Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO110N03MSGXUMA1
BSO110N03MSGXUMA1

BSO110N03MSGXUMA1 Infineon Technologies

bso110n03ms_rev1.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO110N03MSGXUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSO110N03MSGXUMA1 за ціною від 21.92 грн до 58.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO110N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7412447e2b Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSO110N03MS_DS_v01_01_en-1226460.pdf MOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 27516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.88 грн
10+ 35.04 грн
100+ 24.62 грн
500+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO110N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7412447e2b Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 7261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.78 грн
10+ 35.86 грн
100+ 27.86 грн
500+ 22.16 грн
1000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 Виробник : INFINEON BSO110N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7412447e2b Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0092 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+58.95 грн
16+ 52.7 грн
100+ 41.07 грн
500+ 31.52 грн
1000+ 22.93 грн
5000+ 22.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO110N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO110N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній