Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDT457N
FDT457N

FDT457N ON Semiconductor

fdt457n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT457N ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDT457N за ціною від 24.9 грн до 82.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDT457N FDT457N Виробник : ON Semiconductor fdt457n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+27.4 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT457N FDT457N Виробник : ON Semiconductor fdt457n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT457N FDT457N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0016515658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 26373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.35 грн
500+ 28.6 грн
1000+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDT457N FDT457N Виробник : onsemi fdt457n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 9324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.09 грн
10+ 52.49 грн
100+ 40.83 грн
500+ 32.47 грн
1000+ 26.45 грн
2000+ 24.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT457N FDT457N Виробник : ON Semiconductor fdt457n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+69.74 грн
21+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDT457N FDT457N Виробник : onsemi / Fairchild FDT457N_D-2313039.pdf MOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.87 грн
10+ 58.27 грн
100+ 39.45 грн
500+ 33.45 грн
1000+ 27.25 грн
2000+ 25.58 грн
4000+ 25.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT457N FDT457N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0016515658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 26373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.87 грн
25+ 31.98 грн
100+ 31.35 грн
500+ 28.6 грн
1000+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDT457N FDT457N Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDT457N-D-1809076.pdf MOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDT457N FDT457N Виробник : ON Semiconductor fdt457n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDT457N FDT457N Виробник : ON Semiconductor fdt457n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT457N FDT457N Виробник : onsemi fdt457n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
товар відсутній