НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXV04V120DB1ON SemiconductorDescription: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXV04V120DB1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive 19-Pin APM-CBC Tube
товар відсутній
NXV04V120DB1ON Semiconductor
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXV04V120DB1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM19 3-Phase
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2115.6 грн
25+ 1715.99 грн
88+ 1409.23 грн
264+ 1340.35 грн
528+ 1185.02 грн
NXV08A170DB1ON SemiconductorNXV08A170DB1
товар відсутній
NXV08A170DB1ON SemiconductorMV7 80V APM12
товар відсутній
NXV08A170DB1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1454.68 грн
10+ 1263.35 грн
25+ 1069.05 грн
50+ 1010.01 грн
100+ 950.26 грн
288+ 920.04 грн
576+ 861 грн
NXV08A170DB1onsemiDescription: MV7 80V APM12
Packaging: Tray
Part Status: Active
товар відсутній
NXV08A170DB2onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
товар відсутній
NXV08A170DB2onsemiDescription: APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF
Packaging: Tray
Package / Case: 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: APM12-CBA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NXV08A170DB2ON SemiconductorSingle Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module
товар відсутній
NXV08B800DT1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, DUAL BTB
товар відсутній
NXV08H250DPT2onsemiDiscrete Semiconductor Modules Automotive 80V Dual Half Bridge Mosfet Module with pressfit signal pins, APM17 APM17M 80V AL2O3 MFA
товар відсутній
NXV08H250DPT2onsemiDescription: APM17-MFA, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (2.020", 51.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MFA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NXV08H250DT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive AEC-Q101 Power MOSFET MODULE
товар відсутній
NXV08H250DT1onsemiDescription: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+4243.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
NXV08H250DT1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHASE
товар відсутній
NXV08H300DT1onsemiDescription: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30150pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+4456.13 грн
Мінімальне замовлення: 40
NXV08H300DT1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHASE
на замовлення 40 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
1+5180.76 грн
10+ 4629.05 грн
25+ 3886.1 грн
40+ 3746.93 грн
120+ 3608.47 грн
280+ 3572.62 грн
NXV08H300DT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товар відсутній
NXV08H350XT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товар відсутній
NXV08H350XT1onsemiDiscrete Semiconductor Modules Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, AMP17
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5829.38 грн
10+ 5459.16 грн
25+ 4621.99 грн
120+ 4278.29 грн
280+ 4153.18 грн
NXV08H400XT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товар відсутній
NXV08H400XT2ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товар відсутній
NXV08V080DB1ON Semiconductor
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXV08V080DB1ON SemiconductorThree Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module
товар відсутній
NXV08V080DB1onsemiInverters 3-PHASE INVERTER
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2548.56 грн
11+ 2317.36 грн
22+ 1924.42 грн
110+ 1719.89 грн
NXV08V080DB1onsemiDescription: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: APM-19-CBC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2079.43 грн
44+ 1659.52 грн
NXV08V110DB1onsemiDiscrete Semiconductor Modules 3-PHASE INVERTER
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2566.6 грн
10+ 2198.54 грн
25+ 1837.97 грн
44+ 1591.97 грн
88+ 1513.95 грн
264+ 1503.41 грн
528+ 1490.06 грн
NXV08V110DB1ON Semiconductor
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXV08V110DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive Tube
товар відсутній
NXV100XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXV100XPRNexperia USA Inc.Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NXV100XPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NXV100XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXV100XPRNexperiaMOSFET NXV100XP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 8686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.69 грн
13+ 25.38 грн
100+ 13.78 грн
500+ 9.77 грн
1000+ 8.86 грн
3000+ 7.52 грн
9000+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
NXV100XPRNexperia USA Inc.Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.45 грн
12+ 24.45 грн
100+ 15.22 грн
500+ 9.77 грн
1000+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
NXV10V160ST1onsemiMOSFET Modules 100V 3 Phase Automotive Power MOSFET Module, APM21
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3641.62 грн
10+ 3272.75 грн
44+ 2644.15 грн
88+ 2595.65 грн
264+ 2547.15 грн
528+ 2464.92 грн
1012+ 2439.62 грн
NXV40UNRNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NXV40UNRNexperia USA Inc.Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
на замовлення 77972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.41 грн
15+ 20.57 грн
100+ 10.4 грн
500+ 7.96 грн
1000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
NXV40UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.9 грн
30+ 26.97 грн
Мінімальне замовлення: 22
NXV40UNRNexperia USA Inc.Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.5 грн
6000+ 5.06 грн
9000+ 4.38 грн
30000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NXV40UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXV40UNRNexperiaMOSFET NXV40UN/SOT23/TO-236AB
на замовлення 13216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.06 грн
15+ 22.31 грн
100+ 8.01 грн
1000+ 5.97 грн
3000+ 4.78 грн
9000+ 4.15 грн
24000+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
NXV55UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.46 грн
500+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
NXV55UNRNexperia USA Inc.Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V
на замовлення 18901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.61 грн
17+ 18.01 грн
100+ 9.06 грн
500+ 6.94 грн
1000+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
NXV55UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.52 грн
50+ 17.03 грн
100+ 9.46 грн
500+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 33
NXV55UNRNexperiaMOSFET NXV55UN/SOT23/TO-236AB
на замовлення 61304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.95 грн
13+ 24.9 грн
100+ 12.3 грн
500+ 8.22 грн
1000+ 6.26 грн
3000+ 5.41 грн
6000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
NXV55UNRNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 83
NXV55UNRNexperia USA Inc.Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.79 грн
6000+ 4.41 грн
9000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NXV65HR82DS1onsemiMOSFET APM16-CAA SF3 650V 82MOHM CAP AL2O3 Y-FORMING H-BRIDGE
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2705.18 грн
10+ 2432.13 грн
25+ 2004.55 грн
50+ 1986.27 грн
72+ 1657.34 грн
NXV65HR82DS1ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товар відсутній
NXV65HR82DS1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1598.21 грн
5+ 1301.75 грн
10+ 1004.5 грн
50+ 914.45 грн
NXV65HR82DS1onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2696.79 грн
10+ 2394.91 грн
25+ 2287.27 грн
NXV65HR82DS2ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1491.77 грн
5+ 1364.04 грн
10+ 1236.31 грн
50+ 1076.98 грн
NXV65HR82DS2onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2414.72 грн
10+ 2144.74 грн
72+ 2048.35 грн
NXV65HR82DS2onsemiMOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAB L-Shape
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1848.28 грн
10+ 1699.82 грн
NXV65HR82DS2ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товар відсутній
NXV65HR82DZ1onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2797.91 грн
10+ 2484.6 грн
25+ 2372.96 грн
NXV65HR82DZ1onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAA, Y-Shape
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1804 грн
NXV65HR82DZ1ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товар відсутній
NXV65HR82DZ1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.29 грн
5+ 945.37 грн
10+ 925.65 грн
50+ 850.75 грн
NXV65HR82DZ2ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товар відсутній
NXV65HR82DZ2ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2037.38 грн
5+ 1958.54 грн
10+ 1879.69 грн
50+ 1441.59 грн
NXV65HR82DZ2onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2489.23 грн
10+ 2210.49 грн
25+ 2111.12 грн
NXV65HR82DZ2onsemiMOSFET APM16-CAB SF3 650V 82MOHM AL2O3 L-FORMING H-BRIDGE
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2638.76 грн
10+ 2399.8 грн
25+ 1992.6 грн
72+ 1722.7 грн
288+ 1584.94 грн
NXV65UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.52 грн
50+ 17.03 грн
100+ 9.46 грн
500+ 6.22 грн
1500+ 5.63 грн
Мінімальне замовлення: 33
NXV65UPRNexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.77 грн
6000+ 3.47 грн
9000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NXV65UPRNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -8.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 0.34W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NXV65UPRNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -8.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 0.34W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NXV65UPRNexperiaMOSFET NXV65UP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 11939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.06 грн
15+ 22.31 грн
100+ 8.01 грн
1000+ 5.97 грн
3000+ 4.78 грн
9000+ 4.15 грн
24000+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
NXV65UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.46 грн
500+ 6.22 грн
1500+ 5.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
NXV65UPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NXV65UPRNexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
на замовлення 49015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.29 грн
21+ 14.13 грн
100+ 7.13 грн
500+ 5.46 грн
1000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
NXV65UPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NXV75UPRNexperia USA Inc.Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 20960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.33 грн
18+ 16.77 грн
100+ 8.46 грн
500+ 6.48 грн
1000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
NXV75UPRNexperiaMOSFET NXV75UP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.73 грн
18+ 18.67 грн
100+ 6.75 грн
1000+ 4.99 грн
3000+ 3.94 грн
9000+ 3.37 грн
24000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
NXV75UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXV75UPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+2.6 грн
Мінімальне замовлення: 127
NXV75UPRNexperia USA Inc.Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
6000+ 4.12 грн
9000+ 3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NXV75UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXV90EPRNexperia USA Inc.Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V
на замовлення 44951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.41 грн
15+ 20.5 грн
100+ 10.32 грн
500+ 8.58 грн
1000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
NXV90EPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.99 грн
50+ 17.66 грн
100+ 10.33 грн
500+ 7.25 грн
1500+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 32
NXV90EPRNXPNXV90EP/SOT23/TO-236AB NXV90EPR TNXV90EPR
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
NXV90EPRNexperia USA Inc.Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.61 грн
6000+ 6.23 грн
9000+ 5.51 грн
30000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NXV90EPRNexperiaMOSFET NXV90EP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.72 грн
12+ 28.29 грн
100+ 15.32 грн
500+ 10.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
NXV90EPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXV90EPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.33 грн
500+ 7.25 грн
1500+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
NXV90EPRNEXPERIANXV90EPR SMD P channel transistors
товар відсутній