Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140827) > Сторінка 876 з 2348

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 871 872 873 874 875 876 877 878 879 880 881 936 1170 1404 1638 1872 2106 2340 2348  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
XSPS1M001A-05 onsemi Description: QC MOISTURE EPC=05
товар відсутній
FNA41560B5 onsemi Description: IPM SPM45 600V 15A EX
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 15 A
Voltage: 600 V
товар відсутній
NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC onsemi ntmfsc004n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 40 V
товар відсутній
NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC onsemi ntmfsc004n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 40 V
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.52 грн
10+ 155.55 грн
100+ 125.83 грн
500+ 104.97 грн
1000+ 89.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
NCV7805BDTRKG-IR01 onsemi Description: LINEAR VOLTAGE REGULATOR, POSITI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 68dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
834+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 834
CAT24C02YGE-T3 onsemi ONSM-S-A0002809179-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 256 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 2219
CAT24C02ZGI CAT24C02ZGI onsemi ONSM-S-A0002809179-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 256 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 2219
LV8860V-TLM-H LV8860V-TLM-H onsemi lv8860v?pdf= Description: IC MOTOR DRIVER 6V-34V 16SSOP
товар відсутній
LV8860V-MPB-H LV8860V-MPB-H onsemi ena1818-d.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 6V-34V 16SSOP
товар відсутній
SB007-03Q-TL-E SB007-03Q-TL-E onsemi sb007-03q-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: 3-MCP
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 70 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SB007-03Q-TL-E SB007-03Q-TL-E onsemi sb007-03q-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: 3-MCP
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 70 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 15 V
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.58 грн
15+ 19.41 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
SB007T03C-TB-E SB007T03C-TB-E onsemi Description: DIODE 30V 0.07A
Packaging: Bulk
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 1902
SB007-03SPA-AC onsemi SNYOD004-82.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 30V 70MA
Packaging: Bulk
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 2959
SB007W03C-TB-E SB007W03C-TB-E onsemi Description: DIODE
Packaging: Bulk
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 2959
SB007T03Q-TL-E onsemi Description: 30 V, 70 MILLI AMP SCHOTTKY BARR
Packaging: Bulk
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 2049
SB007W03Q-TL-E onsemi Description: DIODE
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 2959
FDMC6683PZ onsemi FDMC6683PZ_RevC3_9-26-13.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP
товар відсутній
NIV6350MT1GEVB onsemi nis6350-d.pdf Description: NIV6350MT1 EVAL BOARD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4744.61 грн
NIS5420MT7TXG NIS5420MT7TXG onsemi nis5420-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.43 грн
6000+ 43.95 грн
9000+ 42.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NIS5420MT7TXG NIS5420MT7TXG onsemi nis5420-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 28182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.29 грн
10+ 84.15 грн
100+ 66.96 грн
500+ 53.17 грн
1000+ 45.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
NIS5420MT5TXG NIS5420MT5TXG onsemi nis5420-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.95 грн
6000+ 49.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NIS5420MT5TXG NIS5420MT5TXG onsemi nis5420-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 29177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.06 грн
10+ 100.15 грн
100+ 80.45 грн
500+ 62.03 грн
1000+ 51.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NIS5420MT6TXG NIS5420MT6TXG onsemi nis5420-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NIS5420MT6TXG NIS5420MT6TXG onsemi nis5420-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 5398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.87 грн
10+ 118.69 грн
100+ 95.39 грн
500+ 73.55 грн
1000+ 60.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
NIV6350MT2GEVB NIV6350MT2GEVB onsemi nis6350-d.pdf Description: EVAL BOARD FOR NIV6350MT2
Packaging: Bulk
Function: Electronic Fuses (eFuse)
Type: Circuit Protection
Utilized IC / Part: NIV6350
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Auto-Retry
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4340.01 грн
NTLLD4951NFTWG NTLLD4951NFTWG onsemi design-resources?notFound=null Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 268
NVTFS4823NWFTWG NVTFS4823NWFTWG onsemi nvtfs4823n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWG NVTFS5820NLWFTWG onsemi nvtfs5820nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
товар відсутній
NTHL120N60S5Z NTHL120N60S5Z onsemi nthl120n60s5z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2088 pF @ 400 V
товар відсутній
LV8417CS-TE-L-H LV8417CS-TE-L-H onsemi ENA1996-D.PDF Description: IC MOTOR DRIVER 2.7V-5.5V 9WLP
товар відсутній
NDB7060 NDB7060 onsemi ndp7060-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
товар відсутній
NDB7050L NDB7050L onsemi NDP7050L.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
товар відсутній
NDB7050L NDB7050L onsemi NDP7050L.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
товар відсутній
NDB7060L NDB7060L onsemi NDP7060L,%20NDB7060L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
товар відсутній
NDB7050 NDB7050 onsemi NDP7050.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
товар відсутній
NDB7050 NDB7050 onsemi NDP7050.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
товар відсутній
NDH8447 NDH8447 onsemi NDH8447.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.4A SUPERSOT8
товар відсутній
NDH8447 NDH8447 onsemi NDH8447.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.4A SUPERSOT8
товар відсутній
NDH8436 NDH8436 onsemi NDH8436.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SUPERSOT8
товар відсутній
NDH8436 NDH8436 onsemi NDH8436.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SUPERSOT8
товар відсутній
2SD1815S-E 2SD1815S-E onsemi en2539-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 81165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
949+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 949
FAN6392MPX onsemi Description: IC USB-PD3.0/PPS CTRLR 24WQFN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 335
FDC5612-G FDC5612-G onsemi Description: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товар відсутній
2SC5347AE-TD-E 2SC5347AE-TD-E onsemi ena1087-d.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 1.3W
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 4.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PCP
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.11 грн
10+ 35.12 грн
100+ 24.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTR1P02LT1H NTR1P02LT1H onsemi ONSMS19747-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
товар відсутній
IRLM120ATF IRLM120ATF onsemi irlm120a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.15A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
958+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 958
NJVMJB42CT4G NJVMJB42CT4G onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
NJVMJB42CT4G NJVMJB42CT4G onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.8 грн
10+ 86.68 грн
100+ 67.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
NCP11187A065PG NCP11187A065PG onsemi ncp11184-d.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 80%
Frequency - Switching: 65kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.8V ~ 16V
Supplier Device Package: 7-PDIP
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 2.1 V
Control Features: EN
Part Status: Active
Power (Watts): 65 W
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.79 грн
10+ 171.34 грн
25+ 161.67 грн
100+ 121.37 грн
250+ 106.2 грн
500+ 103.17 грн
1000+ 80.58 грн
3000+ 77.6 грн
6000+ 74.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBGS2D5N06C NTBGS2D5N06C onsemi ntbgs2d5n06c-d.pdf Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V
товар відсутній
NTBGS2D5N06C NTBGS2D5N06C onsemi ntbgs2d5n06c-d.pdf Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.64 грн
10+ 338.99 грн
100+ 274.23 грн
CAT93C76VGI-T3 CAT93C76VGI-T3 onsemi ONSM-S-A0005006884-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 3 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Microwire
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 512 x 16, 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 2049
MUN5116DW1T1G MUN5116DW1T1G onsemi dta143td-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
MUN5116DW1T1G MUN5116DW1T1G onsemi dta143td-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.07 грн
15+ 19.41 грн
100+ 10.96 грн
500+ 6.81 грн
1000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVMUN5334DW1T1G NSVMUN5334DW1T1G onsemi dtc124xp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
товар відсутній
NSVMUN5334DW1T1G NSVMUN5334DW1T1G onsemi dtc124xp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
товар відсутній
NSVMUN5334DW1T1G NSVMUN5334DW1T1G onsemi dtc124xp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3184+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3184
NSVMUN5111DW1T3G NSVMUN5111DW1T3G onsemi dta114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NSVMUN5111DW1T3G NSVMUN5111DW1T3G onsemi dta114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.56 грн
20+ 14.85 грн
100+ 7.23 грн
500+ 5.66 грн
1000+ 3.93 грн
2000+ 3.41 грн
5000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
NCP662SQ15T1G NCP662SQ15T1G onsemi ncp662-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1.5V 100MA SC82AB
товар відсутній
XSPS1M001A-05
Виробник: onsemi
Description: QC MOISTURE EPC=05
товар відсутній
FNA41560B5
Виробник: onsemi
Description: IPM SPM45 600V 15A EX
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 15 A
Voltage: 600 V
товар відсутній
NTMFSC004N08MC ntmfsc004n08mc-d.pdf
NTMFSC004N08MC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 40 V
товар відсутній
NTMFSC004N08MC ntmfsc004n08mc-d.pdf
NTMFSC004N08MC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 40 V
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.52 грн
10+ 155.55 грн
100+ 125.83 грн
500+ 104.97 грн
1000+ 89.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
NCV7805BDTRKG-IR01
Виробник: onsemi
Description: LINEAR VOLTAGE REGULATOR, POSITI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 68dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
834+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 834
CAT24C02YGE-T3 ONSM-S-A0002809179-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 256 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 2219
CAT24C02ZGI ONSM-S-A0002809179-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
CAT24C02ZGI
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 256 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 2219
LV8860V-TLM-H lv8860v?pdf=
LV8860V-TLM-H
Виробник: onsemi
Description: IC MOTOR DRIVER 6V-34V 16SSOP
товар відсутній
LV8860V-MPB-H ena1818-d.pdf
LV8860V-MPB-H
Виробник: onsemi
Description: IC MOTOR DRIVER 6V-34V 16SSOP
товар відсутній
SB007-03Q-TL-E sb007-03q-d.pdf
SB007-03Q-TL-E
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: 3-MCP
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 70 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SB007-03Q-TL-E sb007-03q-d.pdf
SB007-03Q-TL-E
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: 3-MCP
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 70 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 15 V
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.58 грн
15+ 19.41 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
SB007T03C-TB-E
SB007T03C-TB-E
Виробник: onsemi
Description: DIODE 30V 0.07A
Packaging: Bulk
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1902+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 1902
SB007-03SPA-AC SNYOD004-82.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 70MA
Packaging: Bulk
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2959+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 2959
SB007W03C-TB-E
SB007W03C-TB-E
Виробник: onsemi
Description: DIODE
Packaging: Bulk
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2959+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 2959
SB007T03Q-TL-E
Виробник: onsemi
Description: 30 V, 70 MILLI AMP SCHOTTKY BARR
Packaging: Bulk
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2049+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 2049
SB007W03Q-TL-E
Виробник: onsemi
Description: DIODE
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2959+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 2959
FDMC6683PZ FDMC6683PZ_RevC3_9-26-13.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP
товар відсутній
NIV6350MT1GEVB nis6350-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: NIV6350MT1 EVAL BOARD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4744.61 грн
NIS5420MT7TXG nis5420-d.pdf
NIS5420MT7TXG
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+47.43 грн
6000+ 43.95 грн
9000+ 42.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NIS5420MT7TXG nis5420-d.pdf
NIS5420MT7TXG
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 28182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.29 грн
10+ 84.15 грн
100+ 66.96 грн
500+ 53.17 грн
1000+ 45.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
NIS5420MT5TXG nis5420-d.pdf
NIS5420MT5TXG
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+52.95 грн
6000+ 49.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NIS5420MT5TXG nis5420-d.pdf
NIS5420MT5TXG
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 29177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.06 грн
10+ 100.15 грн
100+ 80.45 грн
500+ 62.03 грн
1000+ 51.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NIS5420MT6TXG nis5420-d.pdf
NIS5420MT6TXG
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NIS5420MT6TXG nis5420-d.pdf
NIS5420MT6TXG
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10% 10WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 18V
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 5398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.87 грн
10+ 118.69 грн
100+ 95.39 грн
500+ 73.55 грн
1000+ 60.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
NIV6350MT2GEVB nis6350-d.pdf
NIV6350MT2GEVB
Виробник: onsemi
Description: EVAL BOARD FOR NIV6350MT2
Packaging: Bulk
Function: Electronic Fuses (eFuse)
Type: Circuit Protection
Utilized IC / Part: NIV6350
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Auto-Retry
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4340.01 грн
NTLLD4951NFTWG design-resources?notFound=null
NTLLD4951NFTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
268+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 268
NVTFS4823NWFTWG nvtfs4823n-d.pdf
NVTFS4823NWFTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWG nvtfs5820nl-d.pdf
NVTFS5820NLWFTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
товар відсутній
NTHL120N60S5Z nthl120n60s5z-d.pdf
NTHL120N60S5Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2088 pF @ 400 V
товар відсутній
LV8417CS-TE-L-H ENA1996-D.PDF
LV8417CS-TE-L-H
Виробник: onsemi
Description: IC MOTOR DRIVER 2.7V-5.5V 9WLP
товар відсутній
NDB7060 ndp7060-d.pdf
NDB7060
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
товар відсутній
NDB7050L NDP7050L.pdf
NDB7050L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
товар відсутній
NDB7050L NDP7050L.pdf
NDB7050L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
товар відсутній
NDB7060L NDP7060L,%20NDB7060L.pdf
NDB7060L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
товар відсутній
NDB7050 NDP7050.pdf
NDB7050
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
товар відсутній
NDB7050 NDP7050.pdf
NDB7050
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
товар відсутній
NDH8447 NDH8447.pdf
NDH8447
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4.4A SUPERSOT8
товар відсутній
NDH8447 NDH8447.pdf
NDH8447
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4.4A SUPERSOT8
товар відсутній
NDH8436 NDH8436.pdf
NDH8436
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SUPERSOT8
товар відсутній
NDH8436 NDH8436.pdf
NDH8436
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SUPERSOT8
товар відсутній
2SD1815S-E en2539-d.pdf
2SD1815S-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 81165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
949+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 949
FAN6392MPX
Виробник: onsemi
Description: IC USB-PD3.0/PPS CTRLR 24WQFN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
335+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 335
FDC5612-G
FDC5612-G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товар відсутній
2SC5347AE-TD-E ena1087-d.pdf
2SC5347AE-TD-E
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 1.3W
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 4.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PCP
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.11 грн
10+ 35.12 грн
100+ 24.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTR1P02LT1H ONSMS19747-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NTR1P02LT1H
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
товар відсутній
IRLM120ATF irlm120a-d.pdf
IRLM120ATF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.15A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
958+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 958
NJVMJB42CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB42CT4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
NJVMJB42CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB42CT4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.8 грн
10+ 86.68 грн
100+ 67.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
NCP11187A065PG ncp11184-d.pdf
NCP11187A065PG
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 80%
Frequency - Switching: 65kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.8V ~ 16V
Supplier Device Package: 7-PDIP
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 2.1 V
Control Features: EN
Part Status: Active
Power (Watts): 65 W
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.79 грн
10+ 171.34 грн
25+ 161.67 грн
100+ 121.37 грн
250+ 106.2 грн
500+ 103.17 грн
1000+ 80.58 грн
3000+ 77.6 грн
6000+ 74.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBGS2D5N06C ntbgs2d5n06c-d.pdf
NTBGS2D5N06C
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V
товар відсутній
NTBGS2D5N06C ntbgs2d5n06c-d.pdf
NTBGS2D5N06C
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.64 грн
10+ 338.99 грн
100+ 274.23 грн
CAT93C76VGI-T3 ONSM-S-A0005006884-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
CAT93C76VGI-T3
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 3 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Microwire
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 512 x 16, 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2049+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 2049
MUN5116DW1T1G dta143td-d.pdf
MUN5116DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
MUN5116DW1T1G dta143td-d.pdf
MUN5116DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.07 грн
15+ 19.41 грн
100+ 10.96 грн
500+ 6.81 грн
1000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVMUN5334DW1T1G dtc124xp-d.pdf
NSVMUN5334DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
товар відсутній
NSVMUN5334DW1T1G dtc124xp-d.pdf
NSVMUN5334DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
товар відсутній
NSVMUN5334DW1T1G dtc124xp-d.pdf
NSVMUN5334DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3184+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3184
NSVMUN5111DW1T3G dta114ed-d.pdf
NSVMUN5111DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NSVMUN5111DW1T3G dta114ed-d.pdf
NSVMUN5111DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.56 грн
20+ 14.85 грн
100+ 7.23 грн
500+ 5.66 грн
1000+ 3.93 грн
2000+ 3.41 грн
5000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
NCP662SQ15T1G ncp662-d.pdf
NCP662SQ15T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1.5V 100MA SC82AB
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 871 872 873 874 875 876 877 878 879 880 881 936 1170 1404 1638 1872 2106 2340 2348  [ Наступна Сторінка >> ]