Продукція > ONSEMI > NXV65HR82DZ1
NXV65HR82DZ1

NXV65HR82DZ1 ONSEMI


nxv65hr82d-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+967.77 грн
5+ 948.77 грн
10+ 928.99 грн
50+ 853.82 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXV65HR82DZ1 ONSEMI

Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NXV65HR82DZ1 за ціною від 1810.5 грн до 2808 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NXV65HR82DZ1 NXV65HR82DZ1 Виробник : onsemi NXV65HR82D_D-2319706.pdf MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAA, Y-Shape
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1810.5 грн
NXV65HR82DZ1 NXV65HR82DZ1 Виробник : onsemi nxv65hr82d-d.pdf Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2808 грн
10+ 2493.56 грн
25+ 2381.52 грн