BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 30.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO033N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0028 ohm, P-DSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: P-DSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSO033N03MSGXUMA1 за ціною від 36.56 грн до 118.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSO033N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO033N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0028 ohm, P-DSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: P-DSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V |
на замовлення 24288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 3.8mΩ Drain current: 22A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: PG-DSO-8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.56W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 3.8mΩ Drain current: 22A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: PG-DSO-8 |
товар відсутній |