IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 112.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns, Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 270 W.
Інші пропозиції IGB50N65S5ATMA1 за ціною від 107.22 грн до 300.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB50N65S5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGB50N65S5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 270 W |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGB50N65S5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 1918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGB50N65S5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGB50N65S5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
5 high speed soft switching IGBT |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGB50N65S5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
5 high speed soft switching IGBT |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IGB50N65S5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
5 high speed soft switching IGBT |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IGB50N65S5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
5 high speed soft switching IGBT |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IGB50N65S5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 63A Power dissipation: 135W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 50ns Turn-off time: 199ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IGB50N65S5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 63A Power dissipation: 135W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 50ns Turn-off time: 199ns |
товар відсутній |