![IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/420638/smn_/manual/ipb65r125c7atma2.jpg)
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 42.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns, Switching Energy: 430µJ, Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 110 W.
Інші пропозиції IGB10N60TATMA1 за ціною від 37.31 грн до 119.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W |
на замовлення 4007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 Код товару: 191421 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |