Продукція > ONSEMI > NXV65HR82DS2
NXV65HR82DS2

NXV65HR82DS2 ONSEMI

nxv65hr82d-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1497.15 грн
5+ 1368.96 грн
10+ 1240.77 грн
50+ 1080.87 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXV65HR82DS2 ONSEMI

Description: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NXV65HR82DS2 за ціною від 1705.95 грн до 2423.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NXV65HR82DS2 NXV65HR82DS2 Виробник : onsemi NXV65HR82D_D-2319706.pdf MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAB L-Shape
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1854.94 грн
10+ 1705.95 грн
NXV65HR82DS2 NXV65HR82DS2 Виробник : onsemi nxv65hr82d-d.pdf Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2423.43 грн
10+ 2152.47 грн
72+ 2055.74 грн
NXV65HR82DS2 NXV65HR82DS2 Виробник : ON Semiconductor nxv65hr82d-d.pdf H Bridge Power Module For On Board Charger
товар відсутній