Продукція > IGB
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGB01N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB01N120H2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 1.3A; 28W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 1.3A Power dissipation: 28W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 3.5A Mounting: SMD Gate charge: 8.6nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20.9ns Turn-off time: 493ns кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB01N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB01N120H2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 1.3A; 28W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 1.3A Power dissipation: 28W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 3.5A Mounting: SMD Gate charge: 8.6nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20.9ns Turn-off time: 493ns | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB03N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB03N120H2 | INF | TO-to-263 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IGB03N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB03N120H2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3.9A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 3.9A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 9.9A Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 16.1ns Turn-off time: 403ns кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB03N120H2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3.9A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 3.9A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 9.9A Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 16.1ns Turn-off time: 403ns | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB03N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB03N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB03N120H2ATMA1616 | Infineon Technologies | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB03N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGB03N120S7ATMA1 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB10N60T | Infineon Technologies | IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60T Код товару: 167667 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 Код товару: 191421 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon | IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W | на замовлення 4007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB15N120S7 | Infineon Technologies | Infineon SMD IGBT series IGB | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 34A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGB15N120S7ATMA1 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs N | на замовлення 1000 шт: термін постачання 50-59 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB15N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 34A TO263-3 Packaging: Tray | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB15N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB15N60T транзистор Код товару: 202831 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W | на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A | на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB15N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | 5 high speed soft switching IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N65S5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 23A Power dissipation: 52.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 26ns Turn-off time: 147ns | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 105 W | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB15N65S5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 35A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGB15N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 105 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N65S5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 23A Power dissipation: 52.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 26ns Turn-off time: 147ns кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB15N65S5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB20N60H3 Код товару: 108573 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||
IGB20N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT | на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB20N65S5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 28A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 27ns Turn-off time: 137ns кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB20N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB20N65S5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB20N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | 5 high speed soft switching IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB20N65S5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 28A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 27ns Turn-off time: 137ns | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB20N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 125 W | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB20N65S5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 40A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB20N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB30N60H3 Код товару: 114099 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||
IGB30N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT | на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB30N60H3 | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO263-3 (D2PAK) | на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | Infineon | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns Switching Energy: 1.17mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns Switching Energy: 1.17mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W | на замовлення 1492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB30N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH SPEED 600V, 30A IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns Switching Energy: 730µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60T | Infineon Technologies | Description: IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB30N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB30N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 39A Power dissipation: 187W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: SMD Gate charge: 167nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 39A Power dissipation: 187W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: SMD Gate charge: 167nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB30N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | на замовлення 3071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N65H5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.7A Power dissipation: 135W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Manufacturer series: H5 Turn-on time: 26ns Turn-off time: 147ns кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65H5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.7A Power dissipation: 135W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Manufacturer series: H5 Turn-on time: 26ns Turn-off time: 147ns | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65S5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 63A Power dissipation: 135W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 50ns Turn-off time: 199ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | 5 high speed soft switching IGBT | на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 270 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | 5 high speed soft switching IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | 5 high speed soft switching IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 63A Power dissipation: 135W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 50ns Turn-off time: 199ns | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | 5 high speed soft switching IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 270 W | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRB1000BJANCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: 0404 (1010 Metric) Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRB1000BJANCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: 0404 (1010 Metric) Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRB1000BJANCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% NI 1Kppm Back Contact | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRB1000BJAPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: 0404 (1010 Metric) Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRB1000BJAPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% PD 1Kppm Back Contact | на замовлення 1113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRB1000BJAPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: 0404 (1010 Metric) Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRB5000CJANCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% NI 1Kppm Back Contact | на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRB5000CJANCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: 0404 (1010 Metric) Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 5 Ohms | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRB5000CJANCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: 0404 (1010 Metric) Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 5 Ohms | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRB5000CJAPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: 0404 (1010 Metric) Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 5 Ohms | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRB5000CJAPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% PD 1Kppm Back Contact | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRB5000CJAPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: 0404 (1010 Metric) Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 5 Ohms | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1000BJJNCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% NI 500ppm Back Contact | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC1000BJJNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1000BJJNCT5 | VISHAY | Description: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 4W Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung Widerstand: 10ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 5% Temperaturkoeffizient: 500ppm/C Produktlänge: 1.5mm euEccn: NLR Produktpalette: IGBR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 1.5mm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1000BJJNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1000BJJNCT5 | VISHAY | Description: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 4W Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung Widerstand: 10ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 5% Temperaturkoeffizient: 500ppm/C Produktlänge: 1.5mm euEccn: NLR Produktpalette: IGBR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 1.5mm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1000BJJPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1000BJJPCT5 | VISHAY | Description: VISHAY - IGBRC1000BJJPCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand Qualifikation: - Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung Nennleistung: 4 Widerstand: 10 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C Produktlänge: 1.5 Produktpalette: IGBR Nennspannung: 75 Betriebstemperatur, max.: 125 Produktbreite: 1.5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC1000BJJPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1000BJJPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% PD 500ppm Back Contact | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1500BJJNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 15 Ohms | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1500BJJNCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% NI 500ppm Back Contact | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1500BJJNCT5 | Vishay | IGBRC 5% 500 PPM | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC1500BJJNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 15 Ohms | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1500BJJNCT5 | Vishay | IGBRC 5% 500 PPM | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC1500BJJPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% PD 500ppm Back Contact | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBRC1500BJJPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 15 Ohms | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1500BJJPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 15 Ohms | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1800CKANCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10% Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 3W Tolerance: ±10% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 1.8 Ohms | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1800CKANCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10% Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 3W Tolerance: ±10% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 1.8 Ohms | на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC1800CKANCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC1800CKAPCT5 | Vishay | IGBRC 10% 1000 PPM | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC1800CKAPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10% | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBRC1800CKAPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC1800CKAPCT5 | Vishay | IGBRC 10% 1000 PPM | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC1800CKAPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10% | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBRC3000CJJNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 3 Ohms | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC3000CJJNCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC3000CJJNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 3 Ohms | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC3000CJJPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 3 Ohms | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC3000CJJPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC3000CJJPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 3 Ohms | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC3000CJJPHWS | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Class H | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC5000CJJNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 500 Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 5 Ohms | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC5000CJJNCT5 | Vishay / Thin Film | Thin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% NI 500ppm Back Contact | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC5000CJJNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 500 Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 5 Ohms | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRC5000CJJPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% PD 500ppm Back Contact | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC5000CJJPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 5 Ohms | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC5000CJJPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±500ppm/°C Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0606 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 5 Ohms | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRC5000CJJPCWS | Vishay | Thin Film Resistors - SMD 50 OHM 5% 500PPM | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRD1000BJONCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1000BJONCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% NI 300ppm Back Contact | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1000BJONCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | на замовлення 1304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1000BJOPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1000BJOPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 10 Ohms | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1000BJOPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% PD 300ppm Back Contact | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1500BJONCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 15 Ohms | на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1500BJONCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 15 Ohms | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1500BJONCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% NI 300ppm Back Contact | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRD1500BJOPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% PD 300ppm Back Contact | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRD1500BJOPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 15 Ohms | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1500BJOPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 15 Ohms | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1800CKANCT5 | Vishay / Thin Film | Thin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact | на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1800CKANCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10% Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 4W Tolerance: ±10% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 1.8 Ohms | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1800CKANCT5 | Vishay / Techno | Thin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1800CKANCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10% Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 4W Tolerance: ±10% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 1.8 Ohms | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1800CKAPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10% | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRD1800CKAPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10% | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD1800CKAPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRD3000CJJNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBRD3000CJJNCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD3000CJJNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBRD3000CJJPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBRD3000CJJPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRD3000CJJPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBRD5000CJWNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±350ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Part Status: Active Resistance: 5 Ohms | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRD5000CJWNCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Package / Case: Nonstandard Temperature Coefficient: ±350ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0808 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Part Status: Active Resistance: 5 Ohms | товар відсутній | |||||||||||||||
IGBRD5000CJWNCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% NI 350ppm Back Contact | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBRD5000CJWPCT5 | Vishay / Electro-Films | Thin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% PD 350ppm Back Contact | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBRD5000CJWPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350 | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBRD5000CJWPCT5 | Vishay Electro-Films | Description: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGBT A50L-1-0212 100A | TOSHIBA | C3-5 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBT A50L-1-0221 150A | TOSHIBA | J4-2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBT A50L-1-0222 200A | TOSHIBA | J4-2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBT A50L-1-0230 50A | TOSHIBA | C3-5 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBT IKW50N60H3 Код товару: 177225 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||
IGBT(30A)-0233 | TOSHIBA | F1-5 | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IGBT-4/DDIODE-3 | SZE | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGBT150A | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGBT25A-0233 | TOSHIBA | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGBT30A-0233 | TOSHIBA | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGBT50A | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGBTA50L-1-0221 | TOSHIBA | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGBTA50L-1-0222 | TOSHIBA | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |