![BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A9/A5/40/00/0/285338_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f0bee21ffea27f905e10bd7bef271cd4e2b785fe)
BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
![BSO211PHXUMA1-dte.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 22.95 грн |
19+ | 19.4 грн |
25+ | 18.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції BSO211PHXUMA1 за ціною від 22.4 грн до 27.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSO211PHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BSO211PHXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A Power dissipation: 1.6W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2453 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BSO211PHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
BSO211PHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete |
товар відсутній |