Продукція > SIJ

Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 22.3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.53 грн
500+	74.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIJ128LDP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80 V

на замовлення 7296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.95 грн
10+	104.15 грн
100+	78.25 грн
500+	64.34 грн
1000+	53.83 грн
9000+	46.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ128LDP-T1-GE3

товар відсутній

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 22.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.8 грн
10+	112.16 грн
100+	97.53 грн
500+	74.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIJ128LDP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIJ150DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SIJ150DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

товар відсутній

SIJ150DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJ150DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJ150DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIJ150DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.4 грн
10+	82.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJ150DP-T1-GE3

MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.28 грн
10+	88.32 грн
100+	60.79 грн
500+	50.28 грн
1000+	39.7 грн
3000+	36.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJ186DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	34.8 грн
25+	34.55 грн
100+	31.65 грн
250+	29.11 грн
500+	27.6 грн

Мінімальне замовлення: 18

SIJ186DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 79.4A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79.4A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIJ186DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.8 грн
6000+	30.09 грн
9000+	28.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJ186DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.39 грн
500+	48.76 грн
1000+	38.39 грн
3000+	36.64 грн
6000+	34.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIJ186DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIJ186DP-T1-GE3

товар відсутній

SIJ186DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.97 грн
10+	82.9 грн
100+	60.39 грн
500+	48.76 грн
1000+	38.39 грн
3000+	36.64 грн
6000+	34.97 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIJ186DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

на замовлення 11016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.16 грн
10+	62.49 грн
100+	48.6 грн
500+	38.66 грн
1000+	31.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJ188DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.23 грн
10+	99.16 грн
100+	76.08 грн
500+	59.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIJ188DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V

на замовлення 8981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.81 грн
10+	83.17 грн
100+	64.69 грн
500+	51.47 грн
1000+	41.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ188DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJ188DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.67 грн
6000+	40.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJ188DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.08 грн
500+	59.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIJ188DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.46 грн
25+	51.12 грн
50+	48.89 грн
100+	42.47 грн
250+	40.51 грн
500+	38.36 грн
1000+	38 грн
3000+	37.63 грн

Мінімальне замовлення: 12

SIJ188DP-T1-GE3

SIJ188DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIJ392

SOP-8

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIJ400DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

товар відсутній

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.89 грн
6000+	51.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJ4106DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.83 грн
10+	99.17 грн
100+	78.91 грн
500+	62.66 грн
1000+	53.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ4108DP-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.17 грн
10+	106.65 грн
100+	73.9 грн
250+	68.03 грн
500+	61.8 грн
1000+	56.01 грн
3000+	48.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

товар відсутній

SIJ420DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L 650M SG 2 mil , 1.35 m¿ @ 10V m¿ @ 7.5V 1.75 m¿ @ 4.5V

товар відсутній

SIJ438ADP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 169A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 169A
On-state resistance: 1.75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 162nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIJ438ADP-T1-GE3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L 650M SG 2 mil , 1.35 mΩ @ 10V mΩ @ 7.5V 1.75 mΩ @ 4.5V

товар відсутній

SIJ438ADP-T1-GE3

товар відсутній

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ438ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 169 A, 0.0011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 169
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	169.87 грн
10+	141.42 грн
100+	114.6 грн
500+	90.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V

товар відсутній

SIJ438ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5025 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.26 грн
10+	98.32 грн
100+	68.03 грн
500+	57.53 грн
1000+	46.88 грн
3000+	43.33 грн
6000+	41.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ438ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V

на замовлення 4732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.18 грн
10+	95.55 грн
100+	64.84 грн
500+	48.51 грн
1000+	44.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V

на замовлення 17435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.29 грн
10+	64.91 грн
100+	50.49 грн
500+	40.16 грн
1000+	39.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJ438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJ438DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 80A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 182nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIJ438DP-T1-GE3

товар відсутній

SIJ438DP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 35182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.14 грн
10+	86.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJ4406DP-T1-GE3

MOSFET N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 4.75 mohm a. 10V, 6.7 mohm a. 4.5V

на замовлення 11995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.61 грн
10+	63.74 грн
100+	43.18 грн
500+	36.59 грн
1000+	29.78 грн
3000+	28.04 грн
6000+	26.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIJ450DP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.35 грн
100+	99.15 грн
500+	73.18 грн
1000+	59.34 грн
3000+	38.62 грн
9000+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJ450DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.59 грн
10+	91.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ450DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.00155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 14970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.99 грн
500+	56 грн
1000+	40.82 грн
3000+	40.34 грн
6000+	39.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIJ450DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

товар відсутній

SIJ450DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.00155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 14970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.67 грн
10+	99.97 грн
100+	72.99 грн
500+	56 грн
1000+	40.82 грн
3000+	40.34 грн
6000+	39.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIJ458DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

товар відсутній

SIJ458DP-T1-GE3

MOSFET 30V 60A 69.4W

товар відсутній

SIJ458DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJ458DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

товар відсутній

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJ462ADP-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60 V

на замовлення 4129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.51 грн
10+	85.82 грн
100+	60.14 грн
500+	50.93 грн
1000+	41.52 грн
3000+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJ462ADP-T1-GE3

SIJ462ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIJ462ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 10988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.75 грн
10+	77.74 грн
100+	60.46 грн
500+	48.09 грн
1000+	39.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJ462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

товар відсутній

SIJ462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJ462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	45.49 грн
25+	45.4 грн
100+	41.21 грн
250+	38.07 грн
500+	36.41 грн
1000+	36.27 грн
3000+	36.13 грн

Мінімальне замовлення: 14

SIJ462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIJ462DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIJ470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V

товар відсутній

SIJ470DP-T1-GE3

MOSFET 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH

на замовлення 1633 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.72 грн
10+	99.15 грн
100+	67.09 грн
500+	56.88 грн
1000+	46.37 грн
3000+	45.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIJ470DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17.4A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SIJ470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.08 грн
10+	88.23 грн
100+	68.6 грн
500+	54.56 грн
1000+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ478DP-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 19826 шт:

термін постачання 715-724 дні (днів)

3+	144.54 грн
10+	128.31 грн
100+	86.94 грн
500+	71.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	115.2 грн
10+	98.12 грн
25+	97.18 грн
100+	69.87 грн
250+	64.05 грн
500+	52.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIJ478DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товар відсутній

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJ478DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJ478DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товар відсутній

SIJ4819DP-T1-GE3

MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 20.7 mohm a. 10V, 29.6 mohm a. 4.5V

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.13 грн
10+	142.48 грн
100+	99.26 грн
250+	91.29 грн
500+	82.6 грн
1000+	70.79 грн
3000+	64.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

SIJ4819DP-T1-GE3

SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIJ482DP-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 5490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIJ482DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	121.07 грн
10+	107.85 грн
25+	104.35 грн
100+	79.26 грн
250+	72.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIJ482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

на замовлення 2004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIJ482DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SIJ482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товар відсутній

SIJ484DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

товар відсутній

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	83.37 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIJ494DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.34 грн
13+	64.37 грн
1000+	55.94 грн
5000+	54.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

SiJ494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.91 грн
10+	94.87 грн
100+	73.81 грн
500+	58.72 грн
1000+	47.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

SiJ494DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 36.8A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36.8A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 69.4W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	108.39 грн
115+	106.87 грн
149+	82.7 грн
250+	78.94 грн
500+	61.48 грн
1000+	47.65 грн
3000+	44.99 грн

Мінімальне замовлення: 114

SiJ494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.83 грн
6000+	45.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	77.41 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIJ494DP-T1-GE3

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.72 грн
500+	65.59 грн
1000+	55.94 грн
5000+	54.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

SiJ494DP-T1-GE3

MOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ

на замовлення 17670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.34 грн
10+	97.49 грн
100+	66.73 грн
500+	57.31 грн
1000+	51.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	123.03 грн
10+	100.65 грн
25+	99.23 грн
100+	74.05 грн
250+	67.87 грн
500+	54.8 грн
1000+	44.25 грн
3000+	41.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

SiJ494DP-T1-GE3

товар відсутній

SIJ494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJ800DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJ800DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

товар відсутній

SIJA22DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 65A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJA22DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 0.00057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.78 грн
50+	55.51 грн
100+	46.25 грн
500+	39.4 грн
1500+	36.3 грн

Мінімальне замовлення: 13

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJA22DP-T1-GE3

MOSFETs 25V N-CHANNEL (D-S)

на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.88 грн
10+	59.41 грн
100+	40.21 грн
500+	36.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIJA22DP-T1-GE3

на замовлення 1904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.25 грн
500+	39.4 грн
1500+	36.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIJA22DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V

на замовлення 5422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.4 грн
10+	53.28 грн
100+	41.43 грн
500+	32.96 грн
1000+	32.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 10388 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.82 грн
10+	84.99 грн
100+	57.31 грн
500+	48.62 грн
1000+	39.63 грн
3000+	37.17 грн
6000+	35.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJA52ADP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 131A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 131A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товар відсутній

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V

на замовлення 4111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.97 грн
10+	77.28 грн
100+	60.1 грн
500+	47.81 грн
1000+	38.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	37.81 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA52ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 131
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIJA52ADP-T1-GE3

товар відсутній

SIJA52ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	40.6 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIJA52ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJA52DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товар відсутній

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R - Arrow.com

товар відсутній

SIJA52DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 883-892 дні (днів)

4+	103.97 грн
10+	84.15 грн
100+	57.31 грн
500+	48.54 грн
1000+	39.56 грн
3000+	37.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJA52DP-T1-GE3

товар відсутній

SIJA52DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJA52DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

товар відсутній

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.3 грн
10+	119.48 грн
100+	86.15 грн
500+	72.3 грн
1000+	62.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	830.92 грн
10+	740.73 грн
100+	533.26 грн
500+	464.43 грн
1000+	404.29 грн
2000+	375.31 грн

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.91 грн
10+	128.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJA54ADP-T1-GE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	119.48 грн
100+	86.15 грн
500+	72.3 грн
1000+	62.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIJA54ADP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 18030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.23 грн
10+	119.98 грн
100+	82.6 грн
250+	76.8 грн
500+	69.41 грн
1000+	64.99 грн
3000+	55.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJA54ADP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

товар відсутній

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJA54DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 36.7W
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJA54DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 474-483 дні (днів)

5+	83.35 грн
10+	67.49 грн
100+	45.72 грн
500+	44.99 грн
9000+	44.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIJA54DP-T1-GE3

товар відсутній

SIJA54DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.59 грн
10+	60.83 грн
100+	47.3 грн
500+	37.63 грн
1000+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIJA54DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SIJA58ADP-T1-GE3

SIJA58ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 11814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.38 грн
15+	54.54 грн
100+	47.22 грн
500+	36.23 грн
1000+	26.4 грн
5000+	25.85 грн

Мінімальне замовлення: 13

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJA58ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 32.3A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	34.07 грн
19+	32.64 грн
100+	30.13 грн
500+	27.76 грн
1000+	24.74 грн

Мінімальне замовлення: 18

SIJA58ADP-T1-GE3

на замовлення 11814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.22 грн
500+	36.23 грн
1000+	26.4 грн
5000+	25.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIJA58ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.19 грн
10+	53.43 грн
100+	41.59 грн
500+	33.08 грн
1000+	26.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIJA58ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.37 грн
10+	70.41 грн
100+	50.28 грн
500+	44.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товар відсутній

SIJA58DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V

товар відсутній

SIJA58DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товар відсутній

SIJA58DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 109A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 109A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 56.8W
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIJA58DP-T1-GE3

товар відсутній

SIJA58DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) 175 176C MOSFET

товар відсутній

SIJA72ADP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 26979 шт:

термін постачання 712-721 дні (днів)

5+	79.46 грн
10+	69.99 грн
100+	47.46 грн
500+	39.2 грн
1000+	31.01 грн
3000+	29.78 грн
9000+	28.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

на замовлення 2772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIJA72ADP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 96A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Power dissipation: 56.8W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
On-state resistance: 4.78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 56.8
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIJA72ADP-T1-GE3

товар відсутній

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK

товар відсутній

SIJA72ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 96
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.62 грн
10+	55.4 грн
100+	38.32 грн
500+	30.05 грн
1000+	25.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIJA74DP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET

на замовлення 408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIJA74DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIJA74DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 24A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	72.61 грн
10+	61.01 грн
25+	59.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	155.83 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SIJH112E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	236.23 грн
500+	169.29 грн
2000+	163.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIJH112E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	332.2 грн
10+	278.29 грн
25+	235.47 грн
100+	197.07 грн
250+	192 грн
500+	177.51 грн
1000+	152.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

SIJH112E-T1-GE3

на замовлення 5354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	386.07 грн
10+	311.29 грн
25+	282.85 грн
100+	236.23 грн
500+	169.29 грн
2000+	163.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJH112E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V

на замовлення 2510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	319.77 грн
10+	258.87 грн
100+	209.39 грн
500+	174.67 грн
1000+	149.56 грн

SIJH112E-T1-GE3

SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товар відсутній

SiJH440E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

товар відсутній

SiJH440E-T1-GE3

MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 8x8L

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 369-378 дні (днів)

2+	229.07 грн
10+	203.3 грн
100+	142.01 грн
500+	123.17 грн
4000+	118.82 грн
10000+	89.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товар відсутній

SIJH5100E-T1-GE3

SIJH5100E-T1-GE3

товар відсутній

SIJH5100E-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8x8L BWL, 1.89 mohm a. 10V 2.14 mohm a. 7.5V

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	470.83 грн
10+	389.94 грн
25+	320.24 грн
100+	274.6 грн
250+	258.66 грн
500+	243.44 грн
1000+	207.94 грн

SIJH5100E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 277A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 2.14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® 8x8L
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 277A
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SIJH5100E-T1-GE3

товар відсутній

SIJH5100E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V

товар відсутній

SIJH5700E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 17A T/R

товар відсутній

SIJH5700E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 811-820 дні (днів)

1+	493.65 грн
10+	408.27 грн
25+	335.46 грн
100+	287.64 грн
250+	271.7 грн
500+	255.04 грн
1000+	218.81 грн

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

товар відсутній

SIJH5700E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V

товар відсутній

SIJH5800E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 302A
On-state resistance: 1.58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 155nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

на замовлення 4025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	455.36 грн
10+	367.93 грн
100+	297.62 грн
500+	248.27 грн
1000+	212.58 грн

SIJH5800E-T1-GE3

товар відсутній

SIJH5800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A T/R

товар відсутній

SIJH5800E-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET, 1.35 mO 10V 1.58 mO 7.5V

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	494.49 грн
10+	409.11 грн
25+	336.18 грн
100+	288.36 грн
250+	272.42 грн
500+	255.76 грн
1000+	230.4 грн

SIJH5800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	221.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	466.65 грн
10+	401.22 грн
25+	400.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

SIJH600E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 373A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 373A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 333W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 212nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товар відсутній

SIJH600E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	482.66 грн
10+	407.44 грн
25+	338.36 грн
100+	295.61 грн
250+	286.19 грн
500+	261.56 грн
1000+	249.24 грн

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товар відсутній

SIJH600E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	444.59 грн
25+	372.25 грн
100+	278.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V

на замовлення 1704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.82 грн
10+	365.89 грн
100+	304.93 грн
500+	252.5 грн
1000+	227.25 грн

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	502.55 грн
29+	431.76 грн

Мінімальне замовлення: 25

SIJH600E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R

товар відсутній

SIJH600E-T1-GE3

товар відсутній

SIJH600E-T1-GE3

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	542.94 грн
10+	444.59 грн
25+	372.25 грн
100+	278.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SIJH600E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V

товар відсутній

SIJH600E-T1-GE3-X

товар відсутній

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIJH800E

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	244.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товар відсутній

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

товар відсутній

SIJH800E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 299A; Idm: 350A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 299A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.21µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SIJH800E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S)

на замовлення 4581 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	366.01 грн
10+	303.29 грн
25+	259.38 грн
100+	213.74 грн
250+	210.11 грн
500+	189.83 грн
1000+	162.3 грн

SIJH800E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V

на замовлення 2316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	341.72 грн
10+	276.3 грн
100+	223.53 грн
500+	186.47 грн
1000+	159.66 грн

SIJH800E-T1-GE3

товар відсутній

SIJH800E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R

товар відсутній

SIJH800E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3388

товар відсутній

SIJH800E-T1-GE3-X