UMD2N-TR Rohm Semiconductor
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
109+ | 5.55 грн |
154+ | 3.92 грн |
156+ | 3.88 грн |
157+ | 3.71 грн |
262+ | 2.06 грн |
356+ | 1.45 грн |
500+ | 1.44 грн |
1000+ | 0.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMD2N-TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMD2N Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UMD2N-TR за ціною від 4.39 грн до 35.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UMD2NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2N-TR | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2N-TR | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 4228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN/PNP 50V 30MA |
на замовлення 8608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2N-TR | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
UMD2 NTR | Виробник : ROHM | 97+ |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMD2 N TR | Виробник : ROHM | SOT26 |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMD2 N TR | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM | SOT-363 |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMD2N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR | UMD2NTR Complementary transistors |
товару немає в наявності |