Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJA74DP-T1-GE3
SIJA74DP-T1-GE3

SIJA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

doc?77516 Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIJA74DP-T1-GE3 за ціною від 25.39 грн до 66.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIJA74DP-T1-GE3 SIJA74DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix doc?77516 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.14 грн
10+ 55 грн
100+ 38.05 грн
500+ 29.84 грн
1000+ 25.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIJA74DP-T1-GE3 SIJA74DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix doc?77516 MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)