Продукція > FDT

Description: OMEGA - FDT-25 - Durchflussmesser, Messwandler & Kabel, Kette/Klemme/Maßband/RS232-Kabel, Netzadapter/Ladegerät, Gel
tariffCode: 90261021
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Durchflussmesser, Messwandler & Kabel, Kette/Klemme/Maßband/RS232-Kabel, Netzadapter/Ladegerät, Akustik-Gel
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	143780.39 грн

FDT-40-PC-CABLE

Description: OMEGA - FDT-40-PC-CABLE - Messzubehör, USB-PC-Programmierkabel
Art des Zubehörs: USB-PC-Programmierkabel
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Durchflussmesser der Produktreihe FDT-40 von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDT-40-RTD1

Description: OMEGA - FDT-40-RTD1 - Messzubehör, RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Art des Zubehörs: RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDT-40E-VDC-HT

Description: OMEGA - FDT-40E-VDC-HT - Anzeige, Energiedurchflussmesser, 10 bis 28V DC, -40°C bis 176°C, Produktreihe FDT-40E
Anschlussgröße: -
DC-Versorgungsspannung, min.: 10
Genauigkeit %: 1
Druck, max.: -
Durchflussrate: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 28
Durchflussrate, max.: -
Produktpalette: FDT-40E Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDT-45-ANSI-HT

Description: OMEGA - FDT-45-ANSI-HT - Messzubehör, Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDT-47-100FT

Description: OMEGA - FDT-47-100FT - Messzubehör, Kabel, 30.48m, Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDT-70A-903

Bansbach easylift

Description: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Packaging: Bag
Features: Disk Type
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2422.57 грн

FDT-70B-903

Bansbach easylift

Description: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2422.57 грн

FDT02106QFP-ES

EPSON

0317+

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT09SG2M-K1019

FCT Group

FCT Dual Port 09 Receptacle / 09 Receptacle With Hood

товар відсутній

FDT1-052K

TE CONNECTIVITY

Description: TE CONNECTIVITY - FDT1-052K - Piezoelektrischer Foliensensor, Vibration, Baureihe FDT, flexible Anschlussdrähte, 0.74nF
tariffCode: 90318080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Empfindlichkeit: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sensormontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: FDT Series
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1741.78 грн

FDT1600N10ALZ

Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT1600N10ALZ

MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC

на замовлення 25315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.51 грн
10+	54.24 грн
100+	31.3 грн
500+	24.71 грн
1000+	22.17 грн
2000+	20.21 грн
4000+	18.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDT1600N10ALZ

Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT1600N10ALZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3265 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	100.46 грн
7+	41.38 грн
25+	35.23 грн
34+	31.3 грн
93+	29.59 грн
500+	29.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDT1600N10ALZ

на замовлення 3265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.72 грн
12+	33.21 грн
25+	29.36 грн
34+	26.08 грн
93+	24.66 грн
500+	24.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDT1600N10ALZ

Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 25002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.69 грн
14+	59.5 грн
100+	37.63 грн
500+	29.13 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDT1600N10ALZ

Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V

на замовлення 9487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.65 грн
10+	46.49 грн
100+	32.22 грн
500+	25.26 грн
1000+	21.5 грн
2000+	19.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDT1600N10ALZ

Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	48.57 грн
283+	43.54 грн
347+	35.43 грн
376+	31.56 грн
500+	25.64 грн
1000+	19.96 грн
3000+	18.07 грн

Мінімальне замовлення: 254

FDT1600N10ALZ

Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.45 грн
14+	45.1 грн
25+	40.43 грн
100+	31.72 грн
250+	27.14 грн
500+	22.86 грн
1000+	18.53 грн
3000+	16.78 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDT1600N10ALZ

Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	21.19 грн
8000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT1600N10ALZ

Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 25002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.63 грн
500+	29.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDT21624076BR

Ecko

Description: 8" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP
Packaging: Box
Type: Standard Duct
Part Status: Active
Weight (Pounds): 16

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	21002.93 грн

FDT2363506NFMT

Description: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/4" WIDTH

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDT3612

Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	40.55 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	19.08 грн
8000+	17.4 грн
12000+	16.12 грн
28000+	14.97 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT3612

Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	20.53 грн
8000+	19.29 грн
12000+	18.22 грн
28000+	17.54 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT3612

Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	50.08 грн
14+	44.02 грн
25+	43.6 грн
100+	33.89 грн
250+	29.87 грн
500+	24.64 грн
1000+	20.08 грн
3000+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDT3612

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDT3612

Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	24.98 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT3612

Description: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.3 грн
16+	50.8 грн
100+	38.93 грн
500+	20.75 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDT3612

Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	18.17 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT3612

MOSFET 100V NCh PowerTrench

на замовлення 48273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.27 грн
10+	46.58 грн
100+	28.11 грн
500+	23.47 грн
1000+	20 грн
2000+	17.82 грн
4000+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDT3612

Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

262+	46.95 грн
325+	37.85 грн
342+	36.03 грн
500+	29.85 грн
1000+	22.53 грн
3000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 262

FDT3612

Fairchild/ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V

на замовлення 35314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.16 грн
10+	41.89 грн
100+	29 грн
500+	22.75 грн
1000+	19.36 грн
2000+	17.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDT3612

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 3,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223

на замовлення 4 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

4+	156 грн
10+	62.4 грн
100+	46.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDT3612

Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT3612

товар відсутній

FDT3612-SB82273

товар відсутній

FDT3612-SB82273

Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V

товар відсутній

FDT3612-SN00151

Description: MOSFET N-CH 100V SOT223

товар відсутній

FDT3612-SN00151

товар відсутній

FDT3612/3612

FAIR

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT3612_NL

FAIRCHIL

09+ TO-220

на замовлення 850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT3612_SN00151

товар відсутній

FDT3622

07+ SOT-223

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT3622

SOT-223

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT3N40

onsemi UF 400V 3.4OHM SOT223

товар відсутній

FDT3N40TF

Description: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDT3N40TF

Description: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V

товар відсутній

FDT3N40TF

Trans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT3N40TF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDT3N40TF

Trans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT3N40TF

товар відсутній

FDT3N40TF

Description: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V

товар відсутній

FDT3N40TF

MOSFET 400V N-Chan UniFET

товар відсутній

FDT3N40TF

товар відсутній

FDT3N40TF

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDT434P

P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1187 @ 10; Qg, нКл = 19 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 6 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223

на замовлення 166 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

48+	13.23 грн
51+	12.36 грн
100+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 48

FDT434P

MOSFET SOT-223 P-CH -20V

товар відсутній

FDT434P

Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V

товар відсутній

FDT434P

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT434P

Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V

товар відсутній

FDT434P

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT434P/434

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT434P_F081

onsemi

товар відсутній

FDT434P_NL

MOSFET 20V, 80MOHM P-CH MOSFET SOT223

товар відсутній

FDT434P_Q

MOSFET SOT-223 P-CH -20V

товар відсутній

FDT434P_T

onsemi

товар відсутній

FDT4395310NFMT

Description: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 3/8" WIDTH

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDT439N

Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDT439N

Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT439N

Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V

на замовлення 17732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.18 грн
10+	59.25 грн
100+	39.31 грн
500+	28.86 грн
1000+	26.27 грн
2000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDT439N

FDT439N SMD N channel transistors

на замовлення 1154 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	114.11 грн
26+	40.76 грн
72+	38.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDT439N

MOSFET SOT-223 N-CH 30V

на замовлення 39265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDT439N

Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.038 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 14464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.29 грн
14+	58.44 грн
100+	42.18 грн
500+	33.28 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDT439N

Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	24.62 грн
8000+	22.13 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT439N

Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	25.95 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT439N

Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT439N

ON-Semicoductor

Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT439N TFDT439N
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 3868 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 30

FDT439N

Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.038 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 14854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.18 грн
500+	33.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDT457N

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDT457N

Description: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

на замовлення 26373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.59 грн
500+	29.74 грн
1000+	26.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDT457N

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	28.49 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT457N

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT457N

Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V

на замовлення 9324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.75 грн
10+	54.57 грн
100+	42.45 грн
500+	33.76 грн
1000+	27.5 грн
2000+	25.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDT457N

MOSFET SOT-223 N-CH 30V

на замовлення 6331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.72 грн
10+	60.57 грн
100+	41.01 грн
500+	34.78 грн
1000+	28.33 грн
2000+	26.59 грн
4000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDT457N

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	29.31 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT457N

Description: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

на замовлення 26373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.15 грн
25+	33.24 грн
100+	32.59 грн
500+	29.74 грн
1000+	26.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDT457N

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	27.3 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT457N

ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V

товар відсутній

FDT457N

MOSFET SOT-223 N-CH 30V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDT457N

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	70.93 грн
21+	29.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDT458P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 3W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 210mΩ
Gate charge: 3.5nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 3964 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	34.14 грн
25+	28.68 грн
40+	21.13 грн
109+	19.62 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDT458P

Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT458P

на замовлення 3964 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	40.96 грн
25+	35.74 грн
40+	25.36 грн
109+	23.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDT458P

Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT458P

Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V

на замовлення 6098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.86 грн
10+	46.04 грн
100+	31.86 грн
500+	24.99 грн
1000+	21.27 грн
2000+	18.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDT458P

Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	20.7 грн
8000+	19.5 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT458P

Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	20.2 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT458P

Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT458P

Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT458P

Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT458P

MOSFET 30V P-Ch PowerTrench

на замовлення 3468 шт:

термін постачання 1002-1011 дні (днів)

6+	59.76 грн
10+	52.58 грн
100+	31.23 грн
500+	26.01 грн
1000+	22.17 грн
2000+	20.07 грн
4000+	18.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDT459

FSC

09+

на замовлення 138018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT459N

Description: 6.5A, 30V, 0.035OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V

на замовлення 9323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

634+	34.87 грн

Мінімальне замовлення: 634

FDT459N

ON Semiconductor / Fairchild

SOT-223

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT459N

MOSFET SOT-223 N-CH 30V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDT461N

07+ SOT-223

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT461N

Description: MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 25 V

товар відсутній

FDT461N

Description: MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 25 V

на замовлення 47000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	35.2 грн

Мінімальне замовлення: 606

FDT461N

SOT-223

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT4N50NZU

MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, UniFET II, Ultra FRFET, 500 V, 2 A, 3.0 ohm, SOT223 Power MOSFET, N-Channel, UniFET II, Ultra FRFET, 500 V, 2 A, 3.0 ohm, SOT223

на замовлення 7141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.28 грн
10+	82.9 грн
100+	55.79 грн
500+	47.31 грн
1000+	38.55 грн
2000+	36.23 грн
4000+	35.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDT4N50NZU

Description: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.83 грн
500+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDT4N50NZU

Trans MOSFET N-CH 500V 2A Reel

товар відсутній

FDT4N50NZU

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V

на замовлення 3774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.05 грн
10+	73.89 грн
100+	57.45 грн
500+	45.7 грн
1000+	37.23 грн
2000+	35.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDT4N50NZU

Description: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.16 грн
10+	86.15 грн
100+	62.83 грн
500+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDT4N50NZU

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V

товар відсутній

FDT5060

07+ SOT-223

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT5060

SOT-223

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT5312712NFMT

Description: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/2" WIDTH

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDT55AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4

товар відсутній

FDT55AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4

товар відсутній

FDT55AN06LA0

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDT55AN06LA0

Trans MOSFET N-CH 60V 12.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT6315812NFMT

Description: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 5/8" WIDTH

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDT7024L35PFI

на замовлення 194 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT71B74-S10Y

на замовлення 1324 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT74FCT240ATSO

FDT

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDT8325415NFMT

Description: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1" WIDTH -
Packaging: Box
Color: Silver
Size / Dimension: 2.264" L x 1.476" W (57.50mm x 37.50mm)
Type: Buckle
Part Status: Active

товар відсутній

FDT86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V

товар відсутній

FDT86102LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	166.5 грн
10+	149.77 грн
25+	147.35 грн
100+	114.67 грн
250+	104.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDT86102LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 46mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 4000 шт

товар відсутній

FDT86102LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	179.31 грн
77+	161.29 грн
78+	158.69 грн
100+	123.5 грн
250+	112.79 грн

Мінімальне замовлення: 69

FDT86102LZ

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4029 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.68 грн
10+	135.81 грн
100+	93.46 грн
250+	86.94 грн
500+	78.97 грн
1000+	67.38 грн
2500+	64.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDT86102LZ

Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 4327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.21 грн
500+	86.39 грн
1000+	66.53 грн
4000+	64.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDT86102LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	55.96 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.62 грн
10+	122.42 грн
100+	97.46 грн
500+	77.39 грн
1000+	65.66 грн
2000+	62.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDT86102LZ

товар відсутній

FDT86102LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86102LZ

ON-Semicoductor

Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6+	98.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDT86102LZ

Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 13753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.11 грн
50+	108.91 грн
250+	90.22 грн
1000+	68.08 грн
2000+	62.77 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDT86102LZ.

Description: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006

товар відсутній

FDT86106LZ

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	20.88 грн

Мінімальне замовлення: 30

FDT86106LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86106LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	38.13 грн
8000+	35.41 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86106LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 189mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDT86106LZ

товар відсутній

FDT86106LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86106LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V

на замовлення 21121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.86 грн
10+	87.25 грн
100+	58.89 грн
500+	43.84 грн
1000+	40.16 грн
2000+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDT86106LZ
Код товару: 133317

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDT86106LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86106LZ

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 18572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.51 грн
10+	86.65 грн
100+	58.25 грн
500+	49.41 грн
1000+	40.21 грн
2000+	37.89 грн
4000+	37.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDT86113LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V

на замовлення 25801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.62 грн
10+	52.3 грн
100+	40.65 грн
500+	32.33 грн
1000+	26.34 грн
2000+	24.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDT86113LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	72.91 грн
10+	65.09 грн
25+	63.84 грн
100+	49.25 грн
250+	43.84 грн
500+	34.53 грн
1000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDT86113LZ

Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

товар відсутній

FDT86113LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	31.23 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86113LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	27.44 грн
8000+	25.16 грн
12000+	24 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86113LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	31.53 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86113LZ

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 8799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.36 грн
10+	58.32 грн
100+	39.49 грн
500+	33.47 грн
1000+	27.31 грн
2000+	25.65 грн
4000+	25.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDT86113LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDT86113LZ

Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.84 грн
12+	71.28 грн
100+	51.04 грн
500+	40.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDT86113LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86113LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	27.39 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86113LZ

товар відсутній

FDT86113LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	70.1 грн
179+	68.75 грн
224+	55 грн
250+	50.99 грн
500+	38.74 грн
1000+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 176

FDT86244

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86244

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 35416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.26 грн
10+	53.41 грн
100+	36.15 грн
500+	30.72 грн
1000+	25 грн
2000+	23.62 грн
4000+	23.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDT86244

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.13 грн
10+	48.08 грн
100+	37.42 грн
500+	29.76 грн
1000+	24.25 грн
2000+	22.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDT86244

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	25.02 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86244

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	25.26 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86244

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	61.45 грн
12+	55.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDT86244

Description: ONSEMI - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.106 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 29824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.51 грн
13+	64.53 грн
100+	46.33 грн
500+	35.47 грн
1000+	24.1 грн
5000+	22.15 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDT86244

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	25.11 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDT86246

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	38.97 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86246

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86246

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86246 TFDT86246
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	29.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDT86246

Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V

на замовлення 9504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87 грн
10+	68.53 грн
100+	53.34 грн
500+	42.43 грн
1000+	34.56 грн
2000+	32.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDT86246

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	38.6 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86246

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86246

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 19670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.72 грн
10+	67.57 грн
100+	48.54 грн
500+	41.95 грн
1000+	35.14 грн
2000+	33.55 грн
4000+	31.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDT86246

Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	36 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86246

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86246L

Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V

на замовлення 12783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.32 грн
10+	60.68 грн
100+	40.3 грн
500+	29.62 грн
1000+	26.97 грн
2000+	24.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDT86246L

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	56.22 грн
221+	55.65 грн
268+	46.02 грн
270+	43.93 грн
500+	34.69 грн
1000+	25.04 грн
3000+	24.29 грн

Мінімальне замовлення: 219

FDT86246L

Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 6919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.79 грн
500+	36.83 грн
1000+	26.4 грн
4000+	25.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDT86246L

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86246L

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86246L

MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 40115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.29 грн
10+	49.16 грн
100+	33.76 грн
500+	28.84 грн
1000+	25.79 грн
2000+	24.92 грн
4000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDT86246L

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	25.65 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86246L

Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 5222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.29 грн
14+	60.8 грн
100+	44.62 грн
500+	38.26 грн
4000+	32.4 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDT86246L

Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	25.3 грн
8000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86246L

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	59.68 грн
12+	52.2 грн
25+	51.68 грн
100+	41.21 грн
250+	37.77 грн
500+	30.92 грн
1000+	23.25 грн
3000+	22.56 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDT86246L

Description: ONSEMI - FDT86246L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

926+	43.08 грн

Мінімальне замовлення: 926

FDT86246L

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	25.52 грн

Мінімальне замовлення: 4000

FDT86256

Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.08 грн
10+	86.72 грн
100+	58.5 грн
500+	43.54 грн
1000+	39.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDT86256

Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm

на замовлення 1834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.35 грн
10+	81.28 грн
100+	62.01 грн
500+	49.96 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDT86256
Код товару: 188041

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDT86256

Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86256

Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

FDT86256

Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V

товар відсутній

FDT86256

на замовлення 1834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.01 грн
500+	49.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDT86256