Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140973) > Сторінка 1744 з 2350

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1880 2115 2350  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A ONSEMI RFD14N05SM9A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.95 грн
6+ 52.37 грн
25+ 40.41 грн
28+ 37.44 грн
76+ 35.41 грн
500+ 34.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A ONSEMI RFD16N05LSM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.86 грн
5+ 65.51 грн
20+ 52.57 грн
54+ 49.7 грн
500+ 47.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A ONSEMI RFD16N05SM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 72W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A ONSEMI RFD16N06LESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.78 грн
5+ 108.57 грн
11+ 95.59 грн
25+ 94.01 грн
30+ 90.37 грн
100+ 88.74 грн
500+ 86.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ONSEMI RFD3055LESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.35 грн
7+ 45.07 грн
25+ 34.88 грн
34+ 30.4 грн
93+ 28.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFP12N10L RFP12N10L ONSEMI RFP12N10L.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.13 грн
5+ 79.38 грн
17+ 60.62 грн
47+ 57.11 грн
500+ 54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RFP70N06 RFP70N06 ONSEMI RFP70N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.28 грн
3+ 164.23 грн
9+ 126.51 грн
23+ 119.49 грн
250+ 116.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGF1A RGF1A ONSEMI FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGF1B RGF1B ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGF1D RGF1D ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGF1G RGF1G ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.36 грн
25+ 19.25 грн
73+ 14.23 грн
199+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
RGF1J RGF1J ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGF1M RGF1M ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
RS1A RS1A ONSEMI RS1x.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Power dissipation: 1.19W
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+15.33 грн
50+ 13.41 грн
103+ 9.94 грн
283+ 9.4 грн
Мінімальне замовлення: 19
RS1D RS1D ONSEMI RS1x.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.47 грн
13+ 21.35 грн
25+ 12.3 грн
100+ 10.98 грн
112+ 9.22 грн
308+ 8.7 грн
7500+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
RS1G RS1G ONSEMI RS1x.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RS1J RS1J ONSEMI RS1x.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1.19W
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+28.38 грн
13+ 21.9 грн
25+ 16.69 грн
50+ 13.44 грн
100+ 10.72 грн
144+ 7.12 грн
396+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
RS1K RS1K ONSEMI RS1x.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RS1M RS1M ONSEMI RS1x.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.44 грн
15+ 18.52 грн
50+ 10.63 грн
100+ 8.52 грн
169+ 6.05 грн
463+ 5.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
RSL10-002GEVB ONSEMI rsl10-d.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: RSL10
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kind of connector: pin strips; pin strips; Pmod socket; USB micro
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSL10-COIN-GEVB ONSEMI RSL10-COIN-GEVB Development kits - others
товар відсутній
RSL10-SENSE-DB-GEVK ONSEMI RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Bluetooth board
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Type of development kit: evaluation
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSL10-SENSE-GEVK ONSEMI RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Bluetooth board
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Type of development kit: evaluation
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSL10-SIP-001GEVB ONSEMI Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Type of development kit: evaluation
Components: RSL10
Kind of connector: pin strips; pin strips; USB micro
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSL10-USB001GEVK ONSEMI RSL10_USB_Dongle_UG.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: RSL10
Type of development kit: evaluation
Interface: USB
Kind of connector: USB A plug
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Components: RSL10
Kit contents: prototype board
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RURP15100-F085 ONSEMI rurp15100_f085-d.pdf RURP15100-F085 THT universal diodes
товар відсутній
S1AFL S1AFL ONSEMI S1xFL.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 2us; SOD123F; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 4pF
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
S1B S1B ONSEMI ONSM-S-A0003590234-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 6.6pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+17.03 грн
35+ 7.94 грн
100+ 7.03 грн
180+ 5.87 грн
485+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
S1BFL S1BFL ONSEMI S1xFL.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 2us; SOD123F; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 4pF
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
S1D S1D ONSEMI S1x_ser.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 6.6pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.79 грн
50+ 6.73 грн
195+ 5.24 грн
535+ 4.96 грн
7500+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
S1G ONSEMI S1A-S1M%20N0560%20REV.B.pdf S1G-FAI SMD universal diodes
на замовлення 7498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.47 грн
180+ 5.71 грн
495+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
S1J ONSEMI S1A-S1M%20N0560%20REV.B.pdf S1J-FAI SMD universal diodes
товар відсутній
S1K S1K ONSEMI S1x_ser.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 6.6pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.62 грн
50+ 7.21 грн
180+ 5.78 грн
485+ 5.46 грн
7500+ 5.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
S1M S1M ONSEMI S1A.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 6.6pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+26.49 грн
15+ 18.52 грн
50+ 8.33 грн
100+ 5.83 грн
218+ 4.71 грн
250+ 4.3 грн
1000+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
S1MFL S1MFL ONSEMI S1xFL.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 2us; SOD123F; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 4pF
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
S2M S2M ONSEMI S2A.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 2A; SMB; Ifsm: 50A; 2.35W; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 30pF
Case: SMB
Max. forward impulse current: 50A
Power dissipation: 2.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+13.15 грн
50+ 10.4 грн
130+ 8.24 грн
340+ 7.8 грн
3000+ 7.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
S3D S3D ONSEMI S3A.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; SMC; Ifsm: 100A; 2.6W; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SMC
Capacitance: 60pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 2.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.4 грн
25+ 19.71 грн
70+ 14.74 грн
192+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
S3M S3M ONSEMI S3A.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMC; Ifsm: 100A; 2.6W; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 60pF
Case: SMC
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 2.6W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.4 грн
25+ 20.89 грн
76+ 13.28 грн
209+ 12.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
SBAS116LT1G SBAS116LT1G ONSEMI bas116lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 80nA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 80nA
Power dissipation: 0.225W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SBAS16DXV6T1G ONSEMI BAS16DXV6-D.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 6ns; SOT563; Ufmax: 1.25V; 500mW
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 100V
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 6ns
Capacitance: 2pF
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
SBAS16HT1G SBAS16HT1G ONSEMI BAS16HT1-D.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1.75V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 1A
Max. forward impulse current: 36A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
60+5.49 грн
100+ 4.75 грн
280+ 3.67 грн
780+ 3.47 грн
12000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 60
SBAS16HT3G SBAS16HT3G ONSEMI bas16ht1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 6ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SBAS16LT1G SBAS16LT1G ONSEMI BAS16LT1G.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+6.62 грн
60+ 4.74 грн
250+ 4.04 грн
280+ 3.7 грн
770+ 3.5 грн
3000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
SBAS16LT3G SBAS16LT3G ONSEMI BAS16LT1G.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
SBAS16WT1G ONSEMI bas16wt1-d.pdf SBAS16WT1G SMD universal diodes
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+32.26 грн
187+ 5.48 грн
513+ 5.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
SBAS16XV2T1G ONSEMI bas16xv2t1-d.pdf SBAS16XV2T1G SMD universal diodes
товар відсутній
SBAS16XV2T5G ONSEMI BAS16XV2T1-D.PDF SBAS16XV2T5G SMD universal diodes
на замовлення 11662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.5 грн
145+ 7.08 грн
400+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
SBAS20HT1G SBAS20HT1G ONSEMI bas20ht1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SBAS21DW5T1G ONSEMI bas19lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SC88A; Ufmax: 1.25V; 385mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double independent
Capacitance: 5pF
Case: SC88A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.385W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SBAS21DW5T3G ONSEMI bas19lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SC88A; Ufmax: 1.25V; 385mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double independent
Capacitance: 5pF
Case: SC88A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.385W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
SBAS21LT1G
+1
 		SBAS21LT1G ONSEMI bas19lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 385mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.385W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.44 грн
48+ 5.47 грн
100+ 4.74 грн
281+ 3.65 грн
772+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 22
SBAS21LT3G SBAS21LT3G ONSEMI bas19lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 385mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.385W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SBAS40-04LT1G SBAS40-04LT1G ONSEMI bas40-04lt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.12A; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+18.92 грн
21+ 13.05 грн
26+ 10.28 грн
100+ 5.84 грн
322+ 3.17 грн
884+ 3 грн
3000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
SBAS40-06LT1G SBAS40-06LT1G ONSEMI bas40-06lt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.12A; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.76 грн
20+ 13.96 грн
100+ 6.68 грн
301+ 3.41 грн
825+ 3.22 грн
3000+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 14
SBAS40LT1G SBAS40LT1G ONSEMI bas40lt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.12A; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SBAS70-04LT1G SBAS70-04LT1G ONSEMI bas70-04lt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 70mA; SOT23; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SBAT54ALT1G SBAT54ALT1G ONSEMI bat54alt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; SOT23; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SBAT54ALT3G SBAT54ALT3G ONSEMI bat54alt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; SOT23; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
SBAT54AWT1G SBAT54AWT1G ONSEMI bat54awt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; SOT323; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Case: SOT323
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A.pdf
RFD14N05SM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.95 грн
6+ 52.37 грн
25+ 40.41 грн
28+ 37.44 грн
76+ 35.41 грн
500+ 34.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM.pdf
RFD16N05LSM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.86 грн
5+ 65.51 грн
20+ 52.57 грн
54+ 49.7 грн
500+ 47.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD16N05SM9A RFD16N05SM.pdf
RFD16N05SM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 72W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM.pdf
RFD16N06LESM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.78 грн
5+ 108.57 грн
11+ 95.59 грн
25+ 94.01 грн
30+ 90.37 грн
100+ 88.74 грн
500+ 86.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD3055LESM9A RFD3055LESM.pdf
RFD3055LESM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.35 грн
7+ 45.07 грн
25+ 34.88 грн
34+ 30.4 грн
93+ 28.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFP12N10L description RFP12N10L.pdf
RFP12N10L
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.13 грн
5+ 79.38 грн
17+ 60.62 грн
47+ 57.11 грн
500+ 54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFP50N06 RFP50N06.pdf
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RFP70N06 RFP70N06.pdf
RFP70N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.28 грн
3+ 164.23 грн
9+ 126.51 грн
23+ 119.49 грн
250+ 116.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGF1A FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGF1B ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1B
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGF1D ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGF1G ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.36 грн
25+ 19.25 грн
73+ 14.23 грн
199+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
RGF1J ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGF1M ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
RS1A RS1x.pdf
RS1A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Power dissipation: 1.19W
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+15.33 грн
50+ 13.41 грн
103+ 9.94 грн
283+ 9.4 грн
Мінімальне замовлення: 19
RS1D RS1x.pdf
RS1D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.47 грн
13+ 21.35 грн
25+ 12.3 грн
100+ 10.98 грн
112+ 9.22 грн
308+ 8.7 грн
7500+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
RS1G RS1x.pdf
RS1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RS1J RS1x.pdf
RS1J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1.19W
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.38 грн
13+ 21.9 грн
25+ 16.69 грн
50+ 13.44 грн
100+ 10.72 грн
144+ 7.12 грн
396+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
RS1K RS1x.pdf
RS1K
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RS1M RS1x.pdf
RS1M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
15+ 18.52 грн
50+ 10.63 грн
100+ 8.52 грн
169+ 6.05 грн
463+ 5.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
RSL10-002GEVB rsl10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: RSL10
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kind of connector: pin strips; pin strips; Pmod socket; USB micro
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSL10-COIN-GEVB
Виробник: ONSEMI
RSL10-COIN-GEVB Development kits - others
товар відсутній
RSL10-SENSE-DB-GEVK RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Bluetooth board
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Type of development kit: evaluation
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSL10-SENSE-GEVK RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Bluetooth board
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Type of development kit: evaluation
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSL10-SIP-001GEVB
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Type of development kit: evaluation
Components: RSL10
Kind of connector: pin strips; pin strips; USB micro
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSL10-USB001GEVK RSL10_USB_Dongle_UG.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: RSL10
Type of development kit: evaluation
Interface: USB
Kind of connector: USB A plug
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Components: RSL10
Kit contents: prototype board
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RURP15100-F085 rurp15100_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
RURP15100-F085 THT universal diodes
товар відсутній
S1AFL S1xFL.pdf
S1AFL
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 2us; SOD123F; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 4pF
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
S1B ONSM-S-A0003590234-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
S1B
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 6.6pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+17.03 грн
35+ 7.94 грн
100+ 7.03 грн
180+ 5.87 грн
485+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
S1BFL S1xFL.pdf
S1BFL
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 2us; SOD123F; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 4pF
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
S1D S1x_ser.pdf
S1D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 6.6pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+10.79 грн
50+ 6.73 грн
195+ 5.24 грн
535+ 4.96 грн
7500+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
S1G S1A-S1M%20N0560%20REV.B.pdf
Виробник: ONSEMI
S1G-FAI SMD universal diodes
на замовлення 7498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.47 грн
180+ 5.71 грн
495+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
S1J S1A-S1M%20N0560%20REV.B.pdf
Виробник: ONSEMI
S1J-FAI SMD universal diodes
товар відсутній
S1K S1x_ser.pdf
S1K
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 6.6pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.62 грн
50+ 7.21 грн
180+ 5.78 грн
485+ 5.46 грн
7500+ 5.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
S1M S1A.pdf
S1M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 6.6pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.49 грн
15+ 18.52 грн
50+ 8.33 грн
100+ 5.83 грн
218+ 4.71 грн
250+ 4.3 грн
1000+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
S1MFL S1xFL.pdf
S1MFL
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 2us; SOD123F; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 4pF
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
S2M S2A.pdf
S2M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 2A; SMB; Ifsm: 50A; 2.35W; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 30pF
Case: SMB
Max. forward impulse current: 50A
Power dissipation: 2.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.15 грн
50+ 10.4 грн
130+ 8.24 грн
340+ 7.8 грн
3000+ 7.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
S3D S3A.pdf
S3D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; SMC; Ifsm: 100A; 2.6W; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SMC
Capacitance: 60pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 2.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.4 грн
25+ 19.71 грн
70+ 14.74 грн
192+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
S3M S3A.pdf
S3M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMC; Ifsm: 100A; 2.6W; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 60pF
Case: SMC
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 2.6W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.4 грн
25+ 20.89 грн
76+ 13.28 грн
209+ 12.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
SBAS116LT1G bas116lt1-d.pdf
SBAS116LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 80nA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 80nA
Power dissipation: 0.225W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SBAS16DXV6T1G BAS16DXV6-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 6ns; SOT563; Ufmax: 1.25V; 500mW
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 100V
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 6ns
Capacitance: 2pF
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
SBAS16HT1G BAS16HT1-D.pdf
SBAS16HT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1.75V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 1A
Max. forward impulse current: 36A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+5.49 грн
100+ 4.75 грн
280+ 3.67 грн
780+ 3.47 грн
12000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 60
SBAS16HT3G bas16ht1-d.pdf
SBAS16HT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 6ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SBAS16LT1G BAS16LT1G.PDF
SBAS16LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+6.62 грн
60+ 4.74 грн
250+ 4.04 грн
280+ 3.7 грн
770+ 3.5 грн
3000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
SBAS16LT3G BAS16LT1G.PDF
SBAS16LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
SBAS16WT1G bas16wt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
SBAS16WT1G SMD universal diodes
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.26 грн
187+ 5.48 грн
513+ 5.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
SBAS16XV2T1G bas16xv2t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
SBAS16XV2T1G SMD universal diodes
товар відсутній
SBAS16XV2T5G BAS16XV2T1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
SBAS16XV2T5G SMD universal diodes
на замовлення 11662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.5 грн
145+ 7.08 грн
400+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
SBAS20HT1G bas20ht1-d.pdf
SBAS20HT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SBAS21DW5T1G bas19lt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SC88A; Ufmax: 1.25V; 385mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double independent
Capacitance: 5pF
Case: SC88A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.385W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SBAS21DW5T3G bas19lt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SC88A; Ufmax: 1.25V; 385mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double independent
Capacitance: 5pF
Case: SC88A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.385W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
SBAS21LT1G bas19lt1-d.pdf
SBAS21LT1G
+1
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 385mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.385W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.44 грн
48+ 5.47 грн
100+ 4.74 грн
281+ 3.65 грн
772+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 22
SBAS21LT3G bas19lt1-d.pdf
SBAS21LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 385mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.385W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SBAS40-04LT1G bas40-04lt1-d.pdf
SBAS40-04LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.12A; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+18.92 грн
21+ 13.05 грн
26+ 10.28 грн
100+ 5.84 грн
322+ 3.17 грн
884+ 3 грн
3000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
SBAS40-06LT1G bas40-06lt1-d.pdf
SBAS40-06LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.12A; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.76 грн
20+ 13.96 грн
100+ 6.68 грн
301+ 3.41 грн
825+ 3.22 грн
3000+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 14
SBAS40LT1G bas40lt1-d.pdf
SBAS40LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.12A; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SBAS70-04LT1G bas70-04lt1-d.pdf
SBAS70-04LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 70mA; SOT23; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SBAT54ALT1G bat54alt1-d.pdf
SBAT54ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; SOT23; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SBAT54ALT3G bat54alt1-d.pdf
SBAT54ALT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; SOT23; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
SBAT54AWT1G bat54awt1-d.pdf
SBAT54AWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; SOT323; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Case: SOT323
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1880 2115 2350  [ Наступна Сторінка >> ]