Продукція > ONSEMI > RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A

RFD16N06LESM9A onsemi

rfd16n06lesm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD16N06LESM9A onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFD16N06LESM9A за ціною від 52.99 грн до 142.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+84.43 грн
500+ 63.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ONSEMI RFD16N06LESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.76 грн
5+ 86.39 грн
11+ 78.89 грн
25+ 77.68 грн
30+ 74.59 грн
100+ 73.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : onsemi rfd16n06lesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.64 грн
10+ 98.8 грн
100+ 78.64 грн
500+ 62.45 грн
1000+ 52.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : onsemi / Fairchild RFD16N06LESM_D-2319802.pdf MOSFET 60V Single
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.4 грн
10+ 103.39 грн
100+ 73.87 грн
250+ 73.18 грн
500+ 60.98 грн
1000+ 55.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ONSEMI RFD16N06LESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.71 грн
5+ 107.65 грн
11+ 94.67 грн
25+ 93.21 грн
30+ 89.51 грн
100+ 87.99 грн
500+ 86.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+142.29 грн
10+ 107.89 грн
100+ 84.43 грн
500+ 63.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Виробник : ON Semiconductor 3671840288389670rfd16n06lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній