Продукція > VISHAY > SQ9407EY-T1_GE3
SQ9407EY-T1_GE3

SQ9407EY-T1_GE3 Vishay

sq9407ey.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ9407EY-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ9407EY-T1_GE3 за ціною від 29.52 грн до 87.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ9407EY-T1_GE3 SQ9407EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq9407ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.2 грн
5000+ 30.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SQ9407EY-T1-GE3 SQ9407EY-T1-GE3 Виробник : Vishay sq9407ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SQ9407EY-T1_GE3 SQ9407EY-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006538.pdf Description: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+55.73 грн
500+ 43.84 грн
1000+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ9407EY-T1_GE3 SQ9407EY-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006538.pdf Description: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+76.91 грн
50+ 66.32 грн
100+ 55.73 грн
500+ 43.84 грн
1000+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
SQ9407EY-T1_GE3 SQ9407EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq9407ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.61 грн
10+ 63.28 грн
100+ 49.19 грн
500+ 39.13 грн
1000+ 31.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ9407EY-T1_GE3 SQ9407EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq9407ey.pdf MOSFETs -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.77 грн
10+ 70.6 грн
100+ 47.76 грн
500+ 40.45 грн
1000+ 33 грн
2500+ 31.01 грн
5000+ 29.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ9407EY-T1-GE3 SQ9407EY-T1-GE3 Виробник : Vishay sq9407ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
SQ9407EY-T1-GE3 SQ9407EY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ9407EY-T1_GE3
товару немає в наявності