Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ9945BEY-T1_BE3
SQ9945BEY-T1_BE3

SQ9945BEY-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq9945bey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ9945BEY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ9945BEY-T1_BE3 за ціною від 27.13 грн до 80.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ9945BEY-T1_BE3 SQ9945BEY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq9945bey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.27 грн
10+ 59.67 грн
100+ 46.38 грн
500+ 36.89 грн
1000+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ9945BEY-T1_BE3 SQ9945BEY-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq9945bey.pdf MOSFETs DUAL N-CH 60V (D-S)
на замовлення 53884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.85 грн
10+ 65.39 грн
100+ 44.28 грн
500+ 37.53 грн
1000+ 30.57 грн
2500+ 28.68 грн
5000+ 27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ9945BEY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq9945bey.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній