замовлення 15167 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4804 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4804 | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 31500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4804 | INF | 07+; | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4804 | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 2938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4804 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4804 . | 09+ | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO4804 . | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO4804 Pb | INFINEON | 06+ | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4804HUMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | на замовлення 3738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO4804HUMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4804T | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4804T | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4822 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4822 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4822 | INFINEON | 09+ SMD8 | на замовлення 2160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO4822T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO4822T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO604NS2 | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO604NS2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 5A DSO-8 OptiMOS | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO604NS2 | infineon | 06+ SO | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO604NS2XUMA1 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 5A DSO-8 OptiMOS | на замовлення 8710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO612CV | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO612CV | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO612CV | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO612CV G | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 60V 3A, -2A DSO-8 | на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO612CVG | Infineon Technologies | Description: BSO612 - 20V-60V COMPLEMENTARY M | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO612CVG | Infineon technologies | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO612CVGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO612CVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO613SPV | INFINEON? | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO613SPV | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO613SPV G | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -3.44A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO613SPVGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO613SPVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -3.44A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO613SPVGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.5W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.13Ω Drain current: -3.44A Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -13.8A Drain-source voltage: -60V Case: SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.5W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.13Ω Drain current: -3.44A Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -13.8A Drain-source voltage: -60V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 17876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615C | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 1692 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO615C | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 9760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO615C | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8-Pin DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615C | INFINEON | на замовлення 23424 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO615C | INFINEON | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO615C | INFINEON? | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO615C . | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO615C . | 09+ | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO615C G | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615C G Код товару: 174636 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSO615CG | INFINEON | 0746+P | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO615CGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615CGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615CGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615CGXUMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Last Time Buy | на замовлення 17704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Last Time Buy | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 5373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 3107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615CT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615CT | LNFINEON | 05+ | на замовлення 617 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO615CT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615N | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615N | SIEMENS | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO615N | Infineon Technologies | MOSFETs N-KANAL POWER MOS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615N | INFINEON | на замовлення 22378 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO615N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 8-Pin DSO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615N | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO615N | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 315 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSO615N . | 09+ | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO615N . | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO615N .. | 09+ | на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSO615N .. | на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615NG | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSO615NGHUMA1 Код товару: 148822 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSO615NGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615NGHUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615NGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 35866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615NGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin DSO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615NGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615NGXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 18178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615NGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615NGXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 18178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615NGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Last Time Buy Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 26840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSO615NGXUMA1 транзистор Код товару: 197584 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSO615NV Код товару: 53058 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSO615NV | Infineon Technologies | MOSFET Discrete Semiconductor Products | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSO615NV | INFINEON | 09+ SOIC-8 | на замовлення 2006 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOA-440-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | на замовлення 827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOA-440-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-440-22 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-440-24 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-440-26 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-440-28 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-440-30 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-440-32 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-440-34 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-632-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOA-632-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-632-16 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOA-632-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-632-22 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-632-24 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-632-26 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-632-28 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-832-10 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-832-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-832-14 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-832-16 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINIUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-832-18 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-8632-28 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3-18 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3-22 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3-6 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3-6 | Penn Engineering | Standoff Self Clinching F M3 X 0.5-THD 4.8mm-A/F Aluminum | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOA-M3.5-10 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3.5-12 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3.5-14 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3.5-16 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3.5-18 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3.5-20 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3.5-22 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3.5-25 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3.5-6 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M3.5-8 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M4-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, ALUMINUM | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M4-22 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOA-M5-16 | PEM | Standoffs & Spacers | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOF3S3E-010.0M | Connor-Winfield | Description: OSC OCXO 10.000MHZ HCMOS SMD | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOKJ1136 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Switches, Standard 22mm Description: Description label; OKTRON®-JUWEL; Button marking: arrows Manufacturer series: OKTRON®-JUWEL Type of switch accessories: description label Button marking: arrows кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOKJ1136 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Switches, Standard 22mm Description: Description label; OKTRON®-JUWEL; Button marking: arrows Manufacturer series: OKTRON®-JUWEL Type of switch accessories: description label Button marking: arrows | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOKJ201 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Switches, Standard 22mm Description: Description label; OKTRON®-JUWEL; Button marking: START Type of switch accessories: description label Button marking: START Manufacturer series: OKTRON®-JUWEL | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOKJ201 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Switches, Standard 22mm Description: Description label; OKTRON®-JUWEL; Button marking: START Type of switch accessories: description label Button marking: START Manufacturer series: OKTRON®-JUWEL кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOKJ202 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Switches, Standard 22mm Description: Description label; OKTRON®-JUWEL; Button marking: STOP Type of switch accessories: description label Button marking: STOP Manufacturer series: OKTRON®-JUWEL кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOKJ202 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Switches, Standard 22mm Description: Description label; OKTRON®-JUWEL; Button marking: STOP Type of switch accessories: description label Button marking: STOP Manufacturer series: OKTRON®-JUWEL | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOKJ226 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Switches, Standard 22mm Description: Description label; Button marking: RESET; OKTRON®-JUWEL Type of switch accessories: description label Manufacturer series: OKTRON®-JUWEL Button marking: RESET кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOKJ226 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Switches, Standard 22mm Description: Description label; Button marking: RESET; OKTRON®-JUWEL Type of switch accessories: description label Manufacturer series: OKTRON®-JUWEL Button marking: RESET | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-3.5M3-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-3.5M3-10 | Penn Engineering (PEM) | Self-clinching blind standoff, Steel passivated | на замовлення 185 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-3.5M3-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-3.5M3-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-3.5M3-8 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-440-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-440-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-440-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-440-16 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-440-18 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-440-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-440-28 | PEM | AC Power Plugs & Receptacles 20052-Y-60MH W/ MOLDED Y & (2)15W33 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-440-28 | Penn Engineering | Standoff Blind Threaded F 4-40-THD Stainless Steel 300 Passivated ASTM A380 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-440-28 | Penn Engineering | Standoff Blind Threaded F 4-40-THD Stainless Steel 300 Passivated ASTM A380 | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-632-10 | Penn Engineering | Standoff Blind Threaded F 6-32-THD Stainless Steel 300 Passivated ASTM A380 | на замовлення 69910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-632-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-632-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-632-14 | PEM | Mounting Hardware STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-632-16 | PEM | Mounting Hardware STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-632-18 | PEM | Mounting Hardware STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-632-20 | PEM | Mounting Hardware STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-632-22 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-632-24 | PEM | Mounting Hardware STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-632-28 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-632-32 | PEM | Mounting Hardware STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-6440-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-6440-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-6440-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-6440-16 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-6440-18 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-6440-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-6440-24 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-832-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-8632-10 | PEM | Mounting Hardware STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSOS-8632-28 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M3-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M3-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M3-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M3-16 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M3-18 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M3-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M3.5-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M3.5-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M4-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M4-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M4-16 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M4-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M4-25 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M4-6 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | на замовлення 2865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M5-10 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M5-12 | Penn Engineering | BSOS-M5-12 | на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSOS-M5-12 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M5-14 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M5-16 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M5-18 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M5-20 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M5-22 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M5-25 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M5-6 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSOS-M5-8 | PEM | Standoffs & Spacers STANDOFF, BLIND, STAINLESS | товар відсутній |