![FDV304P FDV304P](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
на замовлення 1827000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDV304P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 460mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDV304P за ціною від 2.29 грн до 624 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1908000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 345000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1908000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V |
на замовлення 71427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 345000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 163010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -460mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 4442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -460mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V |
на замовлення 71427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 501664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 163010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FDV304P | Виробник : UMW |
![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV304P | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV304P | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV304P | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
![]() |
на замовлення 5300 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FDV304P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDV304P Код товару: 150596 |
![]() |
товар відсутній
|