Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJH112E-T1-GE3
SIJH112E-T1-GE3

SIJH112E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sijh112e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+154.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJH112E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIJH112E-T1-GE3 за ціною від 148.49 грн до 383.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Виробник : VISHAY sijh112e.pdf Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+234.53 грн
500+ 168.08 грн
2000+ 162.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sijh112e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+317.48 грн
10+ 257.01 грн
100+ 207.89 грн
500+ 173.41 грн
1000+ 148.49 грн
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sijh112e.pdf MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+329.81 грн
10+ 276.3 грн
25+ 233.78 грн
100+ 195.66 грн
250+ 190.62 грн
500+ 176.24 грн
1000+ 151.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Виробник : VISHAY sijh112e.pdf Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+383.3 грн
10+ 309.06 грн
25+ 280.82 грн
100+ 234.53 грн
500+ 168.08 грн
2000+ 162.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIJH112E-T1-GE3 Виробник : VISHAY sijh112e.pdf SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній