Продукція > FDV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDV045P20LON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV045P20LON Semiconductor / FairchildMOSFET CSP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV045P20LON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23
на замовлення 173809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV0530-4R7M
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530-H-1R0M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
FDV0530-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 11.2mOhms 8.4A +/-20%
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0530-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 15.5mOhms 5.7A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530-H-1R5M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
FDV0530-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 6A 0.0199Ohm DCR 2423 T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+86.5 грн
10+ 80.71 грн
25+ 80.01 грн
50+ 76.49 грн
100+ 52.78 грн
250+ 50.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDV0530-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.244" L x 0.228" W (6.20mm x 5.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 19.9mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5.3A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Part Status: Not For New Designs
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 6 A
товару немає в наявності
FDV0530-H-2R2M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 6A 0.0199Ohm DCR 2423 T/R
товару немає в наявності
FDV0530-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 19.9mOhms 5.3A +/-20%
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0530-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
товару немає в наявності
FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
товару немає в наявності
FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0518-H-3R3MP3
товару немає в наявності
FDV0530-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+15.69 грн
100+ 14.87 грн
250+ 13.76 грн
500+ 12.81 грн
1000+ 12.65 грн
Мінімальне замовлення: 39
FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
товару немає в наявності
FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 3.6A 0.0536Ohm DCR 2423 T/R
товару немає в наявності
FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 53.6mOhms 3.5A +/-20%
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0530-H-4R7M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 3.6A 0.0536Ohm DCR 2423 T/R
товару немає в наявності
FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 3.6A 0.0536Ohm DCR 2423 T/R
товару немає в наявності
FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
FDV0530-H-R11M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
FDV0530-H-R11M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.11uH 1.6mOhm 19.6A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530-H-R20M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.2uH 2.4mOhm 17.5A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530-H-R20M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
FDV0530-H-R36M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
FDV0530-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 4.1mOhm 12.6A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530-H-R56M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
FDV0530-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 6.3mOhm 11.3A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530-H-R75M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.75uH 7.6mOhm 9.9A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530-H-R75M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
FDV0530S-1R0MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-1R5MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-2R2MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-H-1R0M=P3Murata ElectronicsPower Inductors - SMD SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0518-H-1R0MP3
товару немає в наявності
FDV0530S-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0518-H-1R5MP3
товару немає в наявності
FDV0530S-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 4.3A 0.034Ohm DCR 2020 T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+40.97 грн
302+ 40.32 грн
307+ 39.68 грн
312+ 37.65 грн
317+ 34.28 грн
500+ 32.36 грн
Мінімальне замовлення: 298
FDV0530S-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 4.3A 0.034Ohm DCR 2020 T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.04 грн
25+ 37.44 грн
50+ 35.53 грн
100+ 32.37 грн
250+ 30.56 грн
500+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDV0530S-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 34mOhms 4.5A +/-20%
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0530S-H-R12M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.12uH 3.9mOhms 18A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530S-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 5.6mOhms 13A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530S-H-R42M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.42uH 9.8mOhms 9A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530S-H-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH 12mOhms 7.9A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530S-H-R60M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 7.2A 0.012Ohm DCR 2020 T/R
товару немає в наявності
FDV0530S-H-R78M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.78uH 14mOhms 7.1A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0530S-R12MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-R24MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-R42MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-R60MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-R78MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0618-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0630-H-1R0MP3
товару немає в наявності
FDV0618-H-1R5N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0630-H-1R5NP3
товару немає в наявності
FDV0618-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 34mOhms 5.3A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0618-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 48mOhms 4.1A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0618-H-R24N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 4.5mOhms 14A +/-30%
товару немає в наявності
FDV0618-H-R35N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.35uH 6.8mOhms 11A +/-30%
товару немає в наявності
FDV0618-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 10mOhms 9.8A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0620-1R0M=P3
на замовлення 20640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0620-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 18mOhms 7.7A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0620-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 26mOhms 6A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0620-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
FDV0620-H-2R2M=P3TOKO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0620-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 37mOhms 5.1A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0620-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 51mOhms 4.2A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0620-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 68mOhms 3.5A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0620-H-R20M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.2uH 4.5mOhms 16.2A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0620-H-R20M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
FDV0620-H-R47M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.47uH 8.3mOhms 11A +/-20%
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0620-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 10mOhms 10A +/-20%
товару немає в наявності
FDV0630-2R2M=P3TOKO
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-3R3M=P3
на замовлення 26750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-4R3M=P3
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-4R7M=P3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-6R8M=P3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-K4R7M=P3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-R20M=P3
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-R47M=P3
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV10-250Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.950" (24.13mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.49 грн
10+ 52.71 грн
25+ 50.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDV1040-1R5M=P3
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV1040-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 4.4mOhms 15.7A +/-20%
товару немає в наявності
FDV1040-2R2M=P3TOKO10*11.2*4.0 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV1040-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 7.7mOhms 13.1A +/-20%
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV1040-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 11.5mOhm 11.2A +/-20%
товару немає в наявності
FDV1040-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 14.3mOhms 9.6A +/-20%
товару немає в наявності
FDV14-187L3MQuick Disconnect Terminal 14-16AWG F Bag
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5447.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDV14-187Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL INS
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.81 грн
10+ 47.98 грн
25+ 43.85 грн
50+ 38.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDV14-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BA
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+995.26 грн
10+ 870.04 грн
30+ 727.46 грн
100+ 659.32 грн
250+ 601.13 грн
500+ 562.09 грн
1000+ 515.96 грн
FDV14-250C3MHigh Land Female Disconnect Vinyl Insulated , 16- 14 AWG
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV14-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+947.23 грн
10+ 792.5 грн
100+ 665.71 грн
250+ 603.97 грн
500+ 589.06 грн
1000+ 583.39 грн
FDV14-250Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.42 грн
10+ 44.73 грн
25+ 40.19 грн
50+ 34.83 грн
100+ 32.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDV16-8403--AKyocera AVX ComponentsCap Film 0.04 uF, 10%
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV16L0206KKyocera AVX ComponentsCap Film 20uF 1000V PP 10% (28 X 62mm) Axial 85C Bulk
товару немає в наявності
FDV16L0206K--KYOCERA AVXFilm Capacitors
товару немає в наявності
FDV16L0406K--AVXCap Film 40uF 1000V PP 10% (37 X 62mm) Axial 85C Bulk
товару немає в наявності
FDV16L0406K--KYOCERA AVXFilm Capacitors 1000V 40uF 10%
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12281.72 грн
10+ 11445.17 грн
25+ 9855.8 грн
FDV16L0606KKyocera AVX ComponentsCap Film 60uF 1000V PP 10% (44 X 62mm) Axial 85C Bulk
товару немає в наявності
FDV16L0806KKyocera AVX ComponentsCap Film 80uF 1000V PP 10% (50 X 62mm) Axial 85C Bulk
товару немає в наявності
FDV16Q0206K--Kyocera AVXFilm Capacitors 1400V 20uF 10% Radial
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11266.6 грн
10+ 10499.23 грн
25+ 9039.63 грн
FDV16Q0206K--Kyocera AVX ComponentsCap Film 20uF 1400V PP 10% (35 X 62mm) Axial 85C Bulk
товару немає в наявності
FDV16Q0306K--KYOCERA AVXFilm Capacitors
товару немає в наявності
FDV16Q0306K--Kyocera AVX ComponentsCap Film 30uF 1400V PP 10% (41 X 62mm) Axial 85C Bulk
товару немає в наявності
FDV16S0256KKyocera AVX ComponentsCap Film 25uF 1700V PP 10% (44 X 62mm) Axial 85C Bulk
товару немає в наявності
FDV16S0356KKyocera AVX ComponentsCap Film 35uF 1700V PP 10% (51 X 62mm) Axial 85C Bulk
товару немає в наявності
FDV16S0505KKyocera AVX ComponentsCap Film 5uF 1700V PP 10% (24 X 62mm) Axial 85C Bulk
товару немає в наявності
FDV18-187Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL INS
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.81 грн
10+ 47.98 грн
25+ 43.85 грн
50+ 38.74 грн
100+ 37.12 грн
250+ 33.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDV18-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+995.26 грн
10+ 870.04 грн
30+ 727.46 грн
100+ 659.32 грн
250+ 601.13 грн
500+ 562.09 грн
1000+ 515.96 грн
FDV18-250Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.81 грн
10+ 47.98 грн
25+ 43.85 грн
50+ 38.74 грн
100+ 37.12 грн
250+ 33.9 грн
500+ 31.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDV18-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
товару немає в наявності
FDV301FAIRCHILD07+ SOT-23
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4305000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3572+3.41 грн
9000+ 2.9 грн
24000+ 2.52 грн
99000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3572
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 181401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.28 грн
37+ 8.06 грн
100+ 5.4 грн
500+ 3.86 грн
1000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDV301NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 84135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.67 грн
115+ 6.97 грн
500+ 4.51 грн
1500+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDV301NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.11 грн
22+ 12.71 грн
50+ 8.5 грн
100+ 7.27 грн
270+ 3.83 грн
743+ 3.62 грн
6000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDV301N
Код товару: 115435		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 148
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+14.32 грн
68+ 8.88 грн
115+ 5.09 грн
250+ 4.66 грн
500+ 3.93 грн
1000+ 3.52 грн
3000+ 3.13 грн
6000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 43
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3441+3.54 грн
6000+ 3.34 грн
12000+ 3.21 грн
27000+ 3.02 грн
51000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3441
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2143+5.68 грн
2165+ 5.62 грн
2464+ 4.94 грн
2753+ 4.26 грн
3093+ 3.51 грн
6000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 2143
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
6000+ 2.84 грн
9000+ 2.69 грн
15000+ 2.36 грн
21000+ 2.27 грн
30000+ 2.18 грн
75000+ 1.94 грн
150000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 84135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.33 грн
75+ 10.67 грн
115+ 6.97 грн
500+ 4.51 грн
1500+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 56
FDV301NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 220 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В; Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
417+1.5 грн
445+ 1.4 грн
482+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 417
FDV301NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+15.92 грн
37+ 10.2 грн
53+ 7.08 грн
100+ 6.05 грн
270+ 3.19 грн
743+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDV301Nonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 799237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.66 грн
36+ 9.3 грн
100+ 4.61 грн
1000+ 4.19 грн
3000+ 3.12 грн
9000+ 2.55 грн
24000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 217000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
9000+ 3.19 грн
24000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 16140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3087+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3087
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4306200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
9000+ 2.7 грн
24000+ 2.34 грн
99000+ 2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
9000+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV301N
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDV301N-NB9V005ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
товару немає в наявності
FDV301N-NB9V008ON SemiconductorDigital FET , N-Channel
товару немає в наявності
FDV301N-NLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDV301N-NLFAIRCHILDSOT-23 0812+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N-NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301NCT
Код товару: 121839		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
FDV301NSOT23-301FAIRCHLD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDV301N_NB9V005Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDV301N_NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Digital
товару немає в наявності
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
FDV302P
Код товару: 105837		Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
FDV302PFairchildP-MOSFET 0.12A 25V 0.35W 10Ω FDV302P TFDV302p
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDV302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
FDV302Ponsemi / FairchildMOSFETs Digital FET P-Ch
товару немає в наявності
FDV302POn Semiconductor/FairchildSOT23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDV302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDV302P-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDV302P-NB8V001ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
товару немає в наявності
FDV302P-NB8V001onsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
товару немає в наявності
FDV302P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDV302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV302P_D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDV302P_D87Zonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
товару немає в наявності
FDV302P_NB8V001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
товару немає в наявності
FDV302P_NLonsemi / FairchildMOSFET 25V P-CH. FET, 10 O, SOT23
товару немає в наявності
FDV302P_Qonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
товару немає в наявності
FDV303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+22.29 грн
29+ 13.16 грн
50+ 8.78 грн
100+ 7.45 грн
186+ 4.65 грн
512+ 4.4 грн
2500+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDV303NVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 75
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDV303NON-SemicoductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.55 грн
32+ 19.17 грн
100+ 6.29 грн
1000+ 4.03 грн
3000+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.13 грн
9000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 108
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.45 грн
27+ 22.79 грн
100+ 9.58 грн
1000+ 6.73 грн
3000+ 5.44 грн
9000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 371662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.89 грн
27+ 11.02 грн
100+ 7.39 грн
500+ 5.32 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDV303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+26.75 грн
17+ 16.4 грн
50+ 10.54 грн
100+ 8.94 грн
186+ 5.58 грн
512+ 5.28 грн
2500+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 190500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.24 грн
500+ 5.99 грн
1500+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDV303Nonsemi / FairchildMOSFET N-Ch Digital
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.8 грн
16+ 21.3 грн
100+ 7.66 грн
1000+ 5.61 грн
3000+ 4.54 грн
9000+ 3.9 грн
24000+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDV303NON-SemicoductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5254 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
12000+ 5.87 грн
24000+ 5.46 грн
36000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 118
FDV303NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDV303N
Код товару: 46231		FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності 379 шт:
127 шт - склад
87 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4+6 грн
10+ 5.4 грн
100+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1739+7 грн
Мінімальне замовлення: 1739
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 371490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.52 грн
6000+ 3.97 грн
9000+ 3.77 грн
15000+ 3.33 грн
21000+ 3.2 грн
30000+ 3.08 грн
75000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 190500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.04 грн
50+ 16.64 грн
100+ 9.24 грн
500+ 5.99 грн
1500+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 34
FDV303N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDV303N-NL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV303N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 25V 0.68A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.54 грн
3000+ 3.11 грн
6000+ 3 грн
15000+ 2.72 грн
30000+ 2.63 грн
75000+ 2.39 грн
150000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FDV303N/303FAIRCHIL09+
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV303N_NB9U008onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDV303N_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch Digital
товару немає в наявності
FDV304N
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV304PON-SemicoductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 12070 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1290+9.44 грн
1395+ 8.73 грн
1408+ 8.65 грн
1615+ 7.27 грн
3000+ 6.61 грн
6000+ 6.22 грн
15000+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 1290
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
9000+ 5.55 грн
24000+ 5.18 грн
99000+ 4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
9000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 250
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 150
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.4 грн
6000+ 8.27 грн
9000+ 7.95 грн
12000+ 7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 460 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 63 @ 10 В; Qg, нКл = 1,5 @ 4,5 В; Rds = 1,1 Ом @ 500 мA, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 6.24 грн
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+18.76 грн
48+ 12.65 грн
100+ 6.6 грн
1000+ 5.75 грн
3000+ 4.14 грн
9000+ 3.37 грн
24000+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 33
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 179588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.23 грн
500+ 8.13 грн
1500+ 7.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDV304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.39 грн
11+ 27.09 грн
25+ 21.2 грн
50+ 17.39 грн
100+ 14.02 грн
129+ 8.07 грн
354+ 7.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1839000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
9000+ 5.29 грн
24000+ 4.94 грн
99000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
на замовлення 35397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.57 грн
19+ 15.97 грн
100+ 10.76 грн
500+ 7.81 грн
1000+ 7.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDV304P
Код товару: 150596		Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
FDV304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.66 грн
18+ 21.74 грн
25+ 17.67 грн
50+ 14.49 грн
100+ 11.68 грн
129+ 6.73 грн
354+ 6.36 грн
3000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDV304PON-SemicoductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1887000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
9000+ 5.98 грн
24000+ 5.58 грн
99000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+17.31 грн
47+ 12.99 грн
100+ 8.45 грн
250+ 7.24 грн
500+ 6.88 грн
1000+ 6 грн
3000+ 5.89 грн
6000+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 179588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25 грн
50+ 18.15 грн
100+ 11.23 грн
500+ 8.13 грн
1500+ 7.37 грн
Мінімальне замовлення: 32
FDV304Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch Digital
на замовлення 476418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.99 грн
19+ 17.87 грн
100+ 8.16 грн
1000+ 7.38 грн
3000+ 5.75 грн
9000+ 5.04 грн
24000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDV304POn Semiconductor/FairchildMOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1839000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.6 грн
9000+ 4.91 грн
24000+ 4.59 грн
99000+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.71 грн
6000+ 5.93 грн
9000+ 5.65 грн
15000+ 5.01 грн
21000+ 4.84 грн
30000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304P-CGB8onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Tj)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
FDV304P-CGB8onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Tj)
Part Status: Obsolete
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2459+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 2459
FDV304P-D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDV304P-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDV304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 25V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 954 pF @ 15 V
товару немає в наявності
FDV304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 25V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 954 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304P-F169onsemiDescription: P-CHANNEL DIGITAL FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDV304P-NLFAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV304P/304FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV304PNLFAIRCHILD
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV304P\304FAIRCHILSOT-23
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV304P_NB8U003onsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDV304P_Qonsemi / FairchildMOSFETs P-Ch Digital
товару немає в наявності
FDV305Nonsemi / FairchildMOSFETs 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 227607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
15+ 22.12 грн
100+ 9.16 грн
1000+ 8.16 грн
3000+ 5.96 грн
9000+ 5.18 грн
24000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 53
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.91 грн
500+ 11.38 грн
1000+ 8.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDV305NONSEMIFDV305N SMD N channel transistors
на замовлення 4669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.84 грн
122+ 8.52 грн
335+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDV305NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 50329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.63 грн
6000+ 5.86 грн
9000+ 5.59 грн
15000+ 4.95 грн
21000+ 4.78 грн
30000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
9000+ 8.2 грн
24000+ 8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+18.2 грн
798+ 15.27 грн
986+ 12.35 грн
1274+ 9.22 грн
3000+ 7.29 грн
6000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 669
FDV305NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 50474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.57 грн
19+ 15.75 грн
100+ 10.62 грн
500+ 7.71 грн
1000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 91
FDV305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.66 грн
50+ 20.22 грн
100+ 11.78 грн
500+ 8.21 грн
1500+ 7.44 грн
Мінімальне замовлення: 28
FDV305N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV305N/305FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV305N_Qonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
FDV30N
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV336PFAIRCHILDSOT23
на замовлення 29800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV336PFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV338P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV340P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV360P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDVE0630-H-100M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0630-H-100MP3
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-1R0M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 1.0uH 20% 9.5A RDC=0.0085ohms
товару немає в наявності
FDVE0630-H-1R5M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 1.5uH 20% 8.1A RDC=0.0121ohms
товару немає в наявності
FDVE0630-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 2.2uH 20% 6.9A RDC=0.0162ohms
товару немає в наявності
FDVE0630-H-2R2M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 6.6A 0.0162Ohm DCR 2926 T/R
товару немає в наявності
FDVE0630-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 3.3uH 20% 5.3A RDC=0.0254ohms
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 4.7uH 20% 4.6A RDC=0.0361ohms
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-6R8M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 6.8uH 20% 3.4A RDC=0.0542ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-R16M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.16uH 20% 19.4A RDC=0.0016ohms
товару немає в наявності
FDVE0630-H-R33M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.33uH 20% 15.9A RDC=0.0027ohms
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-R47M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.47uH 20% 15.6A RDC=0.0037ohms
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-R68M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.68uH 20% 10.4A RDC=0.0060ohms
товару немає в наявності
FDVE0630-H-R75M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.75uH 20% 10.9A RDC=0.0062ohms
товару немає в наявності
FDVE0640-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 10.3mOhms 8A +/-20%
товару немає в наявності
FDVE0640-H-1R5M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
FDVE0640-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
FDVE0640-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 16.3mOhms 7.6A +/-20%
товару немає в наявності
FDVE0640-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 19.2mOhms 6A +/-20%
товару немає в наявності
FDVE0640-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
FDVE0640-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 29.2mOhms 4.6A +/-20%
товару немає в наявності
FDVE1040-H-100M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE1040-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE1040-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
FDVE1040-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 11.6A 0.0068Ohm DCR 4440 T/R
товару немає в наявності
FDVE1040-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE1040-H-2R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
товару немає в наявності
FDVE1040-H-2R7M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
FDVE1040-H-2R7M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.7uH 20% 100KHz Metal 10.5A 0.0088Ohm DCR 4440 T/R
товару немає в наявності
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.441" L x 0.394" W (11.20mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 100°C
DC Resistance (DCR): 10.1mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9.8A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 9 A
товару немає в наявності
FDVE1040-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
товару немає в наявності
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
товару немає в наявності
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.441" L x 0.394" W (11.20mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 100°C
DC Resistance (DCR): 10.1mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9.8A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 9 A
товару немає в наявності
FDVE1040-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
товару немає в наявності
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
товару немає в наявності
FDVE1040-H-4R7M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 8A 0.0138Ohm DCR 4440 T/R
товару немає в наявності
FDVE1040-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
товару немає в наявності
FDVE1040-H-5R6M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
товару немає в наявності
FDVE1040-H-6R8M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 6.8uH 20% 100KHz Metal 7.1A 0.0202Ohm DCR 4440 T/R
товару немає в наявності
FDVE1040-H-6R8M=P3MURATAFDVE1040-H-6R8M-P3 SMD power inductors
товару немає в наявності
FDVE1040-H-6R8M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
FDVE1040-H-6R8M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)