2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.89 грн |
| 6000+ | 2.58 грн |
| 9000+ | 2.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції 2N7002KDW_R1_00001 за ціною від 1.93 грн до 18.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002KDW_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 18771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002KDW_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |
на замовлення 26348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N7002KDW_R1_00001 | Виробник : PanJit |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
2N7002KDW_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 800mA; 120mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.12W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N7002KDW-R1-00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-035TS |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N7002KDW_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 800mA; 120mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.12W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |