![IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/420638/smn_/manual/ipb65r125c7atma2.jpg)
IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 56.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns, Switching Energy: 690µJ, Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 170 W.
Інші пропозиції IGB20N60H3ATMA1 за ціною від 55.28 грн до 153.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
товар відсутній |