R8003KNXC7G ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 162.2 грн |
| 10+ | 119.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8003KNXC7G ROHM
Description: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R8003KNXC7G за ціною від 71.57 грн до 186.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8003KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R8003KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R8003KNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 800V 3A TO-220FM PWR MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R8003KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| R8003KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 9A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 11.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| R8003KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 9A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 11.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |