![R8002ANJGTL R8002ANJGTL](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/799/Rohm-LPTS.jpg)
R8002ANJGTL Rohm Semiconductor
![datasheet?p=R8002ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 149.02 грн |
10+ | 120.36 грн |
100+ | 97.37 грн |
500+ | 89.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8002ANJGTL Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R8002ANJGTL за ціною від 94.89 грн до 189.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R8002ANJGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
R8002ANJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
R8002ANJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
товар відсутній |