Продукція > R80
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R80-762040 | SEIKO | QFP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R800 | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80007-001 | ROCKWELL | DIP | на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8001CND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 2574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8001CND3FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 800V 1A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode | на замовлення 3521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8001CND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8001CND3FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | R8001CND3FRATL SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
R8001CNDTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R8002ANJFRGTL | ROHM | Description: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002ANJFRGTL | ROHM | Description: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
R8002ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS | товар відсутній | |||||||||||||||
R8002ANJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO263 800V 2A N-CH MOSFET | на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002ANJGTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002ANJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) LPTS | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002ANJGTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
R8002ANX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
R8002ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002ANX | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8002ANX | ROHM | Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 2 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 36 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 36 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
R8002ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002CND3FRATL | ROHM | Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002CND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002CND3FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 69W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 69W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
R8002CND3FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 800V 2A N-CH | на замовлення 3246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002CND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002CND3FRATL | ROHM | Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002CND3FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 69W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 69W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
R8002KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: R8xxxKNx productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET | на замовлення 5322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: R8xxxKNx productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R8002KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1. Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-252GE Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002KND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R8002KND3TL1 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
R8002KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-252GE Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
R8002KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8002KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFET 800V 1.6A TO-220FM PWR MOSFET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8003KND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 9A; 48W; TO252 Mounting: SMD Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 9A Case: TO252 Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
R8003KND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 9A; 48W; TO252 Mounting: SMD Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 9A Case: TO252 Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
R8003KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V | на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8003KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 800V 3A N-CH MOSFET | на замовлення 8171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8003KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
R8003KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs 800V 3A TO-220FM PWR MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8003KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8003KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R8003KNXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 9A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 11.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
R8003KNXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 9A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 11.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
R8003KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8003KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANJFRGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 10A; 120W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
R8005ANJFRGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 10A; 120W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
R8005ANJFRGTL | ROHM | Description: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 120W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANJFRGTL | ROHM | Description: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANJGTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET | на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANJGTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANX | ROHM | Description: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 51 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 51 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8005ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R8005ANX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V | на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
R8006KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 800V 6A N-CH MOSFET | на замовлення 4795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFET High-speed Switching Nch 800V 6A Power MOSFET | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8006KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V | на замовлення 782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8006KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.75 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 52 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 52 Bauform - Transistor: TO-220FM Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: R8xxxKNx Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8006KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
R8007AND3FRATL | ROHM | Description: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8007AND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V | на замовлення 4975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8007AND3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8007AND3FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 800V 7A TO-252, Automotive Power MOSFET | на замовлення 4981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8007AND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8007AND3FRATL | ROHM | Description: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8007AND3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80080006 | Crouzet | Description: BRUSHLESS MOTOR Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
R80080008 | Crouzet | Description: BRUSHLESS MOTOR Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
R80080009 | Crouzet | Description: BRUSHLESS MOTOR Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
R8008ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8008ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS | на замовлення 953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8008ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8008ANJFRGTL | ROHM | Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8008ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8008ANJFRGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 195W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
R8008ANJFRGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 195W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
R8008ANJFRGTL | ROHM | Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8008ANJGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 195W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
R8008ANJGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 195W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
R8008ANJGTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8008ANJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8008ANJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs MOSFET | на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8008ANJGTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
R8008ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
R8008ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8008ANX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
R8009KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFET NCH 800V 9A POWER MOSFET | на замовлення 933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8009KNXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Mounting: THT Case: TO220FP | товар відсутній | |||||||||||||||
R8009KNXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
R8009KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | на замовлення 1808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8009KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R8009KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товар відсутній | |||||||||||||||
R8009KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
R8009KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R800C | Аналог SIM800C на чіпсеті RDA, без аудіоканалу, інженерні зразки | на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||
R800CH08 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R800CH10 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R800CH12 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R800CH14 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R800CH14CF0 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R800CH14CY0 | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R800CH14FY0 | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R800CH16 | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R800CH16-18 | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8010 | REED Instruments | Description: LASER DISTANCE METER, 328' | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R8010-NIST | REED Instruments | Description: LASER DISTANCE METER, 328' W/CER | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R8010ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM | товар відсутній | |||||||||||||||
R8010ANX | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
R8011KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8011LR112Q | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80186 | INTEL | CLCC68 92+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80186 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - R80186 - R80186 - MICROPROCESSOR, 16-BIT, 8MHZ tariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R80186 | INTEL | 98+ CLCC | на замовлення 201 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80186 | Advanced Micro Devices | Description: IC MPU 8MHZ 68CLCC Packaging: Bulk Package / Case: 68-CLCC Mounting Type: Surface Mount Speed: 8MHz Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Core Processor: 80186 Voltage - I/O: 5V Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13) Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit Graphics Acceleration: No Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
R80186 | INTEL | CBGA | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80186 | INTEL | 98+ CPLCC | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80186-10 | INTEL | CLCC68 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80186-10 | INTEL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
R80186-10 | Rochester Electronics, LLC | Description: RISC MICROPROCESSOR, 16 BIT, 10M Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80186-3/B4 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80186-6/B4 | INTEL | 8519+ | на замовлення 131 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80186-8 | INTEL | CLCC68 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8018610 | Intel | Description: MPU, 16-BIT, 10MHZ, NMOS, CQCC68 Packaging: Bulk Package / Case: 88-BCPGA Mounting Type: Through Hole Speed: 10MHz Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TC) Core Processor: 80186 Voltage - I/O: 5V Supplier Device Package: 88-CPGA (34.29x34.29) Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit Graphics Acceleration: No Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
R80188 | Advanced Micro Devices | Description: IC MPU 8MHZ 68CLCC Packaging: Bulk Package / Case: 68-CLCC Mounting Type: Surface Mount Speed: 8MHz Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Core Processor: 80188 Voltage - I/O: 5V Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13) Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit Graphics Acceleration: No Part Status: Active | на замовлення 5973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80188 | INTEL | 07+; | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80188 | INTEL | 02+ PLCC | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80188 | INTEL | 98+ BGA; | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80188-10 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80188-10 | Advanced Micro Devices | Description: IC MPU 10MHZ 68CLCC Packaging: Bulk Package / Case: 68-CLCC Mounting Type: Surface Mount Speed: 10MHz Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Core Processor: 80188 Voltage - I/O: 5V Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13) Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit Graphics Acceleration: No Part Status: Active | на замовлення 1506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8019KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFET 800V 19A, TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET: The R8xxxKNx series are high-speed switching products, Super Junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency. This series products achieve higher efficiency via high-speed switching | на замовлення 2000 шт: термін постачання 248-257 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80200-93 | на замовлення 2217 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8020P | Rockwell | DIP-40 | на замовлення 116 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8025 | EPSON | 09+ SOP14 | на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8025 | R | на замовлення 15320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
R8025AA | EPSON | 2004 | на замовлення 209 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8025AC | RTC | SOP | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8025AC | EPSON | 00+ SOP | на замовлення 438 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8025SA | на замовлення 35250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8025T | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8025Y12BPLB2A | Pelonis Technologies | Description: FAN AXIAL 80X25MM 12VDC WIRE Features: Auto Restart, Constant Speed, Inrush Protection, Locked Rotor Protection, Polarity Protection, Speed Sensor (Tach) Packaging: Bulk Voltage - Rated: 12VDC Size / Dimension: Square - 80mm L x 80mm H Bearing Type: Ball RPM: 4400 RPM Air Flow: 57.7 CFM (1.64m³/min) Width: 25.00mm Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C) Termination: 3 Wire Leads Approval Agency: CE, cUL, UL Fan Type: Tubeaxial Noise: 40.6dB(A) Static Pressure: 0.300 in H2O (74.7 Pa) Part Status: Active Power (Watts): 4.8 W | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80286 | INTEL | CLCC68 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-10 | INTEL | CLCC68 92+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-10 | INT | PGA | на замовлення 103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-10/C2H | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80286-12 | INTEL | PLCC | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-12 | INTEL | 99+ | на замовлення 199 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-12 | INTEL | CBGA | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-12 | INTEL | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
R80286-12 | INTEL | 9940 LCC | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-12(Refurbs) | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80286-12/S(Refurbs) | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80286-6 | INTEL | BGA | на замовлення 245 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-8 | INTEL | 07+; | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-8 | INTEL | CLCC68 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-8 | INT | PGA | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-8 | INTEL | 96+ BGA; | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80286-8(Refurbs) | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80286-8S | Advanced Micro Devices | Description: IC MPU 8MHZ 68CLCC Packaging: Bulk Package / Case: 68-CLCC Mounting Type: Surface Mount Speed: 8MHz Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Core Processor: 80286 Voltage - I/O: 5V Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13) Number of Cores/Bus Width: 1 Core Graphics Acceleration: No Part Status: Active | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8028612 | INTEL | 99+ PLCC | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R802P2 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80302NL | iNRCORE | Audio Transformers / Signal Transformers Industrial Planar Transformers | товар відсутній | |||||||||||||||
R80405 | CDIP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
R80405 | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8040P | Rockwell | DIP-40 | на замовлення 133 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8040S | ROCKWELL | 03+ DIP | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8040S | Z | CDIP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8046678 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8050 | REED Instruments | Description: DUAL RANGE SOUND LEVEL METER Packaging: Retail Package Type: Sound/Decibel Level Meter Includes: Battery, Case, Windshield Ball For Measuring: Sound Part Status: Active | на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8050P | ROCKWELL | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
R8050P | ROCKWELL | DIP | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8050S | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8051AHP | 98+ DIP-40 | на замовлення 189 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
R8060 | REED Instruments | Description: SOUND LEVEL METER WITH BARGRAPH Packaging: Retail Package Type: Sound/Decibel Level Meter Includes: Battery, Case, Windshield Ball For Measuring: Sound Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
R8060 | на замовлення 1680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8060/05P | на замовлення 884 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8060KP | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8060P | ROCKWELL | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
R8060P | ROCKWELL | DIP | на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8060P1193813 | на замовлення 415 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8060S | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8069AP | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8069BP | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R806P2 | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R806P2AD | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8070AG | на замовлення 248 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8070AJ | ZILOG | 89+ PLCC | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8070AP(1195111) | ROCKWELL | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
R8070J | ROCK | 00+ PLCC-68 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8070JE | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8070P | MEXICO | DIP64 | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8070SD | REED Instruments | Description: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER Packaging: Retail Package Type: Sound/Decibel Level Meter Includes: Batteries (6), Case, Windshield Ball For Measuring: Sound Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
R8070SD-KIT | REED Instruments | Description: SOUND METER W/ ADAPTER, SD CARD Packaging: Retail Package Type: Sound Level Meter Includes: Adapter, Memory Card For Measuring: Sound Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
R8070SD-KIT2 | REED Instruments | Description: SOUND METER W/TRIPOD, CARD, ADP Packaging: Retail Package Type: Sound Level Meter Includes: Adapter, Memory Card For Measuring: Sound Part Status: Active | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8071AJ | ROCKWELL | PLCC68 | на замовлення 111 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8071AJE | BT | PLCC68 | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8071AP | MEXICO | DIP64 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8071J | на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8075S | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R8080 | REED Instruments | Description: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER Packaging: Retail Package Type: Sound/Decibel Level Meter Includes: Batteries (4), Case, Software, USB Cable, Windshield Ball For Measuring: Sound Part Status: Active | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8080-KIT | REED Instruments | Description: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K Packaging: Retail Package Part Status: Active Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter Equipment Part Numbers: R8080, R8090 Set Type: Sound Measurement | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8080-KIT-NIST | REED Instruments | Description: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K Packaging: Retail Package Part Status: Active Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter Equipment Part Numbers: R8080, R8090 Set Type: Sound Measurement | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8080-KIT2 | REED Instruments | Description: DATALOGGING SOUND METER W/TRIPOD Packaging: Retail Package Type: Sound Level Meter Includes: Tripod For Measuring: Sound Part Status: Active | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8080-NIST | REED Instruments | Description: SOUND LEVEL METER/DATA LOGGER Packaging: Retail Package Type: Sound/Decibel Level Meter Includes: Batteries (4), Calibration Certificate, Case, Software, USB Cable, Windshield Ball For Measuring: Sound Part Status: Active | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R8082 | RSM | O9 | на замовлення 410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R8085 | REED Instruments | Description: PERSONAL NOISE DOSIMETER | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R8085-KIT | REED Instruments | Description: NOISE DOSIMETERS KIT | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R8085-NIST | REED Instruments | Description: NOISE DOSIMETER W/NIST CERT | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R8085-PC | REED Instruments | Description: PC SOFTWARE FOR R8085 | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R8085-USB | REED Instruments | Description: USB CABLE FOR R8085 | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C186 | INTEL | LCC | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C186--12 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80C186-12 | INTEL | LCC | на замовлення 42 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C186-16 | на замовлення 504 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80C186XL | INTEL | 9549 LCC | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C186XL-12 | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80C186XL10 | INTEL | 92 | на замовлення 283 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C186XL10 | INTEL | LCC | на замовлення 61 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C186XL12 | INTEL | CBGA? | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C186XL12 | INTEL | 02+ PLCC | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C186XL20 | INTEL | 02+ | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C186XL20 | Intel | Description: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC | товар відсутній | |||||||||||||||
R80C186XL20 | INTEL | 02+ | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C186XL20 | Intel | MPU 80186 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC | товар відсутній | |||||||||||||||
R80C186XL25 | Intel | MPU 80186 Processor CISC 16bit 25MHz 68-Pin PLCC | товар відсутній | |||||||||||||||
R80C186XL25 | Intel | Description: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC | товар відсутній | |||||||||||||||
R80C188 | INTEL | LCC | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C188-12 | INTEL | CBGA? | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C188-16 | INTEL | CPLCC | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
R80C188XL-10 | INTEL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
R80C188XL-12 | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80C188XL-20 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80C188XL12 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80C188XL20 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80C188XL20 | Intel | Description: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC Packaging: Tube Package / Case: 68-LCC (J-Lead) Mounting Type: Surface Mount Speed: 20MHz Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Core Processor: 80C186 Voltage - I/O: 5.0V Supplier Device Package: 68-PLCC Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit RAM Controllers: DRAM Graphics Acceleration: No | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80C188XL20 | Intel | MPU 188 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC | товар відсутній | |||||||||||||||
R80C188XL25 | INTEL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
R80C188XL25 | Intel | Description: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC | товар відсутній | |||||||||||||||
R80C286-8 | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
R80M | Omron Automation and Safety | Description: R80M, ROPE ONLY 80M | товар відсутній | |||||||||||||||
R80P | Orion Fans | Fan Accessories Retainer, 80mm, for GRM80 Series | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-100R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 100Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Leads: solder lugs Type of resistor: wire-wound Power: 80W Resistance: 100Ω Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Number of mounting holes: 2 Mounting holes pitch: 145mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-100R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 100Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Leads: solder lugs Type of resistor: wire-wound Power: 80W Resistance: 100Ω Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Number of mounting holes: 2 Mounting holes pitch: 145mm | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-10K | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 10kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 10kΩ Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-10K | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 10kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 10kΩ Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-10R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 10Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
R80W-10R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 10Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||
R80W-1K | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 1kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Resistance: 1kΩ Power: 80W Tolerance: ±5% Temperature coefficient: 200ppm/°C Body dimensions: Ø28x121mm Type of resistor: wire-wound Number of mounting holes: 2 Mounting holes pitch: 145mm Leads: solder lugs кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-1K | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 1kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Resistance: 1kΩ Power: 80W Tolerance: ±5% Temperature coefficient: 200ppm/°C Body dimensions: Ø28x121mm Type of resistor: wire-wound Number of mounting holes: 2 Mounting holes pitch: 145mm Leads: solder lugs | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-1R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 1Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 1Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-1R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 1Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 1Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-220R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 220Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 220Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-220R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 220Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 220Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-22R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 22Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-22R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 22Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-2K2 | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 2.2kΩ Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-2K2 | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 2.2kΩ Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-2R2 | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 2.2Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-2R2 | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 2.2Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-470R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 Temperature coefficient: 200ppm/°C Resistance: 470Ω Power: 80W Type of resistor: wire-wound | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-470R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 Temperature coefficient: 200ppm/°C Resistance: 470Ω Power: 80W Type of resistor: wire-wound кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-470R Код товару: 188515 | Вивідні резистори > Резистори в алюмінієвому корпусі 10-600W | товар відсутній | ||||||||||||||||
R80W-47R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 47Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 47Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
R80W-47R | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 47Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 47Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||
R80W-4K7 | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 4.7kΩ Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-4K7 | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 4.7kΩ Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-4R7 | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 4.7Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
R80W-4R7 | SR PASSIVES | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C Type of resistor: wire-wound Resistance: 4.7Ω Power: 80W Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø28x121mm Temperature coefficient: 200ppm/°C Leads: solder lugs Mounting holes pitch: 145mm Number of mounting holes: 2 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|