Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (905) > Сторінка 9 з 16

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
G3404LL G3404LL Goford Semiconductor G3404LL.pdf Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 541 pF @ 15 V
товар відсутній
G3404LL GOFORD Semiconductor G3404LL.pdf GOFORD-G3404LL.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+3.77 грн
15000+ 3.52 грн
30000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3261
G350N06D32 GOFORD Semiconductor G350N06D32.pdf GOFORD-G350N06D32.pdf Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.04 грн
15000+ 11.14 грн
30000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G350N06D32 G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товар відсутній
G350N06D32 G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.7 грн
10+ 37.66 грн
100+ 24.48 грн
500+ 17.63 грн
1000+ 15.9 грн
2000+ 14.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
G350N06D32 Goford Semiconductor GOFORD-G350N06D32.pdf Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G350P02LLE GOFORD Semiconductor GOFORD-G350P02LLE.pdf P-CH -20V -4.5A 35mOhm/MAX at -4.5V,45mOhm/MAX at -2.5V SOT-23-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3125+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3125
G350P02LLE G350P02LLE Goford Semiconductor GOFORD-G350P02LLE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1126 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.44 грн
15000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G35N02K G35N02K Goford Semiconductor GOFORD-G35N02K.pdf Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G35N02K G35N02K Goford Semiconductor GOFORD-G35N02K.pdf Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
10+ 30.64 грн
100+ 22.85 грн
500+ 16.85 грн
1000+ 13.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
G35P04D5 G35P04D5 Goford Semiconductor GOFORD-G35P04D5.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor GOFORD-G36N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 36A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor GOFORD-G36N03K.pdf Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товар відсутній
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor GOFORD-G36N03K.pdf Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
11+ 28.98 грн
100+ 20.14 грн
500+ 14.75 грн
1000+ 11.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor GOFORD-G400P06S.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
товар відсутній
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor GOFORD-G400P06S.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
10+ 33.36 грн
100+ 23.19 грн
500+ 16.99 грн
1000+ 13.81 грн
2000+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
G400P06S GOFORD Semiconductor GOFORD-G400P06S.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G400P06T G400P06T Goford Semiconductor GOFORD-G400P06T.pdf Description: P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.21 грн
10+ 47.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
G400P06T GOFORD Semiconductor GOFORD-G400P06T.pdf G400P06T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.2 грн
Мінімальне замовлення: 1000
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
товар відсутній
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.67 грн
10+ 37.81 грн
100+ 26.19 грн
500+ 20.54 грн
1000+ 17.48 грн
2000+ 15.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor GOFORD-G40P03D5.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G40P03D5 GOFORD Semiconductor GOFORD-G40P03D5.pdf G40P03D5.pdf P-CH,-30V,-35A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 14mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor G40P03K.pdf Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
товар відсутній
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor GOFORD-G40P03K-.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor G40P03K.pdf Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
10+ 33.43 грн
100+ 23.12 грн
500+ 18.12 грн
1000+ 15.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
G40P03K GOFORD Semiconductor G40P03K.pdf GOFORD-G40P03K-.pdf P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.91 грн
15000+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G450N10D52 G450N10D52 Goford Semiconductor GOFORD-G450N10D52.pdf Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+ 47.55 грн
100+ 36.94 грн
500+ 29.39 грн
1000+ 23.94 грн
2000+ 22.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
G450N10D52 G450N10D52 Goford Semiconductor GOFORD-G450N10D52.pdf Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товар відсутній
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
товар відсутній
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor GOFORD-G450P04K.pdf Description: MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29 грн
13+ 23.85 грн
100+ 16.58 грн
500+ 12.15 грн
1000+ 9.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.29 грн
15000+ 10.28 грн
30000+ 9.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
товар відсутній
G45P02D3 GOFORD Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf G45P02D3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.86 грн
15000+ 12.13 грн
30000+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+ 36.45 грн
100+ 25.25 грн
500+ 19.8 грн
1000+ 16.85 грн
2000+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
G45P40T G45P40T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=642 Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.44 грн
6000+ 20.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
G45P40T G45P40T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=642 Description: MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3269 pF @ 20 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.4 грн
10+ 56.23 грн
100+ 38.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
G4616 G4616 Goford Semiconductor GOFORD-G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.23 грн
16000+ 9.96 грн
32000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G4616 G4616 Goford Semiconductor GOFORD-G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній
G4616 G4616 Goford Semiconductor GOFORD-G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
10+ 34.79 грн
100+ 24.09 грн
500+ 18.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
G4616 GOFORD Semiconductor GOFORD-G4616.pdf G4616
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.53 грн
16000+ 11.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G48N03D3 G48N03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=442 Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G48N03D3 G48N03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=442 Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.24 грн
10+ 39.4 грн
100+ 30.23 грн
500+ 22.43 грн
1000+ 17.94 грн
2000+ 16.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
G4953S G4953S Goford Semiconductor GOFORD-G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+ 24.91 грн
100+ 17.32 грн
500+ 12.69 грн
1000+ 10.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
G500P03IE GOFORD Semiconductor G500P03IE
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.2 грн
15000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3847
G50N03D5 G50N03D5 Goford Semiconductor GOFORD-G50N03D5.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G50N03D5 G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5.pdf Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
товар відсутній
G50N03D5 G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5.pdf Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+ 35.62 грн
100+ 24.65 грн
500+ 19.33 грн
1000+ 16.45 грн
2000+ 14.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
G50N03J G50N03J Goford Semiconductor G50N03J.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.32 грн
10+ 35.17 грн
100+ 24.34 грн
500+ 19.09 грн
1000+ 16.24 грн
2000+ 14.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
G50N03J G50N03J Goford Semiconductor GOFORD-G50N03J.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor GOFORD-G50N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.98 грн
15000+ 9.76 грн
30000+ 8.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+ 35.85 грн
100+ 24.92 грн
500+ 18.26 грн
1000+ 14.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
G58N06F G58N06F Goford Semiconductor G58N06F.pdf Description: N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30006 pF @ 30 V
товар відсутній
G58N06F G58N06F Goford Semiconductor GOFORD-G58N06F.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
G58N06K G58N06K Goford Semiconductor G58N06K.pdf Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
товар відсутній
G58N06K G58N06K Goford Semiconductor G58N06K.pdf Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.67 грн
10+ 44.38 грн
100+ 29.06 грн
500+ 21.05 грн
1000+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
G3404LL G3404LL.pdf
G3404LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 541 pF @ 15 V
товар відсутній
G3404LL G3404LL.pdf GOFORD-G3404LL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3261+3.77 грн
15000+ 3.52 грн
30000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3261
G350N06D32 G350N06D32.pdf GOFORD-G350N06D32.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+12.04 грн
15000+ 11.14 грн
30000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G350N06D32 G350N06D32.pdf
G350N06D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товар відсутній
G350N06D32 G350N06D32.pdf
G350N06D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.7 грн
10+ 37.66 грн
100+ 24.48 грн
500+ 17.63 грн
1000+ 15.9 грн
2000+ 14.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
G350N06D32 GOFORD-G350N06D32.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G350P02LLE GOFORD-G350P02LLE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -20V -4.5A 35mOhm/MAX at -4.5V,45mOhm/MAX at -2.5V SOT-23-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3125+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3125
G350P02LLE GOFORD-G350P02LLE.pdf
G350P02LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1126 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.44 грн
15000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G35N02K GOFORD-G35N02K.pdf
G35N02K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G35N02K GOFORD-G35N02K.pdf
G35N02K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.84 грн
10+ 30.64 грн
100+ 22.85 грн
500+ 16.85 грн
1000+ 13.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
G35P04D5 GOFORD-G35P04D5.pdf
G35P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G36N03K GOFORD-G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 36A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G36N03K GOFORD-G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товар відсутній
G36N03K GOFORD-G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.27 грн
11+ 28.98 грн
100+ 20.14 грн
500+ 14.75 грн
1000+ 11.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
G400P06S GOFORD-G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
товар відсутній
G400P06S GOFORD-G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.76 грн
10+ 33.36 грн
100+ 23.19 грн
500+ 16.99 грн
1000+ 13.81 грн
2000+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
G400P06S GOFORD-G400P06S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G400P06T GOFORD-G400P06T.pdf
G400P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.21 грн
10+ 47.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
G400P06T GOFORD-G400P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G400P06T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+17.2 грн
Мінімальне замовлення: 1000
G40P03D5 G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
товар відсутній
G40P03D5 G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.67 грн
10+ 37.81 грн
100+ 26.19 грн
500+ 20.54 грн
1000+ 17.48 грн
2000+ 15.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
G40P03D5 GOFORD-G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G40P03D5 GOFORD-G40P03D5.pdf G40P03D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-35A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 14mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
товар відсутній
G40P03K GOFORD-G40P03K-.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.97 грн
10+ 33.43 грн
100+ 23.12 грн
500+ 18.12 грн
1000+ 15.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
G40P03K G40P03K.pdf GOFORD-G40P03K-.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.91 грн
15000+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G450N10D52 GOFORD-G450N10D52.pdf
G450N10D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.35 грн
10+ 47.55 грн
100+ 36.94 грн
500+ 29.39 грн
1000+ 23.94 грн
2000+ 22.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
G450N10D52 GOFORD-G450N10D52.pdf
G450N10D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товар відсутній
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
товар відсутній
G450P04K GOFORD-G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29 грн
13+ 23.85 грн
100+ 16.58 грн
500+ 12.15 грн
1000+ 9.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+11.29 грн
15000+ 10.28 грн
30000+ 9.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
товар відсутній
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G45P02D3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+12.86 грн
15000+ 12.13 грн
30000+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.89 грн
10+ 36.45 грн
100+ 25.25 грн
500+ 19.8 грн
1000+ 16.85 грн
2000+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
G45P40T products-detail.php?ProId=642
G45P40T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+22.44 грн
6000+ 20.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
G45P40T products-detail.php?ProId=642
G45P40T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3269 pF @ 20 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.4 грн
10+ 56.23 грн
100+ 38.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
G4616 GOFORD-G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+11.23 грн
16000+ 9.96 грн
32000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G4616 GOFORD-G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній
G4616 GOFORD-G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.54 грн
10+ 34.79 грн
100+ 24.09 грн
500+ 18.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
G4616 GOFORD-G4616.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G4616
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+12.53 грн
16000+ 11.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G48N03D3 products-detail.php?ProId=442
G48N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G48N03D3 products-detail.php?ProId=442
G48N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.24 грн
10+ 39.4 грн
100+ 30.23 грн
500+ 22.43 грн
1000+ 17.94 грн
2000+ 16.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
G4953S GOFORD-G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.57 грн
13+ 24.91 грн
100+ 17.32 грн
500+ 12.69 грн
1000+ 10.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
G500P03IE
Виробник: GOFORD Semiconductor
G500P03IE
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3847+3.2 грн
15000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3847
G50N03D5 GOFORD-G50N03D5.pdf
G50N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G50N03D5 G50N03D5.pdf
G50N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
товар відсутній
G50N03D5 G50N03D5.pdf
G50N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.11 грн
10+ 35.62 грн
100+ 24.65 грн
500+ 19.33 грн
1000+ 16.45 грн
2000+ 14.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
G50N03J G50N03J.pdf
G50N03J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.32 грн
10+ 35.17 грн
100+ 24.34 грн
500+ 19.09 грн
1000+ 16.24 грн
2000+ 14.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
G50N03J GOFORD-G50N03J.pdf
G50N03J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G50N03K GOFORD-G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.98 грн
15000+ 9.76 грн
30000+ 8.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.89 грн
10+ 35.85 грн
100+ 24.92 грн
500+ 18.26 грн
1000+ 14.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
G58N06F G58N06F.pdf
G58N06F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30006 pF @ 30 V
товар відсутній
G58N06F GOFORD-G58N06F.pdf
G58N06F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
G58N06K G58N06K.pdf
G58N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
товар відсутній
G58N06K G58N06K.pdf
G58N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.67 грн
10+ 44.38 грн
100+ 29.06 грн
500+ 21.05 грн
1000+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]