Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (23433) > Сторінка 22 з 391

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 39 78 117 156 195 234 273 312 351 390 391  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TSF20L60C C0G TSF20L60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF20L45C-TSF20L60C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF30H150C C0G TSF30H150C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H100C%20SERIES%20_G14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
товар відсутній
TSF30H200C C0G TSF30H200C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H100C%20SERIES%20_G14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF30H60C C0G TSF30H60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H45C%20SERIES_C14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF30L120C C0G TSF30L120C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L100C%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF30L150C C0G TSF30L150C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L100C%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF30L200C C0G TSF30L200C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L100C-TSF30L200C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.04 грн
10+ 132.63 грн
100+ 106.61 грн
500+ 82.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
TSF30L60C C0G TSF30L60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L45C%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF30U100C C0G TSF30U100C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
товар відсутній
TSF30U120C C0G TSF30U120C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
товар відсутній
TSF30U45C C0G TSF30U45C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U45C_F14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF30U60C C0G TSF30U60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U60C_G2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF40H120C C0G TSF40H120C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF40H150C C0G TSF40H150C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H100C%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF40L100C C0G TSF40L100C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L100C%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF40L200C C0G TSF40L200C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.41 грн
10+ 152.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
TSH248CX RFG TSH248CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.38 грн
6000+ 19.05 грн
9000+ 17.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSH248CX RFG TSH248CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.28 грн
10+ 39.93 грн
25+ 34.41 грн
50+ 31.15 грн
100+ 26.53 грн
500+ 23.07 грн
1000+ 19.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSI10H100CW C0G TSI10H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товар відсутній
TSI10H120CW C0G TSI10H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI10H150CW C0G TSI10H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
товар відсутній
TSI10H200CW C0G TSI10H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
товар відсутній
TSI10L200CW C0G TSI10L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10L200CW_B2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.42 грн
10+ 112.81 грн
100+ 90.69 грн
500+ 69.92 грн
1000+ 57.93 грн
2000+ 53.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSI20H100CW C0G TSI20H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI20H120CW C0G TSI20H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI20H150CW C0G TSI20H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI20H200CW C0G TSI20H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI30H100CW C0G TSI30H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товар відсутній
TSI30H120CW C0G TSI30H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
товар відсутній
TSI30H150CW C0G TSI30H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW-TSI30H200CW_E2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI30H200CW C0G TSI30H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR_A1612.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR_A1612.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NA03CR_A1611.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NA03CR_A1611.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM020N04LCR RLG TSM020N04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM020N04LCR RLG TSM020N04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM024NA04LCR RLG TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM024NA04LCR RLG TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.8 грн
10+ 85.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM026NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM026NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
товар відсутній
TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM033NA04LCR RLG TSM033NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM033NA04LCR RLG TSM033NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.08 грн
10+ 89.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSM036N03PQ56 RLG TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
товар відсутній
TSM036N03PQ56 RLG TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.8 грн
10+ 46.24 грн
100+ 35.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.9 грн
5000+ 32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.43 грн
10+ 66.5 грн
100+ 51.7 грн
500+ 41.12 грн
1000+ 33.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.98 грн
5000+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 14177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.39 грн
10+ 99.31 грн
100+ 79.03 грн
500+ 62.76 грн
1000+ 53.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSM045NA03CR RLG TSM045NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
товар відсутній
TSM045NA03CR RLG TSM045NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.54 грн
10+ 46.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM052N06PQ56 RLG TSM052N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
товар відсутній
TSM052N06PQ56 RLG TSM052N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
товар відсутній
TSM055N03EPQ56 RLG TSM055N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM055N03EPQ56 RLG TSM055N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.02 грн
10+ 43.27 грн
100+ 29.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM055N03PQ56 RLG TSM055N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM055N03PQ56 RLG TSM055N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.02 грн
10+ 43.27 грн
100+ 29.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM05N03CW RPG TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM05N03CW Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.15 грн
5000+ 15.65 грн
12500+ 14.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSF20L60C C0G TSF20L45C-TSF20L60C_C2105.pdf
TSF20L60C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF30H150C C0G TSF30H100C%20SERIES%20_G14.pdf
TSF30H150C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
товар відсутній
TSF30H200C C0G TSF30H100C%20SERIES%20_G14.pdf
TSF30H200C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF30H60C C0G TSF30H45C%20SERIES_C14.pdf
TSF30H60C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF30L120C C0G TSF30L100C%20SERIES_B14.pdf
TSF30L120C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF30L150C C0G TSF30L100C%20SERIES_B14.pdf
TSF30L150C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF30L200C C0G TSF30L100C-TSF30L200C_C2105.pdf
TSF30L200C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.04 грн
10+ 132.63 грн
100+ 106.61 грн
500+ 82.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
TSF30L60C C0G TSF30L45C%20SERIES_E14.pdf
TSF30L60C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF30U100C C0G TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf
TSF30U100C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
товар відсутній
TSF30U120C C0G TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf
TSF30U120C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
товар відсутній
TSF30U45C C0G TSF30U45C_F14.pdf
TSF30U45C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF30U60C C0G TSF30U60C_G2105.pdf
TSF30U60C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF40H120C C0G TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf
TSF40H120C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF40H150C C0G TSF40H100C%20SERIES_B14.pdf
TSF40H150C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF40L100C C0G TSF40L100C%20SERIES_B14.pdf
TSF40L100C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSF40L200C C0G TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf
TSF40L200C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.41 грн
10+ 152.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
TSH248CX RFG
TSH248CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.38 грн
6000+ 19.05 грн
9000+ 17.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSH248CX RFG
TSH248CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.28 грн
10+ 39.93 грн
25+ 34.41 грн
50+ 31.15 грн
100+ 26.53 грн
500+ 23.07 грн
1000+ 19.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSI10H100CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товар відсутній
TSI10H120CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H120CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI10H150CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
товар відсутній
TSI10H200CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
товар відсутній
TSI10L200CW C0G TSI10L200CW_B2104.pdf
TSI10L200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.42 грн
10+ 112.81 грн
100+ 90.69 грн
500+ 69.92 грн
1000+ 57.93 грн
2000+ 53.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSI20H100CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI20H120CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H120CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI20H150CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI20H200CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI30H100CW C0G TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI30H100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товар відсутній
TSI30H120CW C0G TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI30H120CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
товар відсутній
TSI30H150CW C0G TSI30H100CW-TSI30H200CW_E2104.pdf
TSI30H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSI30H200CW C0G TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI30H200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR_A1612.pdf
TSM015NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR_A1612.pdf
TSM015NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR_A1611.pdf
TSM018NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR_A1611.pdf
TSM018NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM020N04LCR RLG
TSM020N04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM020N04LCR RLG
TSM020N04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM024NA04LCR RLG
TSM024NA04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM024NA04LCR RLG
TSM024NA04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.8 грн
10+ 85.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR_B1610.pdf
TSM026NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR_B1610.pdf
TSM026NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR_B1610.pdf
TSM033NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
товар відсутній
TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR_B1610.pdf
TSM033NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM033NA04LCR RLG
TSM033NA04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM033NA04LCR RLG
TSM033NA04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.08 грн
10+ 89.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSM036N03PQ56 RLG
TSM036N03PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
товар відсутній
TSM036N03PQ56 RLG
TSM036N03PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.8 грн
10+ 46.24 грн
100+ 35.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP_B1807.pdf
TSM040N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.9 грн
5000+ 32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP_B1807.pdf
TSM040N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.43 грн
10+ 66.5 грн
100+ 51.7 грн
500+ 41.12 грн
1000+ 33.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS_A14.pdf
TSM042N03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.98 грн
5000+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS_A14.pdf
TSM042N03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 14177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.39 грн
10+ 99.31 грн
100+ 79.03 грн
500+ 62.76 грн
1000+ 53.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSM045NA03CR RLG
TSM045NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
товар відсутній
TSM045NA03CR RLG
TSM045NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.54 грн
10+ 46.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM052N06PQ56 RLG
TSM052N06PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
товар відсутній
TSM052N06PQ56 RLG
TSM052N06PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
товар відсутній
TSM055N03EPQ56 RLG
TSM055N03EPQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM055N03EPQ56 RLG
TSM055N03EPQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.02 грн
10+ 43.27 грн
100+ 29.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM055N03PQ56 RLG
TSM055N03PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM055N03PQ56 RLG
TSM055N03PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.02 грн
10+ 43.27 грн
100+ 29.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM05N03CW RPG pdf.php?pn=TSM05N03CW
TSM05N03CW RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.15 грн
5000+ 15.65 грн
12500+ 14.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 39 78 117 156 195 234 273 312 351 390 391  [ Наступна Сторінка >> ]