Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (23688) > Сторінка 173 з 395

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 39 78 117 156 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 195 234 273 312 351 390 395  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
ES1DL MTG ES1DL MTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
ES1DL RTG ES1DL RTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
ES1DLHMQG ES1DLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
ES1DLHMTG ES1DLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
ES1DLHRTG ES1DLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
ES1DL RFG ES1DL RFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
ES1DLHRFG ES1DLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
ES1DLHRVG ES1DLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
5.0SMDJ54A M6G 5.0SMDJ54A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ54A M6G 5.0SMDJ54A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ20A M6G 5.0SMDJ20A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_D2102.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ20A M6G 5.0SMDJ20A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_D2102.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ24A M6G 5.0SMDJ24A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB
товар відсутній
5.0SMDJ24A M6G 5.0SMDJ24A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ28A M6G 5.0SMDJ28A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
товар відсутній
5.0SMDJ28A M6G 5.0SMDJ28A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ36A M6G 5.0SMDJ36A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB
товар відсутній
5.0SMDJ36A M6G 5.0SMDJ36A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ43A M6G 5.0SMDJ43A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 43V 69.4V DO214AB
товар відсутній
5.0SMDJ43A M6G 5.0SMDJ43A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 43V 69.4V DO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ26A M6G 5.0SMDJ26A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB
товар відсутній
5.0SMDJ26A M6G 5.0SMDJ26A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2J R5G ES2J R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
ES2J R5G ES2J R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
ES2JA R3G ES2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+20.87 грн
3600+ 18.45 грн
5400+ 17.61 грн
Мінімальне замовлення: 1800
ES2JA R3G ES2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.31 грн
10+ 47.22 грн
100+ 30.98 грн
500+ 22.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
ES2JAL M3G ES2JAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2JAL M3G ES2JAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2JFS M3G ES2JFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2JFS M3G ES2JFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2JA M2G ES2JA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товар відсутній
ES2JAHM2G ES2JAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товар відсутній
ES2JAHR3G ES2JAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
ES2J M4G ES2J M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
товар відсутній
ES2JHM4G ES2JHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
товар відсутній
ES2JHR5G ES2JHR5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
TS78L05CT A3G TS78L05CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TS78L00_M2206.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TS78L05CT A3G TS78L05CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TS78L00_M2206.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TS78L05CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TS78L00_M2206.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
S8JCH S8JCH Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH%20SERIES_B2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.91 грн
6000+ 15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
S8JCH S8JCH Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH%20SERIES_B2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
на замовлення 11921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.94 грн
10+ 43.34 грн
100+ 33.22 грн
500+ 24.65 грн
1000+ 19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
S8JC V7G S8JC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_G2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 850
S8JC V7G S8JC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_G2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.75 грн
10+ 63.62 грн
100+ 49.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
S8JC R7G S8JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_G2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.42 грн
10+ 40.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
S8JC M6G S8JC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_G2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
товар відсутній
S8JC V6G S8JC V6G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_F2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
товар відсутній
S8JCHM6G S8JCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH%20SERIES_B2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
товар відсутній
TSM60NB099CZ C0G TSM60NB099CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
товар відсутній
TSM60NB099PW C1G TSM60NB099PW C1G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.71 грн
25+ 452 грн
SMBJ64A M4G SMBJ64A M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товар відсутній
SMBJ64A R5G SMBJ64A R5G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товар відсутній
SMBJ64A R5G SMBJ64A R5G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товар відсутній
SMBJ64AHM4G SMBJ64AHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товар відсутній
SMBJ64AHR5G SMBJ64AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товар відсутній
MBRF1090CTHC0G MBRF1090CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_L13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товар відсутній
MBRF1090HC0G MBRF1090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035%20SERIES_L1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 10A ITO220AC
товар відсутній
SRF1090 C0G SRF1090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1020%20SERIES_K1706.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товар відсутній
SRF1090HC0G SRF1090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1020%20SERIES_K1706.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товар відсутній
SR1204 A0G SR1204 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1202%20SERIES_G2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 12A DO201AD
товар відсутній
TSM110NB04DCR RLG TSM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.56 грн
5000+ 31.69 грн
12500+ 30.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
ES1DL MTG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DL MTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
ES1DL RTG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DL RTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
ES1DLHMQG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DLHMQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
ES1DLHMTG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DLHMTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
ES1DLHRTG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DLHRTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
ES1DL RFG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DL RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
ES1DLHRFG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DLHRFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
ES1DLHRVG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товар відсутній
5.0SMDJ54A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ54A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ54A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ54A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ20A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_D2102.pdf
5.0SMDJ20A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ20A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_D2102.pdf
5.0SMDJ20A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ24A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ24A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB
товар відсутній
5.0SMDJ24A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ24A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ28A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ28A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
товар відсутній
5.0SMDJ28A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ28A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ36A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ36A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB
товар відсутній
5.0SMDJ36A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ36A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ43A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ43A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 43V 69.4V DO214AB
товар відсутній
5.0SMDJ43A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ43A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 43V 69.4V DO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5.0SMDJ26A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ26A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB
товар відсутній
5.0SMDJ26A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ26A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2J R5G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2J R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
ES2J R5G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2J R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
ES2JA R3G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2JA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1800+20.87 грн
3600+ 18.45 грн
5400+ 17.61 грн
Мінімальне замовлення: 1800
ES2JA R3G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2JA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.31 грн
10+ 47.22 грн
100+ 30.98 грн
500+ 22.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
ES2JAL M3G
ES2JAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2JAL M3G
ES2JAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2JFS M3G
ES2JFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2JFS M3G
ES2JFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2JA M2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2JA M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товар відсутній
ES2JAHM2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2JAHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товар відсутній
ES2JAHR3G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2JAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
ES2J M4G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2J M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
товар відсутній
ES2JHM4G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2JHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
товар відсутній
ES2JHR5G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2JHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
TS78L05CT A3G TS78L00_M2206.pdf
TS78L05CT A3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TS78L05CT A3G TS78L00_M2206.pdf
TS78L05CT A3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TS78L05CT B0G TS78L00_M2206.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
S8JCH S8GCH%20SERIES_B2210.pdf
S8JCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.91 грн
6000+ 15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
S8JCH S8GCH%20SERIES_B2210.pdf
S8JCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
на замовлення 11921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.94 грн
10+ 43.34 грн
100+ 33.22 грн
500+ 24.65 грн
1000+ 19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
S8JC V7G S8GC%20SERIES_G2210.pdf
S8JC V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 850
S8JC V7G S8GC%20SERIES_G2210.pdf
S8JC V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.75 грн
10+ 63.62 грн
100+ 49.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
S8JC R7G S8GC%20SERIES_G2210.pdf
S8JC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.42 грн
10+ 40.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
S8JC M6G S8GC%20SERIES_G2210.pdf
S8JC M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
товар відсутній
S8JC V6G S8GC%20SERIES_F2102.pdf
S8JC V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
товар відсутній
S8JCHM6G S8GCH%20SERIES_B2210.pdf
S8JCHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
товар відсутній
TSM60NB099CZ C0G
TSM60NB099CZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
товар відсутній
TSM60NB099PW C1G
TSM60NB099PW C1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+587.71 грн
25+ 452 грн
SMBJ64A M4G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ64A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товар відсутній
SMBJ64A R5G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ64A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товар відсутній
SMBJ64A R5G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ64A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товар відсутній
SMBJ64AHM4G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ64AHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товар відсутній
SMBJ64AHR5G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ64AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товар відсутній
MBRF1090CTHC0G MBRF1035CT%20SERIES_L13.pdf
MBRF1090CTHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товар відсутній
MBRF1090HC0G MBRF1035%20SERIES_L1512.pdf
MBRF1090HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 10A ITO220AC
товар відсутній
SRF1090 C0G SRF1020%20SERIES_K1706.pdf
SRF1090 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товар відсутній
SRF1090HC0G SRF1020%20SERIES_K1706.pdf
SRF1090HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товар відсутній
SR1204 A0G SR1202%20SERIES_G2105.pdf
SR1204 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 12A DO201AD
товар відсутній
TSM110NB04DCR RLG
TSM110NB04DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.56 грн
5000+ 31.69 грн
12500+ 30.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 39 78 117 156 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 195 234 273 312 351 390 395  [ Наступна Сторінка >> ]