Продукція > SQ9

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ90501+
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905-CQSQO436
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905-L
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905-PVQSQ0318+ QFP
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905B0203+
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905B-CQ02+
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905b-HVQ
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905b-IVQ
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905b-lVQ0234+
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905BCQSQ TechnQFP 04+
на замовлення 11748 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905BHVLSQ TechnLQFQ 04+
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905BHVQSQ TechnQPF 04+
на замовлення 10224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905CSQ TechnLQFP100 04+
на замовлення 10840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905C-D
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905C-LSQ05/04+
на замовлення 886 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ905CQSQ
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ906-LSQ0345+
на замовлення 41166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ907B-L
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ908
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ908DIE 06+
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ909-D
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ909-L
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ913C-L
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ913D-LTECHNOLOGY425 LQFP128
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ913D-LSQ Technolog2004
на замовлення 83629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ913D-LTECHNOLOGYLQFP128 425
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ913D-LSQQFP128
на замовлення 86246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ915
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ915D
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ915D-LSQ Technolog2004
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ916B-L
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ916D07+
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ917A-L
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ930B-B
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ930B-L
на замовлення 13652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ930C-LSQQFP
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ930C-LSQ TechnLQFP 04+
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ931CV-LSQTECH07+ QFP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ931DV-F
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ931PA-LSQ Technolog2007
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ9407EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9407EY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ9407EY-T1_GE3
товар відсутній
SQ9407EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SQ9407EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.83 грн
10+ 62.67 грн
100+ 48.72 грн
500+ 38.75 грн
1000+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ9407EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9407EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SQ9407EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9407EY-T1_BE3
Код товару: 198760		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SQ9407EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60 V
на замовлення 77330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.92 грн
10+ 69.92 грн
100+ 47.3 грн
500+ 40.06 грн
1000+ 32.68 грн
2500+ 28.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ9407EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.19 грн
500+ 43.42 грн
1000+ 32.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ9407EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.83 грн
10+ 62.67 грн
100+ 48.72 грн
500+ 38.75 грн
1000+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ9407EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.17 грн
50+ 65.68 грн
100+ 55.19 грн
500+ 43.42 грн
1000+ 32.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
SQ9407EY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.92 грн
10+ 69.92 грн
100+ 47.3 грн
500+ 40.06 грн
1000+ 32.68 грн
2500+ 30.71 грн
5000+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ9407EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.88 грн
5000+ 30.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SQ9407EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SQ9505AE/FFLR3-511na02+
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ9945AEY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ9945AEY-T1VishayMOSFET
товар відсутній
SQ9945AEY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ9945AEY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9945AEY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V
товар відсутній
SQ9945AEY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SQ9945AEY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ9945BEY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ9945BEY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ9945BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9945BEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
товар відсутній
SQ9945BEY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ9945BEY-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CH 60V (D-S)
на замовлення 53884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.85 грн
10+ 65.39 грн
100+ 44.28 грн
500+ 37.53 грн
1000+ 30.57 грн
2500+ 28.68 грн
5000+ 27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ9945BEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.27 грн
10+ 59.67 грн
100+ 46.38 грн
500+ 36.89 грн
1000+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ9945BEY-T1_BE3VishayN-Channel MOSFET
товар відсутній
SQ9945BEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SQ9945BEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.31 грн
5000+ 28.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.56 грн
8+ 48.61 грн
23+ 37.34 грн
63+ 35.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.58 грн
23+ 44.81 грн
63+ 42.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.84 грн
500+ 45.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.59 грн
50+ 61.66 грн
100+ 51.64 грн
500+ 40.63 грн
1000+ 30.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
SQ9945BEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.27 грн
10+ 59.67 грн
100+ 46.38 грн
500+ 36.89 грн
1000+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ9945BEY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 5.4A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.3 грн
10+ 84.06 грн
100+ 56.72 грн
500+ 46.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ9Z-LDIDECRelay Sockets & Fixings SQ Socket Plug-in LED/Diode 6-
на замовлення 30 шт:
термін постачання 574-583 дні (днів)
1+343.58 грн
10+ 317.66 грн
25+ 245.3 грн
100+ 220.7 грн
SQ9Z-LD1IDECRelay Sockets & Fixings SQ Socket Plug-in LED/Diode Re
товар відсутній
SQ9Z-LRIDECRelay Sockets & Hardware SQ Socket Plug-in LED/RC 110-
товар відсутній