NXV65HR82DS1 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1603.97 грн |
5+ | 1306.44 грн |
10+ | 1008.12 грн |
50+ | 917.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXV65HR82DS1 ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NXV65HR82DS1 за ціною від 1663.31 грн до 2714.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXV65HR82DS1 | Виробник : onsemi |
Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG Packaging: Tube Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: H-Bridge Voltage - Isolation: 5000Vrms Part Status: Active Current: 26 A Voltage: 650 V |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NXV65HR82DS1 | Виробник : onsemi | MOSFET APM16-CAA SF3 650V 82MOHM CAP AL2O3 Y-FORMING H-BRIDGE |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NXV65HR82DS1 | Виробник : ON Semiconductor | H Bridge Power Module For On Board Charger |
товар відсутній |