Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDV305N
FDV305N

FDV305N ON Semiconductor

3665663546712991fdv305n.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDV305N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDV305N за ціною від 5.55 грн до 37.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDV305N FDV305N Виробник : ON Semiconductor 3665663546712991fdv305n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305N FDV305N Виробник : ON Semiconductor 3665663546712991fdv305n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+6.2 грн
Мінімальне замовлення: 53
FDV305N FDV305N Виробник : ON Semiconductor 3665663546712991fdv305n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305N FDV305N Виробник : ON Semiconductor 3665663546712991fdv305n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
91+6.6 грн
Мінімальне замовлення: 91
FDV305N FDV305N Виробник : onsemi ONSM-S-A0003587639-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.51 грн
6000+ 7.07 грн
9000+ 6.26 грн
30000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305N FDV305N Виробник : ONSEMI 2298599.pdf Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.21 грн
9000+ 8.05 грн
24000+ 7.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305N FDV305N Виробник : ONSEMI FDV305N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+14.7 грн
38+ 9.58 грн
100+ 8.49 грн
115+ 6.98 грн
315+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 27
FDV305N FDV305N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+17.59 грн
500+ 11.18 грн
1000+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDV305N FDV305N Виробник : ONSEMI FDV305N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.64 грн
25+ 11.94 грн
100+ 10.19 грн
115+ 8.38 грн
315+ 7.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDV305N FDV305N Виробник : ON Semiconductor 3665663546712991fdv305n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
669+18.07 грн
798+ 15.16 грн
986+ 12.26 грн
1274+ 9.15 грн
3000+ 7.24 грн
6000+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 669
FDV305N FDV305N Виробник : onsemi ONSM-S-A0003587639-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 37827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.92 грн
13+ 23.23 грн
100+ 11.72 грн
500+ 9.74 грн
1000+ 7.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDV305N FDV305N Виробник : onsemi / Fairchild FDV305N_D-2312978.pdf MOSFET 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 37661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.26 грн
13+ 25.57 грн
100+ 9.97 грн
1000+ 7.74 грн
3000+ 6.76 грн
9000+ 5.99 грн
24000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDV305N FDV305N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.6 грн
37+ 21.19 грн
100+ 10.4 грн
500+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 21