RFP12N10L onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.68 грн |
| 50+ | 64.68 грн |
| 100+ | 51.26 грн |
| 500+ | 40.77 грн |
| 1000+ | 33.21 грн |
| 2000+ | 31.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFP12N10L onsemi
Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RFP12N10L за ціною від 24.43 грн до 103.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFP12N10L | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RFP12N10L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RFP12N10L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RFP12N10L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET TO-220AB N-Ch Power |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RFP12N10L | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RFP12N10L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFP12N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RFP12N10L | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| RFP12N10L | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 12A 100V 60W 0.20Ω RFP12N10L TRFP12N10l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
RFP12N10L Код товару: 86863 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
RFP12N10L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |