SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.42 грн |
| 5000+ | 28.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQ9945BEY-T1_GE3 за ціною від 30.16 грн до 94.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8 Power dissipation: 4W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.1A On-state resistance: 64mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8 Power dissipation: 4W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.1A On-state resistance: 64mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 7466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V 5.4A 4W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 13873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SQ9945BEY-T1-GE3 |
|
на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SQ9945BEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SQ9945BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SQ9945BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC |
товар відсутній |