Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (889) > Сторінка 1 з 15

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
03N06 03N06 Goford Semiconductor GOFORD-03N06-.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товар відсутній
03N06 03N06 Goford Semiconductor GOFORD-03N06-.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 4221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.41 грн
15+ 20.72 грн
100+ 10.48 грн
500+ 8.02 грн
1000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
03N06 GOFORD Semiconductor GOFORD-03N06-.pdf N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3489+3.46 грн
15000+ 3.21 грн
30000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3489
03N06 03N06 Goford Semiconductor GOFORD-03N06-.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.07 грн
15000+ 2.72 грн
30000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06L 03N06L Goford Semiconductor GOFORD-03N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
6000+ 7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06L GOFORD Semiconductor GOFORD-03N06L.pdf N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.78 грн
15000+ 3.46 грн
30000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3192
03N06L 03N06L Goford Semiconductor GOFORD-03N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.45 грн
13+ 22.99 грн
100+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
03N06L 03N06L Goford Semiconductor GOFORD-03N06L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
15000+ 2.94 грн
30000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
06N06L 06N06L Goford Semiconductor GOFORD-06N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
6000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
06N06L GOFORD Semiconductor GOFORD-06N06L.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
06N06L 06N06L Goford Semiconductor GOFORD-06N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.61 грн
15+ 19.84 грн
100+ 11.91 грн
500+ 10.35 грн
1000+ 7.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
06N06L 06N06L Goford Semiconductor GOFORD-06N06L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
15000+ 3.96 грн
30000+ 3.55 грн
48000+ 3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1002 GOFORD Semiconductor 1002.pdf N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+2.97 грн
15000+ 2.73 грн
30000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 4055
1002 GOFORD Semiconductor 1002.pdf N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 4311
1002 GOFORD Semiconductor 1002.pdf Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1216D2 GOFORD Semiconductor P-CH -12V -16A 21mOhmMAX at -4.5V, 27mOhmMAX at -2.5V, DFN2x2-6L
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.27 грн
15000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
18N10 GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=458 SOLDING_PROFILE.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.63 грн
15000+ 13.5 грн
30000+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N10 18N10 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=458 Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товар відсутній
18N10 18N10 Goford Semiconductor SOLDING_PROFILE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.66 грн
15000+ 11.25 грн
30000+ 10.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N10 18N10 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=458 Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.18 грн
10+ 41.81 грн
100+ 28.92 грн
500+ 22.68 грн
1000+ 19.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
18N20 18N20 Goford Semiconductor 18N20.pdf Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
товар відсутній
18N20 18N20 Goford Semiconductor 18N20.pdf Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.87 грн
10+ 50.3 грн
100+ 39.14 грн
500+ 31.14 грн
1000+ 25.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
18N20 GOFORD Semiconductor 18N20.pdf N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.85 грн
15000+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N20F 18N20F Goford Semiconductor 18N20F.pdf Description: N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.11 грн
50+ 63.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
18N20F GOFORD Semiconductor 18N20F.pdf GOFORD-18N20F.pdf N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+35.52 грн
15000+ 32.79 грн
Мінімальне замовлення: 340
18N20F 18N20F Goford Semiconductor GOFORD-18N20F.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.92 грн
6000+ 28.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
18N20J GOFORD Semiconductor 18N20J.pdf products-detail.php?ProId=307 N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.16Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-251
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 428
18N20J 18N20J Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=307 Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
18N20J 18N20J Goford Semiconductor 18N20J.pdf Description: N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.39 грн
75+ 50.48 грн
150+ 40 грн
Мінімальне замовлення: 5
2002A 2002A Goford Semiconductor GOFORD-G2002A.pdf Description: N190V,5A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
товар відсутній
20N06 20N06 Goford Semiconductor GOFORD-20N06.pdf Description: N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1609 pF @ 30 V
товар відсутній
2300F 2300F Goford Semiconductor GOFORD-2300F.pdf Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товар відсутній
2300F GOFORD Semiconductor GOFORD-2300F.pdf N-CH,20V,6A,RD(max) Less Than 27mOhm at 4.5V,RD(max)41mOhm at 2.5V,VTH 0.5V to 0.9V,SOT-23
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.41 грн
15000+ 2.25 грн
30000+ 2.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2300F 2300F Goford Semiconductor GOFORD-2300F.pdf Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.81 грн
20+ 15.38 грн
100+ 7.78 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
2300F 2300F Goford Semiconductor GOFORD-2300F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.11 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2301 GOFORD Semiconductor GOFORD-2301.pdf Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 5770
2301 2301 Goford Semiconductor GOFORD-2301.pdf Description: P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
6000+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2301 GOFORD Semiconductor GOFORD-2301.pdf Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 5770
2301 2301 Goford Semiconductor GOFORD-2301.pdf Description: P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.85 грн
17+ 17.42 грн
100+ 8.82 грн
500+ 6.75 грн
1000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.81 грн
20+ 14.94 грн
100+ 7.28 грн
500+ 5.7 грн
1000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товар відсутній
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.33 грн
15000+ 2.17 грн
30000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 5173
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.33 грн
15000+ 2.17 грн
30000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 5173
2302 2302 Goford Semiconductor 2302.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.89 грн
16+ 19.4 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
2302 2302 Goford Semiconductor 2302.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.04 грн
15000+ 1.83 грн
30000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2302 2302 Goford Semiconductor 2302.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+3.66 грн
15000+ 3.38 грн
30000+ 3.04 грн
50000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3297
25P06 25P06 Goford Semiconductor GOFORD-25P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
25P06 25P06 Goford Semiconductor GOFORD-25P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.54 грн
10+ 46.56 грн
100+ 36.2 грн
500+ 28.8 грн
1000+ 23.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
25P06 GOFORD Semiconductor GOFORD-25P06.pdf P-CH,-60V,-25A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.64 грн
15000+ 17.28 грн
30000+ 15.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
3400 3400 Goford Semiconductor GOFORD-3400.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.71 грн
15000+ 2.45 грн
30000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
3400 GOFORD Semiconductor GOFORD-3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+3.05 грн
15000+ 2.89 грн
30000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3948
3400 GOFORD Semiconductor GOFORD-3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+3.05 грн
15000+ 2.89 грн
30000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3948
3400 GOFORD Semiconductor GOFORD-3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+2.8 грн
15000+ 2.58 грн
30000+ 2.32 грн
50000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 4311
3400L 3400L Goford Semiconductor GOFORD-3400L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.35 грн
15000+ 2.95 грн
30000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
3400L GOFORD Semiconductor GOFORD-3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.78 грн
15000+ 3.46 грн
30000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3192
3400L GOFORD Semiconductor GOFORD-3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.78 грн
15000+ 3.46 грн
30000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3192
3400L GOFORD Semiconductor GOFORD-3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+3.54 грн
15000+ 3.27 грн
30000+ 2.94 грн
50000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3402
3401 3401 Goford Semiconductor GOFORD-3401.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.66 грн
15000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
3401 GOFORD Semiconductor GOFORD-3401.pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 4412
03N06 GOFORD-03N06-.pdf
03N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товар відсутній
03N06 GOFORD-03N06-.pdf
03N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 4221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.41 грн
15+ 20.72 грн
100+ 10.48 грн
500+ 8.02 грн
1000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
03N06 GOFORD-03N06-.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3489+3.46 грн
15000+ 3.21 грн
30000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3489
03N06 GOFORD-03N06-.pdf
03N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.07 грн
15000+ 2.72 грн
30000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06L GOFORD-03N06L.pdf
03N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.43 грн
6000+ 7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06L GOFORD-03N06L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3192+3.78 грн
15000+ 3.46 грн
30000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3192
03N06L GOFORD-03N06L.pdf
03N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.45 грн
13+ 22.99 грн
100+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
03N06L GOFORD-03N06L.pdf
03N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.33 грн
15000+ 2.94 грн
30000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
06N06L GOFORD-06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.17 грн
6000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
06N06L GOFORD-06N06L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
06N06L GOFORD-06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.61 грн
15+ 19.84 грн
100+ 11.91 грн
500+ 10.35 грн
1000+ 7.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
06N06L GOFORD-06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.47 грн
15000+ 3.96 грн
30000+ 3.55 грн
48000+ 3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1002 1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4055+2.97 грн
15000+ 2.73 грн
30000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 4055
1002 1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4311+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 4311
1002 1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1216D2
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -12V -16A 21mOhmMAX at -4.5V, 27mOhmMAX at -2.5V, DFN2x2-6L
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.27 грн
15000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
18N10 products-detail.php?ProId=458 SOLDING_PROFILE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.63 грн
15000+ 13.5 грн
30000+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N10 products-detail.php?ProId=458
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товар відсутній
18N10 SOLDING_PROFILE.pdf
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.66 грн
15000+ 11.25 грн
30000+ 10.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N10 products-detail.php?ProId=458
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.18 грн
10+ 41.81 грн
100+ 28.92 грн
500+ 22.68 грн
1000+ 19.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
18N20 18N20.pdf
18N20
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
товар відсутній
18N20 18N20.pdf
18N20
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.87 грн
10+ 50.3 грн
100+ 39.14 грн
500+ 31.14 грн
1000+ 25.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
18N20 18N20.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.85 грн
15000+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N20F 18N20F.pdf
18N20F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.11 грн
50+ 63.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
18N20F 18N20F.pdf GOFORD-18N20F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
340+35.52 грн
15000+ 32.79 грн
Мінімальне замовлення: 340
18N20F GOFORD-18N20F.pdf
18N20F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+30.92 грн
6000+ 28.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
18N20J 18N20J.pdf products-detail.php?ProId=307
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.16Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-251
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
428+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 428
18N20J products-detail.php?ProId=307
18N20J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
18N20J 18N20J.pdf
18N20J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.39 грн
75+ 50.48 грн
150+ 40 грн
Мінімальне замовлення: 5
2002A GOFORD-G2002A.pdf
2002A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N190V,5A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
товар відсутній
20N06 GOFORD-20N06.pdf
20N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1609 pF @ 30 V
товар відсутній
2300F GOFORD-2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товар відсутній
2300F GOFORD-2300F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,20V,6A,RD(max) Less Than 27mOhm at 4.5V,RD(max)41mOhm at 2.5V,VTH 0.5V to 0.9V,SOT-23
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+2.41 грн
15000+ 2.25 грн
30000+ 2.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2300F GOFORD-2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.81 грн
20+ 15.38 грн
100+ 7.78 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
2300F GOFORD-2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.11 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2301 GOFORD-2301.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5770+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 5770
2301 GOFORD-2301.pdf
2301
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.66 грн
6000+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2301 GOFORD-2301.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5770+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 5770
2301 GOFORD-2301.pdf
2301
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.85 грн
17+ 17.42 грн
100+ 8.82 грн
500+ 6.75 грн
1000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.81 грн
20+ 14.94 грн
100+ 7.28 грн
500+ 5.7 грн
1000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товар відсутній
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5173+2.33 грн
15000+ 2.17 грн
30000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 5173
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5173+2.33 грн
15000+ 2.17 грн
30000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 5173
2302 2302.pdf
2302
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.89 грн
16+ 19.4 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
2302 2302.pdf
2302
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.04 грн
15000+ 1.83 грн
30000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2302 2302.pdf
2302
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3297+3.66 грн
15000+ 3.38 грн
30000+ 3.04 грн
50000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3297
25P06 GOFORD-25P06.pdf
25P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
25P06 GOFORD-25P06.pdf
25P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.54 грн
10+ 46.56 грн
100+ 36.2 грн
500+ 28.8 грн
1000+ 23.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
25P06 GOFORD-25P06.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-25A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.64 грн
15000+ 17.28 грн
30000+ 15.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
3400 GOFORD-3400.pdf
3400
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.71 грн
15000+ 2.45 грн
30000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
3400 GOFORD-3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3948+3.05 грн
15000+ 2.89 грн
30000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3948
3400 GOFORD-3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3948+3.05 грн
15000+ 2.89 грн
30000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3948
3400 GOFORD-3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4311+2.8 грн
15000+ 2.58 грн
30000+ 2.32 грн
50000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 4311
3400L GOFORD-3400L.pdf
3400L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.35 грн
15000+ 2.95 грн
30000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
3400L GOFORD-3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3192+3.78 грн
15000+ 3.46 грн
30000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3192
3400L GOFORD-3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3192+3.78 грн
15000+ 3.46 грн
30000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3192
3400L GOFORD-3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3402+3.54 грн
15000+ 3.27 грн
30000+ 2.94 грн
50000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3402
3401 GOFORD-3401.pdf
3401
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.66 грн
15000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
3401 GOFORD-3401.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4412+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 4412
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]