НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UMD03-0402
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD03-523
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD03-723
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD03B
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD03B-323
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD03LA-323
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD03T-523
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD05-0402
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD05-323
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD05-523
на замовлення 21080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD0504F
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD0521P
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD05B
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD05B-323
на замовлення 63500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD05B-523
на замовлення 63350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD08-523
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD1 N TRROHM
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD10N
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD10N-TPMicro Commercial ComponentsDigital Transistors
товару немає в наявності
UMD10NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
6000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD10NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.57 грн
16+ 19.37 грн
25+ 17.71 грн
100+ 12.38 грн
250+ 11.22 грн
500+ 9.28 грн
1000+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
UMD12 N TRROHM09+
на замовлення 60018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12 NTRROHM
на замовлення 34630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12 N TRROHMSOT363-D12
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12 N TR SOT363-D12ROHM
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12 N TR SOT363-D12ROHM
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12-323
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12-N-TR
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12-NTRSOT363-D12
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12.N.TR
на замовлення 12673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12/D12
на замовлення 288200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12N
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12N-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
UMD12NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
UMD12NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
UMD12NFHATRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.24 грн
14+ 21.96 грн
100+ 11.09 грн
500+ 9.22 грн
1000+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD12NFHATRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD12NFHATRROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGITAL NPN+PNP
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
13+ 25.14 грн
100+ 9.79 грн
1000+ 7.66 грн
3000+ 6.53 грн
9000+ 5.89 грн
24000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD12NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
6000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD12NHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD12NHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.99 грн
16+ 21.63 грн
100+ 12.77 грн
1000+ 7.45 грн
3000+ 6.53 грн
9000+ 5.75 грн
24000+ 5.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
UMD12NHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
UMD12NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.8 грн
17+ 18.11 грн
100+ 10.86 грн
500+ 9.44 грн
1000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
UMD12NHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
UMD12NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA
на замовлення 10829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.74 грн
12+ 29.55 грн
100+ 16.04 грн
500+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 9
UMD12NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD12NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 9310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+6.21 грн
100+ 3.86 грн
250+ 3.42 грн
280+ 3.17 грн
750+ 3 грн
3000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 70
UMD12NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.24 грн
14+ 21.96 грн
100+ 11.09 грн
500+ 9.23 грн
1000+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD12NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+7.45 грн
60+ 4.81 грн
250+ 4.1 грн
280+ 3.81 грн
750+ 3.6 грн
3000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 40
UMD12NTRSOT363-D12ROHM
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12VL-235
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD12VL-705
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD15D15
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD15NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
UMD16N
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD18N-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
UMD1N
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD1NTR
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2 N TRROHMSOT26/SOT363
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2 N TRROHMSOT26
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2 NTRROHM97+
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2 TRROHMSOT363
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2/D2ROHMSOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD22
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD22-N-TR
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD22/D22ROHM
на замовлення 10151 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD22N
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD22NYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.11 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.82 грн
60000+ 1.59 грн
120000+ 1.46 грн
300000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD22N-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
UMD22N-TPMicro Commercial ComponentsDigital Transistors
товару немає в наявності
UMD22N-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Dual Digital Transistors
товару немає в наявності
UMD22NFHATRROHM SemiconductorDigital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
15+ 22.44 грн
100+ 9.3 грн
1000+ 8.02 грн
3000+ 6.32 грн
9000+ 5.39 грн
24000+ 5.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD22NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
UMD22NFHATRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R
на замовлення 23350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
667+18.26 грн
732+ 16.63 грн
737+ 16.54 грн
1000+ 13.01 грн
2000+ 11.23 грн
3000+ 7.39 грн
12000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 667
UMD22NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.01 грн
16+ 19.66 грн
100+ 12.43 грн
500+ 8.75 грн
1000+ 7.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD22NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.31 грн
500+ 8.72 грн
1000+ 6.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
UMD22NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD22NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.05 грн
32+ 25.4 грн
100+ 11.31 грн
500+ 8.72 грн
1000+ 6.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
UMD22NFHATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
UMD22NHE3-TPMicro Commercial ComponentsPre-biased TransistorsSOT-363
товару немає в наявності
UMD22NHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN & PNP 50Vcc -5Vin 30V
товару немає в наявності
UMD22NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
UMD22NTRROHM SEMICONDUCTORUMD22NTR Complementary transistors
товару немає в наявності
UMD22NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
товару немає в наявності
UMD22NTRROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL DIGITAL SMT PNP/NPN
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
15+ 23.1 грн
100+ 12.35 грн
1000+ 7.95 грн
3000+ 6.25 грн
9000+ 5.75 грн
24000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMD22NTR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD22NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
товару немає в наявності
UMD25NTRROHM SemiconductorDigital Transistors UMD25N is a digital transistor contains a DTA123J chip and a DTC123J chip in a UMT package, therefore the mounting cost and area can be cut in half. It is suitable for inverter, interface, driver applications.
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.06 грн
16+ 21.14 грн
100+ 8.23 грн
1000+ 6.39 грн
3000+ 5.54 грн
9000+ 4.9 грн
24000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMD25NTRRohm SemiconductorDescription: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 11840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.64 грн
16+ 19.07 грн
100+ 9.6 грн
500+ 7.98 грн
1000+ 6.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMD25NTRRohm SemiconductorDescription: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.15 грн
6000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD2AROHM
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2NROHM03/04+ SOT-363
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2NROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
UMD2N-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN and PNP l Digital Transistors
товару немає в наявності
UMD2N-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
UMD2N-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
UMD2N-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1715+7.1 грн
1878+ 6.48 грн
2190+ 5.56 грн
2315+ 5.07 грн
3000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 1715
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+5.55 грн
154+ 3.92 грн
156+ 3.88 грн
157+ 3.71 грн
262+ 2.06 грн
356+ 1.45 грн
500+ 1.44 грн
1000+ 0.72 грн
Мінімальне замовлення: 109
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+18.31 грн
690+ 17.66 грн
1000+ 17.08 грн
2500+ 15.98 грн
Мінімальне замовлення: 665
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UMD2N.TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.93 грн
37+ 22.05 грн
100+ 10.67 грн
500+ 7.84 грн
1000+ 5.32 грн
5000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 25
UMD2NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
13+ 22.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD2NFHATRROHM SEMICONDUCTORUMD2NFHATR Complementary transistors
товару немає в наявності
UMD2NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
UMD2NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.67 грн
500+ 7.84 грн
1000+ 5.32 грн
5000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
UMD2NFHATRROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGITAL NPN+PNP
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
13+ 25.14 грн
100+ 11.78 грн
1000+ 7.88 грн
3000+ 6.88 грн
9000+ 5.46 грн
45000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD2NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
UMD2NHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.55 грн
14+ 23.42 грн
100+ 12.7 грн
1000+ 6.88 грн
3000+ 5.96 грн
9000+ 5.18 грн
24000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
UMD2NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
UMD2NHE3-TPMicro Commercial ComponentsPre-biased Transistors SOT-363
товару немає в наявності
UMD2NHE3-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
UMD2NHE3-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
UMD2NTLROHM09+
на замовлення 27313 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.8 грн
19+ 15.6 грн
100+ 10.5 грн
500+ 7.62 грн
1000+ 6.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
UMD2NTRROHMDescription: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
UMD2NTRROHMSOT-363
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD2NTRROHM SemiconductorDigital Transistors NPN/PNP 50V 30MA
на замовлення 8608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.44 грн
14+ 24.65 грн
100+ 9.65 грн
1000+ 7.52 грн
3000+ 6.32 грн
9000+ 5.75 грн
24000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD2NTRROHM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2NTRROHM SEMICONDUCTORUMD2NTR Complementary transistors
товару немає в наявності
UMD2TL
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2TR(D2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD2\D2ROHMSOT-353
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 N TRROHMSOT363-D3
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 N TRROHMSOT26/SOT363
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 N TRROHMSOT26
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 N TR SOT363-D3ROHM
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 N TR SOT363-D3ROHM
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 N TR/D3ROHMSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 NFHATRROHMSOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 NFHATRROHMSOT23
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 NTRROHMSOT23-6
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 NTRROHM
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3 TRROHM
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3(D3)ROHM95 SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3-N-TRROHMSOT23
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3/D3ROHM00+ SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD36B
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3NROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
UMD3NROHM03/04+ SOT363
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3NYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.3 грн
15000+ 2.07 грн
30000+ 2 грн
60000+ 1.73 грн
120000+ 1.6 грн
300000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD3NROHM
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3NYangjie Electronic TechnologyUMD3N
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 6303
UMD3N-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
UMD3N-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
UMD3N-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
UMD3N-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN and PNP l Digital Transistors
товару немає в наявності
UMD3N-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
UMD3N-TPQ2Micro Commercial CoDescription: PRE-BIASED TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
UMD3N.TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3NFHAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
UMD3NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.01 грн
14+ 22.55 грн
100+ 11.36 грн
500+ 9.44 грн
1000+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD3NFHATRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
858+14.2 грн
938+ 12.98 грн
945+ 12.89 грн
1091+ 10.76 грн
2000+ 9.24 грн
3000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 858
UMD3NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 0
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.23 грн
500+ 7.91 грн
1500+ 7.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
UMD3NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
6000+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD3NFHATRROHM SEMICONDUCTORUMD3NFHATR Complementary transistors
товару немає в наявності
UMD3NFHATRROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGITAL PNP+NPN
на замовлення 34746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.44 грн
14+ 23.51 грн
100+ 9.65 грн
1000+ 7.59 грн
3000+ 5.89 грн
9000+ 5.39 грн
24000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD3NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 0
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.95 грн
50+ 18.63 грн
100+ 11.23 грн
500+ 7.91 грн
1500+ 7.17 грн
Мінімальне замовлення: 31
UMD3NHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN & PNP 50Vcc -10Vin 40V
товару немає в наявності
UMD3NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
UMD3NTLROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3NTLROHM97+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3NTL/D3ROHM
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.4 грн
6000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD3NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 98
UMD3NTR
Код товару: 189190
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товару немає в наявності
UMD3NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1274+9.56 грн
1316+ 9.25 грн
2500+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 1274
UMD3NTRROHM SemiconductorDigital Transistors NPN/PNP 50V 50MA
на замовлення 29481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.37 грн
17+ 20.08 грн
100+ 8.23 грн
1000+ 6.53 грн
3000+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
UMD3NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 201539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.41 грн
16+ 19.37 грн
100+ 9.76 грн
500+ 8.12 грн
1000+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
UMD3NTR
Код товару: 110590
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
UMD3NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+21.3 грн
1530+ 7.96 грн
1647+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 572
UMD3NTRROHM SEMICONDUCTORUMD3NTR Complementary transistors
товару немає в наявності
UMD3NTR(D3)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3NTRSOT363
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3P
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3T2R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD3Z1TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD4N
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD4NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
товару немає в наявності
UMD4NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN
на замовлення 6983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.26 грн
12+ 27.67 грн
100+ 13.63 грн
500+ 9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
UMD4NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.33 грн
16+ 18.48 грн
100+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
UMD4NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.64 грн
16+ 19.66 грн
100+ 11.16 грн
500+ 6.93 грн
1000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMD4NTRROHM SEMICONDUCTORUMD4NTR Complementary transistors
товару немає в наявності
UMD5ROHM
на замовлення 17900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD5ROHMSOT-363
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD5N
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD5NTRROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/NPN
на замовлення 8365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.48 грн
19+ 17.38 грн
100+ 7.1 грн
1000+ 6.1 грн
3000+ 3.55 грн
9000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMD5NTRROHM05+ SOT363
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD5NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1274+9.56 грн
1316+ 9.25 грн
2500+ 8.97 грн
5000+ 8.43 грн
10000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 1274
UMD5NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
товару немає в наявності
UMD5NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1274+9.56 грн
1316+ 9.25 грн
2500+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 1274
UMD5NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+31.35 грн
390+ 31.24 грн
420+ 29.01 грн
500+ 25.53 грн
1000+ 20.29 грн
Мінімальне замовлення: 389
UMD5NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30...68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+7.17 грн
60+ 4.66 грн
250+ 3.96 грн
290+ 3.58 грн
800+ 3.39 грн
3000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 40
UMD5NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1274+9.56 грн
1316+ 9.25 грн
2500+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 1274
UMD5NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.33 грн
20+ 15.23 грн
100+ 9.56 грн
500+ 6.66 грн
1000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
UMD5NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30...68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.97 грн
100+ 3.74 грн
250+ 3.3 грн
290+ 2.99 грн
800+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 70
UMD5V-235
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD5V-553
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD5V-563UMDSOT-563 08+
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD5V-705
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD5V-706UMD0909+ SC70-6
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD5V-953
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD6/D6
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD6B-TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD6D-100
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD6D-100L
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD6JN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD6N
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD6N-TR
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD6NFHAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
UMD6NFHATNROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
UMD6NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.01 грн
16+ 19.66 грн
100+ 12.43 грн
500+ 8.75 грн
1000+ 7.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD6NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.3 грн
6000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD6NFHATRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
16+ 20.89 грн
100+ 9.79 грн
1000+ 7.66 грн
3000+ 5.89 грн
24000+ 5.46 грн
45000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD6NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.94 грн
15+ 20.4 грн
100+ 10.3 грн
500+ 8.57 грн
1000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
UMD6NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 100MA
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.02 грн
13+ 25.79 грн
100+ 13.98 грн
500+ 9.58 грн
1000+ 7.38 грн
3000+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD6NTRROHM SEMICONDUCTORUMD6NTR Complementary transistors
товару немає в наявності
UMD6NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.6 грн
6000+ 6.22 грн
9000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD6NTR
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD6NTR(D6)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD6TL
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD714
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD716
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD7423
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD8D-100L
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD8N
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD9 N TRROHMSOT26/SOT363
на замовлення 11631 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD9/D9ROHM
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD9N
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMD9N-13PMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
UMD9N-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
UMD9NFHATRROHM SEMICONDUCTORUMD9NFHATR Complementary transistors
товару немає в наявності
UMD9NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.01 грн
14+ 22.62 грн
100+ 11.4 грн
500+ 9.48 грн
1000+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD9NFHATRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMD9NFHATRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuit
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.57 грн
11+ 30.12 грн
100+ 16.32 грн
500+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
UMD9NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
UMD9NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 44404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.24 грн
14+ 21.96 грн
100+ 11.09 грн
500+ 9.23 грн
1000+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD9NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 70MA
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.02 грн
13+ 25.87 грн
100+ 14.05 грн
500+ 9.58 грн
1000+ 7.38 грн
3000+ 6.32 грн
9000+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMD9NTRROHM SEMICONDUCTORUMD9NTR Complementary transistors
товару немає в наявності
UMD9NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
6000+ 6.69 грн
9000+ 5.93 грн
30000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMDSR05
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)