UMD5NTR ROHM SEMICONDUCTOR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30...68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 6.05 грн |
| 100+ | 3.79 грн |
| 250+ | 3.34 грн |
| 290+ | 3.04 грн |
| 800+ | 2.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMD5NTR ROHM SEMICONDUCTOR
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms, Supplier Device Package: UMT6.
Інші пропозиції UMD5NTR за ціною від 3.36 грн до 31.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UMD5NTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 30...68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 47/4.7kΩ Base-emitter resistor: 47/10kΩ кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UMD5NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UMD5NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UMD5NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UMD5NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW, 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UMD5NTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL PNP/NPN |
на замовлення 8365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UMD5NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| UMD5NTR | Виробник : ROHM |
05+ SOT363 |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
UMD5NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW, 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
товар відсутній |