Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO201SPHXUMA1
BSO201SPHXUMA1

BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies

bso201sp_h_1.32.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 12A Automotive 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSO201SPHXUMA1 за ціною від 41.54 грн до 131.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058 Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.9 грн
5000+ 50.92 грн
10000+ 49.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+56.97 грн
5000+ 54.84 грн
10000+ 53.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : INFINEON INFNS13865-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.8 грн
500+ 59.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+108.24 грн
116+ 104.18 грн
140+ 86.59 грн
250+ 80.5 грн
500+ 64.42 грн
1000+ 48.91 грн
Мінімальне замовлення: 112
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058 Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.29 грн
10+ 89.03 грн
100+ 69.26 грн
500+ 55.09 грн
1000+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+115.44 грн
10+ 100.51 грн
25+ 96.74 грн
100+ 77.53 грн
250+ 69.21 грн
500+ 57.43 грн
1000+ 45.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSO201SP_DS_v01_32_en-1226431.pdf MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.82 грн
10+ 100.23 грн
100+ 67.33 грн
500+ 57 грн
1000+ 46.39 грн
2500+ 43.65 грн
5000+ 41.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
93+130.13 грн
102+ 118.85 грн
125+ 97.03 грн
200+ 87.54 грн
1000+ 71.72 грн
2000+ 64.29 грн
Мінімальне замовлення: 93
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : INFINEON INFNS13865-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+131.67 грн
10+ 100.92 грн
100+ 70.8 грн
500+ 59.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO201SPH-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: -12A
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Case: PG-DSO-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO201SPH-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: -12A
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Case: PG-DSO-8
товар відсутній