![UMD12NTR UMD12NTR](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/846;UMT6;UM;6.jpg)
UMD12NTR Rohm Semiconductor
![datasheet?p=UMD12N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMD12NTR Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: UMT6.
Інші пропозиції UMD12NTR за ціною від 3.56 грн до 39.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UMD12NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 4779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
UMD12NTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
UMD12NTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 11940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMD12-N-TR |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
UMD12 NTR | Виробник : ROHM |
на замовлення 34630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
UMD12 N TR | Виробник : ROHM | 09+ |
на замовлення 60018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
UMD12 N TR | Виробник : ROHM | SOT363-D12 |
на замовлення 438000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |